本文由半導體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

SK海力士正在考慮提前啟動新的EUV生產(chǎn)線，并與ASML保持緊密協(xié)商，以加快設(shè)備交付速度。

據(jù)報道，SK海力士計劃在未來兩年內(nèi)新購置約20臺ASML 的EUV光刻系統(tǒng)?？紤]到SK海力士目前持有約20臺用于研發(fā)和生產(chǎn)的EUV機臺，這意味著這家存儲巨頭對此類設(shè)備的保有規(guī)模將在兩年內(nèi)翻倍。

EUV設(shè)備價格極其高昂，每臺價值在3000億至5000億韓元之間，且全球僅荷蘭ASML一家能夠生產(chǎn)。按單價計算，SK海力士此次投資規(guī)模預計至少在6萬億韓元以上。這些設(shè)備將被陸續(xù)引進并分布安裝在清州M15X工廠和利川M16工廠。M15X計劃在今年底投產(chǎn)，將率先配置EUV設(shè)備；M16則會根據(jù)工藝轉(zhuǎn)換（Tech Migration）的路線圖逐步引入。

一位熟悉情況的業(yè)內(nèi)人士透露：“SK海力士正在考慮提前啟動新的EUV生產(chǎn)線，并與ASML保持緊密協(xié)商，以加快設(shè)備交付速度?！?/p>

在SK海力士的兩大業(yè)務(wù)領(lǐng)域中，內(nèi)存端的EUV光刻工藝早已隨著2021年的1a nm DRAM實現(xiàn)商業(yè)化，EUV的應(yīng)用規(guī)模也在隨著內(nèi)存世代演進穩(wěn)步提升。而由于AI發(fā)展對企業(yè)級高性能存儲尤其是HBM需求的提升，SK海力士需要更多的EUV設(shè)備來擴大先進DRAM內(nèi)存的生產(chǎn)規(guī)模。

除目前主要應(yīng)用的Low-NA EUV光刻機，SK海力士本月早些時候還在存儲器業(yè)界引進了首臺量產(chǎn)型High-NA EUV光刻機，即ASML的 TWINSCAN EXE:5200B，部署在韓國利川M16生產(chǎn)基地中。

SK 海力士引入首臺量產(chǎn)型High NA EUV光刻機

今年9月SK海力士宣布，已將業(yè)界首款量產(chǎn)型高數(shù)值孔徑極紫外光刻機（High NA EUV）引進韓國利川M16工廠。

此次引進的設(shè)備為荷蘭ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B，它是首款量產(chǎn)型High-NA EUV設(shè)備。與現(xiàn)有的EUV設(shè)備（NA 0.33）相比，其光學性能（NA 0.55）提升了40%，這一改進使其能夠制作出精密度高達1.7倍的電路圖案，并將集成度提升2.9倍。

SK海力士計劃通過引進該設(shè)備，簡化現(xiàn)有的EUV工藝，并加快下一代半導體存儲器的研發(fā)進程，從而確保在產(chǎn)品性能和成本方面的競爭力。SK海力士表示：“在全球半導體市場競爭愈發(fā)激烈的背景下，公司已成功構(gòu)建起快速研發(fā)并供應(yīng)高端產(chǎn)品以滿足客戶需求的堅實基礎(chǔ)。通過與合作伙伴的密切協(xié)作，公司將進一步提升全球半導體供應(yīng)鏈的可靠性和穩(wěn)定性?！?/p>

ASML韓國公司總經(jīng)理金丙燦社長表示：“High NA EUV是開啟半導體產(chǎn)業(yè)未來的核心技術(shù)。我們將與SK海力士緊密合作，積極推動下一代半導體存儲器技術(shù)的創(chuàng)新進程?！?/p>

SK海力士未來技術(shù)研究院長兼技術(shù)總管車宣龍副社長表示：“通過此次設(shè)備引進，SK海力士為實現(xiàn)公司未來技術(shù)發(fā)展愿景奠定了核心基礎(chǔ)設(shè)施。公司將以最先進技術(shù)，為快速增長的AI和新一代計算市場開發(fā)所需高端存儲器，引領(lǐng)面向AI的存儲器市場。”

SK海力士成功完成HBM4開發(fā)

9月12日，SK海力士宣布已成功完成面向AI的超高性能存儲器新產(chǎn)品HBM4的開發(fā)，實現(xiàn)了全球最高水平的數(shù)據(jù)處理速度和能效，并在全球首次構(gòu)建了量產(chǎn)體系。

據(jù)SK海力士介紹，相比前一代產(chǎn)品（HBM3E），新一代HBM4的數(shù)據(jù)傳輸通道（I/O）從1024條提升至2048條，帶寬較之擴大一倍，與此同時，其HBM4實現(xiàn)了高達10Gbps（每秒10千兆比特）以上的運行速度，這大幅超越JEDEC標準規(guī)定的8Gbps（每秒8千兆比特）；另外，該產(chǎn)品能效提升40%。這意味著，其HBM4不僅在單位時間內(nèi)處理的數(shù)據(jù)量有了巨大提升，還可降低數(shù)據(jù)中心電力成本。

SK海力士預測，將該產(chǎn)品引入客戶系統(tǒng)后，AI服務(wù)性能最高可提升69%。這能讓AI訓練和推理更快、更高效。

SK海力士在HBM4的開發(fā)過程中采用了自研的MR-MUF封裝技術(shù)和第五代10納米級（1b）DRAM工藝，MR-MUF工藝指在堆疊半導體芯片后，通過向芯片間隙注入液態(tài)保護材料并固化的方式保護層間電路，相較逐層堆疊芯片時鋪設(shè)薄膜材料的傳統(tǒng)方式，該工藝效率更高且散熱效果優(yōu)異。

SK海力士AI Infra部門總裁兼首席營銷官金柱善（Kim Ju Seon）表示：“HBM4是突破AI基礎(chǔ)設(shè)施局限性的標志性轉(zhuǎn)折點，SK海力士將通過及時供應(yīng)AI時代所需的最高品質(zhì)和多樣化性能內(nèi)存，成長為一家全棧式AI內(nèi)存提供商。”

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