近日，西海岸新區(qū)致真磁存儲項目一期詳情披露，項目由青島海存微電子有限公司建設(shè)，一期總投資6億，施工工期12個月。

青島海存微電子有限公司成立于2023年8月，由青島西海產(chǎn)業(yè)投資集團有限公司與致真存儲（北京）科技有限公司合資組建，擬于西海岸新區(qū)珠海街道辦事處開城路南、海西路西，使用青島致真智能制造有限公司（青島西海產(chǎn)業(yè)投資集團有限公司旗下企業(yè)）廠房及相關(guān)配套設(shè)施，投資83192萬元建設(shè)致真磁存儲項目。

項目總占地面積33692m2，總建筑面積57776.77m2，主要建設(shè)內(nèi)容包括1座8寸廠房(3F）、1座12寸廠房（3F）、1座動力站（地上3F，地下1F）、1座甲類庫（1F）、1座丙類庫（3F）、1座研發(fā)樓（5F）、1座氣站1（1F）、1座氣站2（1F）、1座倒班宿舍（6F）、1座消防廢水池（地下）、1個柴油罐區(qū)（地下）、1個地下車庫（地下1F）、1座門衛(wèi)值班室（1F）等。

項目分兩期建設(shè)，其中一期項目總建筑面積33402.22m2(其中地上建筑面積30644.68m2,地下建筑面積2757.54m2），主要建設(shè)內(nèi)容包括1座8寸廠房（3F）、1座動力站（地上3F，地下1F）、1座甲類庫（1F）、1座研發(fā)樓（5F）、1座氣站2（1F）、1座消防廢水池（地下）、1個柴油罐區(qū)（地下）、1座門衛(wèi)值班室（1F）等。一期建成后主要進行磁存儲芯片生產(chǎn)，年可生產(chǎn)1.2萬片8英寸SOT-MRAM芯片，投資6億元。勞動定員180人，日工作12小時，年工作260天。

二期項目總建筑面積24674.55m2（其中地上建筑面積21969.20m2，地下建筑面積2705.39m2），主要建設(shè)內(nèi)容包括1座12寸廠房（3F）、1座氣站1(1F）、1座倒班宿舍（6F）、1個地下車庫（地下1F）等。

項目位于青島市西海岸新區(qū)珠海街道辦事處開城路南海西路西，項目東鄰空地，隔空地為海西二路；南臨寨子山路，隔路為寨子山；西臨海西三路，隔路為專家站公寓樓（項目與公寓樓最近距離為30m）；北鄰青島融發(fā)高端材料產(chǎn)業(yè)園。

聲明：上述內(nèi)容疏漏難免，僅供有限參考，不支持以論據(jù)使用

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