近來(lái)有關(guān)英特爾18A（1.8nm）工藝的消息不斷。據(jù)媒體報(bào)道，英特爾正在考慮對(duì)其晶圓代工策略進(jìn)行調(diào)整，停止向新客戶(hù)推銷(xiāo)18A，改為集中資源發(fā)展下一代14A工藝，以“跳級(jí)”的方式，追趕臺(tái)積電更先進(jìn)的工藝。相關(guān)策略最快會(huì)在7月的董事會(huì)上討論。

英特爾18A在良率近期取得進(jìn)展，從上一季度的50%提升至55%，高于三星的2nm工藝（約為40%）的良率水平，但仍低于臺(tái)積電2nm工藝（約65%）的水平。這使英特爾內(nèi)部擔(dān)心其對(duì)新客戶(hù)的吸引力不足，因而考慮對(duì)新的代工客戶(hù)跳過(guò)18A制造工藝，將更多資源集中在下一代芯片制造工藝14A上。英特爾預(yù)計(jì)該工藝將比臺(tái)積電更具優(yōu)勢(shì)。

但是不得不說(shuō)，這樣的做法與晶圓代工廠的思維是不相符的。晶圓代工行業(yè)的核心宗旨是“以用戶(hù)為中心”。用戶(hù)需要什么樣的工藝，代工廠就提供什么。一家良性運(yùn)轉(zhuǎn)的晶圓代工廠，旗下的工藝平臺(tái)可能不是最先進(jìn)的，但一定要是最貼近用戶(hù)需求的。其應(yīng)當(dāng)擁有豐富的工藝平臺(tái)，例如先進(jìn)邏輯工藝、特色工藝、定制化工藝等；可以提供設(shè)計(jì)與技術(shù)協(xié)同服務(wù)，如工藝設(shè)計(jì)套件，PDK 需支持主流EDA工具等；擁有豐富的IP庫(kù)；可以提供設(shè)計(jì)咨詢(xún)和技術(shù)支持，解決客戶(hù)在設(shè)計(jì)階段遇到的工藝相關(guān)問(wèn)題等。

當(dāng)然，對(duì)一家晶圓代工廠來(lái)說(shuō)，良率依然是最核心的要素。達(dá)不到一定程度的良率水平，業(yè)界的量產(chǎn)線一般為70%，客戶(hù)很難對(duì)其放心選擇。而跳級(jí)追趕先進(jìn)工藝，似乎是在工藝節(jié)點(diǎn)超前了一步，但實(shí)際結(jié)果卻存在很多不確定性，最直接的表現(xiàn)就是良率不達(dá)標(biāo)。

對(duì)英特爾而言，18A同時(shí)引入了 RibbonFET晶體管架構(gòu)（取代FinFET）和PowerVia背面供電技術(shù)。這兩者均屬顛覆性創(chuàng)新。雖然目前18A的良率從10%升至55%，但仍落后于臺(tái)積電N2的65%。未來(lái)，14A量產(chǎn)的時(shí)候，問(wèn)題復(fù)雜度可能更高。暫緩承接18A的外部訂單，僅服務(wù)英特爾內(nèi)部產(chǎn)品，而將外部代工押注于下一代14A工藝，一方面有可能錯(cuò)失當(dāng)前高端市場(chǎng)窗口，目前的規(guī)劃是2027年量產(chǎn)；另一方面，也會(huì)滯后英特爾的生態(tài)建設(shè)，進(jìn)一步降低外部設(shè)計(jì)公司對(duì)其的適配意愿。

其實(shí)，類(lèi)似跳級(jí)追趕的做法以前三星也有過(guò)嘗試。這些年來(lái)，三星在7nm、5nm、3nm工藝上幾乎都要提前臺(tái)積電半年到1年推出。為此不惜在良率不高、用戶(hù)不足的情況下開(kāi)啟新進(jìn)程。但受限于技術(shù)如晶體管密度，以及良率問(wèn)題，在與臺(tái)積電的比拼中，三星始終落于下風(fēng)。蘋(píng)果、英偉達(dá)、AMD、高通、聯(lián)發(fā)科大都最終選擇在臺(tái)積電投片。

反觀臺(tái)積電，它也并不是一開(kāi)始就占據(jù)全球最先進(jìn)工藝寶座。2010年代以前，在工藝制程上，臺(tái)積電是落后于英特爾等IDM大廠的。但臺(tái)積電并沒(méi)有選擇跳級(jí)追趕的做法，而是一個(gè)一個(gè)工藝結(jié)點(diǎn)向前推進(jìn)，把工藝平臺(tái)做扎實(shí)。

對(duì)于設(shè)計(jì)用戶(hù)來(lái)說(shuō)，始終只有少數(shù)選擇最先進(jìn)的工藝平臺(tái)，AMD、博通等公司對(duì)3nm、5nm、6nm同樣有著大量需求。全球代工市場(chǎng)對(duì)成熟工藝的需求同樣巨大。從這一點(diǎn)來(lái)看，以“跳級(jí)”方式追趕臺(tái)積電更先進(jìn)的工藝，并不一定是最佳策略。英特爾如果想要深入代工這個(gè)行業(yè)，把工藝平臺(tái)做深做透才是最佳方案。