臺積電已量產(chǎn)2納米，用于即將發(fā)布的iPhone17里的A19Pro處理器，這凸顯出臺積電在芯片工藝方面的領先優(yōu)勢，不過日前有消息指日本芯片企業(yè)Rapidus將在明年量產(chǎn)2納米，技術竟然反超了臺積電，這對臺積電來說無疑是巨大威脅。

據(jù)悉日本芯片企業(yè)Rapidus的2納米工藝的晶體管密度達到237.31MTr，臺積電的2納米工藝則是236.17MTr，由此日本芯片的2納米工藝稍微超過了臺積電；值得注意的是命名18A的Intel新工藝在晶體管密度方面更加落后，僅有184.21MTr。

業(yè)界人士指出從28納米工藝之后，其實幾大芯片制造企業(yè)的先進工藝都相當于等效工藝，他們的工藝提升不再是柵極間距的縮減，畢竟柵極間距縮減到一定程度之后絕緣性能下降，但是芯片制造企業(yè)和芯片企業(yè)都需要營銷噱頭，因此此后的芯片工藝都可以說是等效工藝。

當時臺積電、三星和Intel三大芯片制造企業(yè)之中，Intel對芯片制造工藝的命名較為保守，而臺積電和三星對于芯片工藝命名則激進很多，Intel在14納米工藝之后，新工藝研發(fā)一再延遲，而臺積電、三星則一路從14/16納米到10納米，再到7納米不斷升級，然而業(yè)界人士卻指出臺積電和三星的7納米工藝在晶體管密度方面比Intel的10納米工藝還要低，由此質疑臺積電和三星玩數(shù)字游戲。

Intel眼見著在芯片工藝研發(fā)方面趕不上臺積電和三星，后來也對自己的工藝命名改變了規(guī)則，7納米工藝被命名為Intel 4工藝，4納米工藝被命名為Intel 20A，而Intel 18A工藝不知具體多少了，業(yè)界人士認為18A或是3納米或是2納米。

Intel本來是計劃同時研發(fā)20A、18A工藝的，不過隨著它自身的業(yè)績出現(xiàn)大幅衰退，已無力同時研發(fā)兩種工藝，前CEO基辛格也因為業(yè)績的衰退而在去年底退休，由此Intel決定舍棄了Intel 20A工藝，而全力研發(fā)18A工藝，18A工藝在今年中已試產(chǎn)，預計18A工藝在今年底量產(chǎn)。

然而如今從晶體管密度方面來看，Intel的18A工藝其實已比臺積電的2納米工藝落后太多了，已不可能再與臺積電和三星競爭，全球芯片制造行業(yè)就是臺積電和三星之間的較量。

不過三星從5納米之后其實同樣跟不上臺積電的腳步，三星的5納米工藝在晶體管密度方面比不過臺積電，3納米工藝則在良率、晶體管密度方面都不如臺積電，由此導致三星的3納米工藝幾乎沒有客戶，臺積電從3納米之后就處于一家獨大。

日本的Rapidus為近幾年成立的芯片制造企業(yè)，它一開始就設定了很高的目標，投產(chǎn)的第一代工藝就是2納米，預計最快在明年量產(chǎn)，如果Rapidus能在明年順利量產(chǎn)，將成為臺積電的有力競爭者。

美國芯片行業(yè)當然希望看到Rapidus的崛起，它們目前已深刻感受到臺積電一家獨大帶來的困擾，臺積電獨占芯片代工行業(yè)之后，連年漲價，由此臺積電的業(yè)績不斷飛漲，凈利潤率早已超過40%，凈利潤率水平在全球每幾個企業(yè)可比。

如果日本Rapidus的芯片工藝真的能與臺積電競爭，美國芯片行業(yè)肯定會迅速分出部分訂單給它，以制衡臺積電，畢竟芯片代工價格的飆漲，連當下盈利豐厚的蘋果都難以承受。

不過日本Rapidus的芯片制造工藝是否真的在晶體管密度方面超越臺積電，還得看正式量產(chǎn)后的技術水平，這幾年日本多個行業(yè)都傳出造假的消息，日本芯片已有很多年沒有發(fā)展芯片制造了，此前甚至還以優(yōu)惠條件吸引臺積電赴日本設廠生產(chǎn)10納米呢，從零起步的Rapidus一下子超越臺積電有點讓人難以相信。