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存儲芯片“超級周期”
據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》，三星、SK 海力士等主要供應(yīng)鏈已通知客戶，將在 2025 年第四季度把 DRAM 和 NAND 閃存的價格上調(diào)最多 30%。
三星、SK 海力士以順應(yīng) AI 驅(qū)動的需求激增，且此漲幅略高于預(yù)期 ——9 月三星計劃 DRAM 漲 15%-30%、NAND 漲 5%-10%，而當(dāng)前花旗、摩根士丹利預(yù)測第四季度 DRAM 均價漲 25%-26%，環(huán)比超 10%。
市場共識下，存儲芯片加速邁入 “超級周期”。威剛董事長稱第四季度是存儲缺貨起點，明年供貨仍緊，這也引發(fā)國際電子和服務(wù)器公司囤貨，并與三星、SK 海力士洽談 2-3 年長期供應(yīng)協(xié)議，打破以往短約傳統(tǒng)。
此輪 “超級周期” 源于 AI 和高性能計算需求爆發(fā)。美光高管指出 HBM 需求激增推動 DRAM 漲價，其晶圓消耗是標(biāo)準(zhǔn) DRAM 三倍多；摩根士丹利預(yù)測今年谷歌、亞馬遜等科技巨頭 AI 基建投入達 4000 億美元。為此，三星加速研發(fā) HBM4 并計劃近期發(fā)布、年底量產(chǎn)，佰維存儲也推進封測項目及產(chǎn)能擴建。
價格方面，TrendForce 預(yù)測 2025 年 HBM 均價同比漲 20.8% 至 1.80 美元 / Gb，機構(gòu)預(yù)計明年 12 層 HBM4 單價達 500 美元，比同規(guī)格 HBM3e 高 60% 以上。且 AI 投資轉(zhuǎn)向推理后，DRAM 需求或進一步增長，韓國 KB 證券預(yù)計明年非 HBM 內(nèi)存盈利能力可能超 HBM。
展望未來，上海證券看好本輪存儲大周期，認(rèn)為 AI 需求及海外原廠產(chǎn)能限制將使 2025 年第四季度存儲漲價持續(xù)；華邦電董事長則持保守態(tài)度，指出當(dāng)前 DRAM 供需不平衡，或存在實際需求不及預(yù)期情況，但目前仍供不應(yīng)求致價格狂飆。
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點擊報名：！（11月5日-7日）
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