美光公布截至2025年5月29日的FY2025Q3財季(2025年3 - 5月)業(yè)績，該季營收93億美元，環(huán)比增長15%，同比增長37%；Non-GAAP下，營業(yè)利潤24.9億美元，營業(yè)利潤率由上季度的24.9%回升至26.8%；凈利潤21.81億美元，環(huán)比增長22.3%，同比增長210.7%。

FY2025Q3財季(2025年3 - 5月)美光營收創(chuàng)歷史新高，這得益于DRAM業(yè)務(wù)營收創(chuàng)歷史新高，其中 HBM 營收環(huán)比增長近 50%；數(shù)據(jù)中心營收同比增長逾一倍，創(chuàng)季度新高；面向消費者的終端市場也實現(xiàn)了強勁的環(huán)比增長。美光表示，2025財年有望實現(xiàn)創(chuàng)紀錄的營收。

數(shù)據(jù)來源：美光，圖表制作：CFM閃存市場

具體來看：

DRAM收入70.71億美元，占總收入的76%，環(huán)比增長15.5%。DRAM Bit出貨量環(huán)比增長超20%，DRAM ASP環(huán)比下降低個位數(shù)百分比（1%-3%）。

NAND收入21.55億美元，占總收入的23%，環(huán)比增長16.2%。NAND Bit出貨量環(huán)比增長約25%，NAND ASP環(huán)比下降高個位數(shù)百分比（7%-9%）。

其他業(yè)務(wù)（主要為NOR）收入7500萬美元，占總收入的1%，環(huán)比持平。

來源：美光

各事業(yè)部具體情況：

· Compute and Networking（CNBU）營收50.69億美元，環(huán)比增長11%，占總收入的54.5%。這一表現(xiàn)主要得益于HBM營收環(huán)比增長近50%，同時高容量DRAM和低功耗服務(wù)器DRAM業(yè)務(wù)也有所增長。

· Mobile（MBU）營收15.51億美元，環(huán)比增長45%；源于客戶庫存水平下降以及DRAM單機容量提升帶來的強勁需求。

· Storage（SBU）營收14.51億美元，環(huán)比增長4%；增長主要來自消費級存儲產(chǎn)品收入的提升。

· Embedded（EBU）營收12.27億美元，環(huán)比增長20%；工業(yè)和消費類嵌入式市場的需求增長提供了主要支撐。

資本開支與庫存

FY2025Q3財季(2025年3月- 5月)美光資本支出凈額為26.6億美元，調(diào)整后自由現(xiàn)金流為19.5億美元。美光本季度末持有現(xiàn)金、可流通投資及限制性現(xiàn)金共計122.2億美元。2025 財年的資本支出仍約為 140 億美元，重點用于 HBM、設(shè)施建設(shè)、后端制造和研發(fā)投資。

美光正以審慎態(tài)度推進全球生產(chǎn)網(wǎng)絡(luò)投資，確保產(chǎn)能建設(shè)與長期需求相匹配：

? 兩周前，在特朗普政府支持下，美光宣布將在美國實施總額約2000億美元的戰(zhàn)略投資（含1500億美元制造投資和500億美元研發(fā)投入），規(guī)劃周期超20年

? 作為該計劃組成部分，美光將追加300億美元投資，包括：

a.在愛達荷州博伊西市新建第二座尖端存儲器晶圓廠；

b.擴建并升級弗吉尼亞州馬納薩斯現(xiàn)有晶圓廠（服務(wù)汽車/航天/國防/工業(yè)市場）；

c.在美國本土布局先進封裝產(chǎn)線，為HBM長期增長計劃提供支撐（待本土DRAM晶圓產(chǎn)能達標后實施）。

愛達荷首座晶圓廠（ID1）建設(shè)進展：

? 六月再達關(guān)鍵工程節(jié)點；

? 預計2027年下半年產(chǎn)出首片DRAM晶圓，后續(xù)啟動客戶認證流程；

? 第二晶圓廠（ID2）將與ID1形成規(guī)模協(xié)同效應(yīng)，并依托研發(fā)集群實現(xiàn)效率提升與加速量產(chǎn)；

? 為應(yīng)對預期需求，ID2將早于紐約首座晶圓廠投產(chǎn)；

? 紐約項目待完成州/聯(lián)邦環(huán)評后，將于今年下半年啟動地基工程。

該季度末美光庫存為87億美元，庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)為139天，較上季度減少了19天。

