DoNews12月9日消息，據(jù)觀察者網(wǎng)報(bào)道，韓國科技媒體Etnews援引業(yè)內(nèi)人士消息爆料稱，SK海力士正與東進(jìn)世美肯（Dongjin Semichem）合作，著手開發(fā)高性能EUV光刻膠，旨在實(shí)現(xiàn)這一半導(dǎo)體核心材料的國產(chǎn)化供應(yīng)并降低對(duì)日本的依賴。

一位熟悉該事務(wù)的相關(guān)人士表示：“（SK海力士）需要性能優(yōu)于日本產(chǎn)品的材料”，并稱“據(jù)我了解，他們特別要求改善光刻膠的光敏性（Sensitivity），以提高生產(chǎn)效率�！�

針對(duì)有關(guān)消息，SK海力士相關(guān)人士并未予以否認(rèn)。SK海力士方面表示：“具體的開發(fā)內(nèi)容無法公開”，但補(bǔ)充道，“公司正在與包括材料商在內(nèi)的多家企業(yè)持續(xù)合作，以改善生產(chǎn)效率。”

據(jù)介紹，光刻膠是光刻工藝中使用的材料。當(dāng)向晶圓照射光線（曝光）以刻印半導(dǎo)體微細(xì)電路時(shí)，在晶圓表面對(duì)光產(chǎn)生反應(yīng)的物質(zhì)就是光刻膠。而提高光刻膠的感光度可以縮短曝光時(shí)間，所以能在更短時(shí)間內(nèi)刻印微細(xì)電路，也就意味著生產(chǎn)效率的提高。

此外，隨著DRAM中EUV光刻層數(shù)的增加，光刻膠開發(fā)的必要性也隨之增大。各代產(chǎn)品的EUV層數(shù)分別為：10納米級(jí)第4代（1a）1層，第5代（1b）3層，第6代（1c）5層，第7代（1d）7層。業(yè)界普遍預(yù)計(jì)，EUV技術(shù)在10納米以下的產(chǎn)品中還會(huì)進(jìn)一步增加。

但目前為止，包括JSR、信越化學(xué)、東京應(yīng)化TOK等日本供應(yīng)商占據(jù)了高端光刻膠市場的大部分份額，尤其是在7nm以下的先進(jìn)制程市場，包括海力士、三星在內(nèi)的韓企長期以來高度依賴日本供應(yīng)商。但在2019年，因韓日兩國的貿(mào)易爭端，日本一度宣布對(duì)包括光刻膠在內(nèi)的關(guān)鍵芯片制造材料實(shí)施出口限制，導(dǎo)致韓國的芯片企業(yè)生產(chǎn)“脫軌”。此后，韓國業(yè)界一直致力于推動(dòng)芯片供應(yīng)鏈的國產(chǎn)化，降低對(duì)日本的依賴。

據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，韓國對(duì)日本光刻膠進(jìn)口的依賴度已從2018年的93.2%下降至2024年的65.4%。同期，從日本進(jìn)口的高純度氟化氫下降了62.5%，金額從1.6億美元降至6000萬美元。

此前，SK海力士曾在2023年通過子公司SK Materials Performance實(shí)現(xiàn)了部分EUV光刻膠國產(chǎn)化，但僅限于低規(guī)格產(chǎn)品。此次SK海力士與東進(jìn)世美肯的合作，野心更大——他們不僅想做日本產(chǎn)品的國產(chǎn)化替代，更意圖開發(fā)出優(yōu)于日本競品的材料。

然而，韓國要在尖端半導(dǎo)體工藝中實(shí)現(xiàn)自給自足仍然面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。據(jù)介紹，EUV光刻膠的技術(shù)復(fù)雜性遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的ArF光刻膠。雖然韓國在ArF光刻膠方面取得了進(jìn)展，該材料主要用于10到130納米的成熟制造工藝。然而，在用于7nm及以下先進(jìn)制程的極紫外（EUV）光刻膠領(lǐng)域，韓國仍然落后。

Etnews也分析稱，材料開發(fā)需要相當(dāng)長的時(shí)間，加上EUV光刻膠的準(zhǔn)入門檻很高，目前很難預(yù)測SK海力士和東進(jìn)世美肯的合作會(huì)產(chǎn)生什么樣的結(jié)果。除了研發(fā)本身需要極大的投入，目前EUV光刻膠市場絕大多數(shù)份額由日本企業(yè)掌控。這些巨頭積累了數(shù)十年的專利壁壘和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，新進(jìn)入者很難繞開其專利網(wǎng)，同時(shí)也面臨巨大的價(jià)格戰(zhàn)壓力。