山東
IT之家 11 月 1 日消息，SK 海力士韓國當(dāng)?shù)貢r間 10 月 27 日表示，該企業(yè)在 10 月中旬舉行的 2025 OCP 全球峰會上展示了下一代 NAND 閃存產(chǎn)品戰(zhàn)略，并介紹了 AIN Family 產(chǎn)品組合。
"AIN Family" 中的 "AIN" 是 "AI-NAND" 的縮寫，指專為 AI 時代進(jìn)行優(yōu)化的 NAND 閃存產(chǎn)品，包含 AIN P（Performance，性能）、AIN B（Bandwidth，帶寬）、AIN D（Density，容量）三個分支。
其中 AIN P 是一款專為大規(guī)模 AI 推理環(huán)境中海量數(shù)據(jù)的輸入與輸出而打造的高效解決方案。該方案通過最小化 AI 運算與存儲之間的瓶頸，提升處理速度與能效。SK 海力士稱其正在以全新架構(gòu)重新設(shè)計 NAND 閃存與控制器，并計劃于 2026 年底推出樣品。
而 AIN B 是一款通過堆疊 NAND 閃存以擴大帶寬的解決方案產(chǎn)品，采用了名為 HBF 高帶寬閃存 (High Bandwidth Flash) 的技術(shù)。SK 海力士稱其正積極評估多種 AIN B 應(yīng)用方案，包括將其與 HBM 協(xié)同配置以補充容量等多種靈活模式。
至于 AIN D，則是一款旨在以低功耗、低成本實現(xiàn)海量數(shù)據(jù)存儲的高容量解決方案，特別適用于 AI 數(shù)據(jù)的存儲。AIN D 可將存儲容量提升至最高 PB 級，同時兼顧 SSD 的高速性能與 HDD 的經(jīng)濟性，成為一種中間層存儲產(chǎn)品。
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