數(shù)據(jù)來源：美光，圖表制作：CFM閃存市場

技術(shù)進展

美光在1-gamma DRAM技術(shù)節(jié)點已取得顯著進展，其良率提升速度甚至超過了此前1-beta節(jié)點創(chuàng)下的紀錄。該季度美光完成了多項關(guān)鍵產(chǎn)品里程碑，包括基于1-gamma的LPDDR5 DRAM首批認證樣品的出貨。

美光1-gamma DRAM采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)，相比1-beta節(jié)點可實現(xiàn)位元密度提升30%，功耗降低20%以上，性能最高提升15%。美光將把1-gamma技術(shù)應(yīng)用于整個DRAM產(chǎn)品組合，充分發(fā)揮這一領(lǐng)先技術(shù)的優(yōu)勢。

美光的尖端DRAM節(jié)點（例如 1 beta 和 1 gamma）專注于最新一代產(chǎn)品，例如 DDR5、LPDDR5 和 HBM。DDR4 和 LPDDR4主要采用1-alpha DRAM 節(jié)點生產(chǎn)。美光幾個月前已向移動、客戶端、數(shù)據(jù)中心和消費等高容量細分市場的客戶發(fā)送了DDR4 和 LPDDR4的停產(chǎn)通知，最終發(fā)貨時間將在兩到三個季度后。

短期內(nèi)，大批量市場的客戶開始發(fā)現(xiàn)DDR4產(chǎn)品的短缺日益加劇。目前停產(chǎn)過渡正在進行中，美光正在分配剩余的 DDR4 供應(yīng)。美光計劃在未來幾年內(nèi)繼續(xù)供應(yīng)這些 1-alpha DRAM 產(chǎn)品，以支持其在汽車、工業(yè)、國防和網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域長期且需求相對較低的長期客戶。美光預計DDR4 收入在 2025 財年下半年的總收入中所占比例僅為個位數(shù)（非 GAAP）。由于停產(chǎn)，LPDDR4產(chǎn)品的短缺情況也可能加劇。在DDR4和LPDDR4 供應(yīng)受限以及分銷渠道庫存較低的市場背景下，美光正在推動價格改善。

在NAND領(lǐng)域，美光該季度QLC占比創(chuàng)歷史新高；基于G9 2Tb QLC NAND的高性能SSD產(chǎn)品已啟動認證；G9節(jié)點的產(chǎn)能爬坡進度與市場需求保持同步。

終端市場

• 數(shù)據(jù)中心

美光預計2025年服務(wù)器市場出貨量將實現(xiàn)中個位數(shù)百分比增長，這主要得益于人工智能服務(wù)器的顯著增長。

受益于HBM的強勁增長和份額提升，以及美光行業(yè)領(lǐng)先的高容量DIMM和低功耗服務(wù)器DRAM產(chǎn)品組合的強勁表現(xiàn)，美光第三財季數(shù)據(jù)中心DRAM收入連續(xù)第四個季度創(chuàng)下新高，高容量DIMM和低功耗服務(wù)器產(chǎn)品在2025 財年已創(chuàng)造了數(shù)十億美元的營收，與去年同期相比實現(xiàn)了驚人的五倍增長。

美光表示，HBM產(chǎn)能提升和產(chǎn)品開發(fā)路線圖目前正在順利進行。HBM3E 12Hi的良率和產(chǎn)量提升進展非常順利。在本月初AMD Advancing AI活動上，美光宣布美光HBM3E 36GB 12Hi已被設(shè)計用于AMD的Instinct MI355X GPU平臺，目前正在向四家客戶大量出貨HBM，涵蓋GPU和ASICAI 加速平臺。

關(guān)于HBM4，美光表示充分利用了其成熟的1-beta DRAM技術(shù)，以及內(nèi)部開發(fā)和制造的先進 CMOS邏輯基礎(chǔ)芯片，每個內(nèi)存堆?？商峁┏^2.0 TB/s的帶寬，性能比上一代產(chǎn)品提升60%以上。HBM4 的擴展接口有助于快速通信和高吞吐量設(shè)計，從而加速大型語言模型和思維鏈推理系統(tǒng)的推理性能。美光已向多家客戶交付HBM4 樣品，預計將于2026 年實現(xiàn)量產(chǎn)，與客戶的計劃保持一致。

SSD方面，第三財季，美光數(shù)據(jù)中心9550高性能固態(tài)硬盤位列Nvidia GB200 NVL72 推薦供應(yīng)商名單，并完成了多家OEM廠商的額外客戶認證。美光的9550固態(tài)硬盤為AI服務(wù)器系統(tǒng)提供了業(yè)界領(lǐng)先的性能和節(jié)能的第五代 (Gen5) 數(shù)據(jù)中心存儲解決方案。未來美光將繼續(xù)為更多客戶提供認證，并提升6550 ION 60TB容量固態(tài)硬盤的收入。

