SK海力士首發(fā)High-K散熱DRAM

據(jù)相關(guān)媒體報道，SK海力士已成功開發(fā)出業(yè)界首款采用“High-K EMC”材料的高效散熱移動DRAM，并已開始向客戶供貨。

EMC（環(huán)氧模封料，Epoxy Molding Compound）是半導體后道工藝中的關(guān)鍵封裝材料，用于保護芯片免受濕氣、熱量、沖擊和靜電等外部環(huán)境影響，并起到散熱作用。所謂High-K EMC，是指通過采用具有更高熱導系數(shù)（K值）的材料提升整體熱導率（Thermal conductivity），從而顯著增強散熱性能。

SK海力士表示，隨著端側(cè)AI（On-Device AI）對高速數(shù)據(jù)處理需求的增加，發(fā)熱問題已成為影響智能手機性能的主要瓶頸。該新款DRAM產(chǎn)品有效應對了高性能旗艦機型的散熱挑戰(zhàn)，已獲得全球客戶的高度認可。

散熱性能的提升不僅有助于維持智能手機的高性能運行，還可通過降低功耗延長電池續(xù)航與設(shè)備壽命。

三星新品發(fā)布會官宣

8月28日，三星官方宣布將于2025年9月4日17:30舉行三星Galaxy新品線上發(fā)布會，跟華為三折疊屏的發(fā)布時間是同一天。據(jù)報道，三星將在9月4日推出Galaxy Tab S11系列平板和Galaxy S25 FE手機，發(fā)布會主題是“Galaxy AI”。

爆料信息顯示，Galaxy Tab S11系列包含Galaxy Tab S11和Galaxy Tab S11 Ultra兩款，前者配備11英寸顯示屏，后者配備14.6英寸顯示屏，搭載聯(lián)發(fā)科天璣9400旗艦平臺，電池容量最高為11600mAh，支持45W有線閃充。

另外，定位次旗艦的三星Galaxy S25 FE也將同臺亮相，該機配備三攝系統(tǒng)，包含一顆5000萬主攝、1200萬超廣角以及800萬長焦，支持3倍光學變焦，并采用6.7英寸屏幕，搭載自家的Exynos 2400處理器，電池是4900mAh。

英特爾下代Arrow Lake-S Refresh、下下代28核Nova Lake-S現(xiàn)身

近日，英特爾下一代Arrow Lake-S Refresh，和下下代28核Nova Lake-S桌面CPU出現(xiàn)在NBD的發(fā)貨清單中。

Arrow Lake-S Refresh是英特爾即將推出的桌面CPU系列，預計將通過改進的頻率和成熟的工藝技術(shù)提供更好的性能。Arrow Lake-S Refresh最初的計劃包括升級NPU，但這一計劃已被取消，用戶只能期待LGA 1851插槽上的頻率提升。LGA 1851插槽將僅支持Arrow Lake-S及其Refresh版本，因為再下一代Nova Lake將采用全新的架構(gòu)。

Nova Lake-S將采用Coyote Cove P-Cores和Arctic Wolf E-Cores，提供52核的雙計算芯片和28核的單計算芯片配置。NBD確認了Nova Lake-S桌面CPU的28核版本，該版本將采用8個P-Core、16個E-Core和4個LP-E核心的配置。

該CPU還將至少配備4個Xe3集成顯卡核心，目前還沒有關(guān)于頻率、TDP或工藝技術(shù)的詳細信息。值得注意的是，這些28核CPU芯片也將用于Nova Lake-HX系列。

此外，英特爾的Nova Lake-S桌面CPU已經(jīng)進入預認證樣品階段。

真我打造行業(yè)第一款內(nèi)置空調(diào)的手機

今天是真我手機7周年活動，官方發(fā)布了一款內(nèi)置空調(diào)的手機。據(jù)悉，這款手機基于真我GT7 Pro競速版魔改，增加了主動散熱系統(tǒng)。最關(guān)鍵的是，真我不光是打造了風冷散熱，還加入了TEC制冷元件，也就是市面上那些散熱背夾上的半導體制冷技術(shù)。搭配上7700mm2超大單體VC和內(nèi)置散熱風扇，一鍵至高降低手機溫度6°C。

官方直言，這是全球唯一散熱系統(tǒng)三合一的智能手機。

此外，該機背板還添加冰感變色工藝，可以隨著溫度變化顏色，≤38℃時呈現(xiàn)深藍色，≥45℃則是淺藍色。

不過目前這款手機還只是工程機，并沒有量產(chǎn)上市的計劃。

閃迪推出WD藍盤SN5100 SSD

近日，閃迪推出WD Blue SN5100 SSD，這是去年發(fā)布的WD Blue SN5000的繼任者。最新的SN5100仍然是PCIe 4.0，閃迪表示，其更新的硬件相比前代產(chǎn)品提供了高達30%的性能提升。

SN5000采用的是112層BiCS5 TLC NAND（4TB型號為162層BiCS6 QLC NAND），而SN5100則全面采用QLC NAND，具體為Kioxia的BiCS8 QLC NAND。

SN5100還采用了閃迪最新nCache 4.0技術(shù)，nCache 4.0能夠在SLC塊中高速寫入數(shù)據(jù)，然后在空閑期間將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到QLC。SN5100還采用了流行的M.2 2280外形尺寸和單面設(shè)計，將繼續(xù)為消費者提供四種容量的SN5100：500GB、1TB、2TB和4TB。

性能方面，SN5100在1TB和2TB型號上分別提供7100 MB/s的順序讀取速度和6700 MB/s的順序?qū)懭胨俣?，其他容量的性能略低。與SN5000相比，SN5100的順序讀取速度提高了29%，順序?qū)懭胨俣忍岣吡?4%。隨機讀取和寫入速度分別是100萬和130萬IOPS，與SN5000相比，隨機讀取速度提高了37%，隨機寫入速度提高了44%。

耐用性方面，SN5100的耐久性與SN5000相比沒有提升，500GB型號耐久性為300TBW，1TB型號為600TBW，2TB型號為900TBW，4TB型號為1200TBW。

價格方面，SN5100的500GB和1TB型號分別售價54.99美元（約393元人民幣）和79.99美元（約572元人民幣），相比SN5000的500GB和1TB型號分別上漲了22%和23%。SN5100的2TB和4TB型號分別售價149.99美元（約1072元人民幣）和299.99美元（約393元人民幣），與SN5000相比，2TB型號價格上漲了27%，4TB型號價格上漲了36%。

小米16全系被曝標配100W充電

據(jù)數(shù)碼博主的爆料，小米16系列三款機型全部配備100W快充，上一代小米15系列則是標配90W快充。

綜合多方消息，小米16系列將在9月發(fā)布，并在整個9月獨占高通驍龍8 Elite 2。驍龍8 Elite 2基于臺積電第三代3nm制程制造，采用第二代自研Oryon CPU架構(gòu)，GPU獨立緩存提升至16MB，GeekBench 6單核理論性能設(shè)定在4000+，多核成績11000+。

和往年一樣，小米16、小米16 Pro兩款機型先行發(fā)布，屏幕分別為1.5K分辨率、2K分辨率。屏幕規(guī)格會略有變化，采用全新的R角方案，而且是寬屏比，整體看起來會更加舒適。

系統(tǒng)方面，小米16系列將首發(fā)預裝澎湃OS 3正式版。新系統(tǒng)將在明天正式發(fā)布，Slogan為“事事順心”，將“順”作為系統(tǒng)核心目標。

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