在今年初舉行的投資者日活動上，閃迪介紹了HBF技術，這是其經(jīng)過帶寬優(yōu)化的NAND產(chǎn)品。閃迪還成立了技術顧問委員會，以指導HBF技術的開發(fā)和戰(zhàn)略。隨后閃迪與SK海力士決定共同制定HBF標準化規(guī)范，為下一代人工智能（AI）推理提供突破性的內存容量和性能，并探索創(chuàng)建高帶寬閃存技術生態(tài)系統(tǒng)。

據(jù)TrendForce報道，過去幾年機械硬盤（HDD）經(jīng)歷了向熱輔助磁記錄（HAMR）技術的艱難過渡，加上作為海量數(shù)據(jù)存儲基石的近線硬盤（Nearline HDD）因數(shù)據(jù)中心存儲設施需求暴增出現(xiàn)供應短缺，使得大容量QLC SSD成為了一種更具成本效益的替代方案。與此同時，HBF也被視為克服AI集群存儲容量瓶頸的關鍵技術，大家都想尋找容量、速度、成本、能效之間更為平衡的存儲產(chǎn)品。

HBM很好，但是也很貴。HBF的設計思路類似于HBM，兩者有著相似之處，都是利用硅通孔（TSV）技術垂直堆疊多個芯片。同時兩者共享了電氣接口，不過適配的介質從DRAM切換至NAND，相當于高帶寬NAND閃存。不過由于協(xié)議略有變化，所以不完全兼容。HBF實現(xiàn)了8層到16層堆疊，可以部分替換HBM，通過邏輯芯片和中介層連接到GPU/CPU/TPU，從而提供HBF+HBM的自定義組合產(chǎn)品。

閃迪和SK海力士的目標是2026年下半年發(fā)布HBF樣品，預計首批搭載HBF產(chǎn)品的AI推理系統(tǒng)會在2027年初亮相。另外一家存儲器巨頭三星也在行動，已經(jīng)開始對自己的HBF產(chǎn)品進行早期概念設計工作，不過暫時還沒有提供時間表。

有業(yè)內專業(yè)人士表示，HBF將與HBM 一起成為主要的下一代存儲技術，推動半導體制造商的增長。未來AI架構將采用多層級存儲體系，其中GPU將以互補配置整合HBM與HBF，標志著AI計算和內存融合新時代的到來。