• PC

美光預計2025日歷年P(guān)C市場出貨量將實現(xiàn)低個位數(shù)百分比增長。在未來幾個季度，推動PC市場增長的關(guān)鍵因素包括：人工智能PC的普及率不斷提高以及Windows 11的升級周期。

美光始終致力于為PC市場帶來差異化的高性能產(chǎn)品，并表示將于當?shù)貢r間26日發(fā)布全新的基于G9 2Tb QLC NAND的高性能SSD，該SSD采用美光專有的自適應(yīng)寫入技術(shù)，可將寫入性能提高4倍。這項技術(shù)擴展了QLC SSD的潛在市場，在大多數(shù)消費應(yīng)用場景中可提供與TLC NAND相當?shù)男阅堋?/p>

• Mobile

美光預計2025日歷年，智能手機出貨量將保持低個位數(shù)增長。人工智能的普及仍然是智能手機DRAM容量增長的關(guān)鍵驅(qū)動力，預計將有更多智能手機搭載12GB或更大的容量，而目前普通智能手機的容量僅為8GB。

美光專注于為高端智能手機市場提供解決方案，在LPDDR5X DRAM產(chǎn)品中采用領(lǐng)先的1-beta和1-gamma技術(shù)節(jié)點，以及利用G8和G9技術(shù)節(jié)點生產(chǎn)的UFS4 NAND產(chǎn)品。本季度，美光開始出貨業(yè)界首款基于1-gamma節(jié)點研發(fā)的LPDDR5X內(nèi)存的認證樣品，為2026年的旗艦智能手機提供廣泛的容量和業(yè)界領(lǐng)先的速度等級。

美光的1-gamma LPDDR5X DRAM旨在加速高端設(shè)備中的AI應(yīng)用，在多種應(yīng)用場景中提供超過25%的更快推薦速度，同時降低20%的功耗，所有這些都集成在超薄的外形中，非常適合移動設(shè)備。

在NAND領(lǐng)域，美光贏得了關(guān)鍵客戶的設(shè)計訂單，并實現(xiàn)了基于G9的UFS4產(chǎn)品的量產(chǎn)。本季度，美光的移動產(chǎn)品組合實力得到了七家智能手機OEM廠商頒發(fā)的頂級質(zhì)量獎項的進一步認可。

• 汽車和工業(yè)市場

美光預計，L2和L3 ADAS功能以及支持AI的車載信息娛樂系統(tǒng)日益普及，將推動內(nèi)存和存儲容量的增長以及更高的帶寬需求。

美光憑借其推出的新產(chǎn)品，例如業(yè)界首款支持9.6 Gbps高速傳輸?shù)?-beta雙通道LPDDR5 DRAM，已于本季度達到量產(chǎn)狀態(tài)，從而在汽車市場占據(jù)了長期成功的地位。在工業(yè)領(lǐng)域，隨著客戶加大對 AI 應(yīng)用的投資，包括工廠自動化等關(guān)鍵領(lǐng)域，美光表示該部分的增長正在恢復。

未來展望

美光表示，終端市場的客戶庫存水平總體保持健康，部分客戶可能因關(guān)稅相關(guān)因素而采取了一些措施，客戶表示今年剩余時間的需求環(huán)境將保持積極，美光也將保持靈活應(yīng)對宏觀環(huán)境或不斷變化的關(guān)稅相關(guān)形勢可能帶來的任何不可預見的需求變化。

美光表示2025年HBM已售罄，并預計2026年HBM bit需求增長將“大幅超過”整體 DRAM需求。高效的節(jié)點轉(zhuǎn)換將導致2025財年末的NAND晶圓產(chǎn)能較2024財年末的水平結(jié)構(gòu)性下降 10%。鑒于NAND技術(shù)轉(zhuǎn)型將顯著提高整體bit輸出，美光計劃以與需求相符的穩(wěn)健速度管理節(jié)點轉(zhuǎn)換。美光強調(diào)，尖端 NAND 已得到充分利用，而部分傳統(tǒng) NAND 在產(chǎn)能削減后仍未得到充分利用。

美光預計，2025年行業(yè)DRAM bit需求增長率將約達17-19%，而行業(yè)NAND bit需求增長率約達11-13%。美光非HBM DRAM和NAND bit供應(yīng)增長率將低于行業(yè)bit需求增長率。

美光預計2025財年第四財季（2025年6-8月）營業(yè)收入將達104-110億美元，毛利率落在41%-43%區(qū)間。

來源：美光