【CNMO科技消息】近日，華為公開了兩項(xiàng)發(fā)明專利，分別為“導(dǎo)熱組合物及其制備方法和應(yīng)用”和“一種導(dǎo)熱吸熱組合物及其應(yīng)用”。其中，前者應(yīng)用領(lǐng)域包括電子元器件的散熱和封裝芯片（基板、散熱蓋），后者應(yīng)用領(lǐng)域包括電子元器件、電路板。

華為

第一項(xiàng)專利摘要顯示，該專利提供了一種導(dǎo)熱組合物及其制備方法和應(yīng)用。該導(dǎo)熱組合物包括基體材料和導(dǎo)熱填料；導(dǎo)熱填料包括大粒徑填科和小粒徑填料，所述大粒徑填料與小粒徑填料的平均粒徑的比值在3以上，所述大粒徑填料至少包括平均球形度在0.8以上的碳化硅填料。

該導(dǎo)熱組合物的大粒徑填料包括球形度在0.8以上的碳化硅填料，可使得含這樣的導(dǎo)熱填料的導(dǎo)熱組合物的流動(dòng)性較高，且導(dǎo)熱性能優(yōu)良，便于滿足電子設(shè)備領(lǐng)域?qū)C合性能優(yōu)異的導(dǎo)熱材料的需求。

第二項(xiàng)專利摘要顯示，該專利提供了一種導(dǎo)熱吸波組合物及其應(yīng)用。該組合物包括包括有機(jī)基體、導(dǎo)熱填料和吸波填料：導(dǎo)熱填料包括大粒徑導(dǎo)熱粒子和小粒徑導(dǎo)熱粒子，大粒徑導(dǎo)熱粒子包括高球形度高純碳化硅填料；其中，高球形度高純碳化硅填料的球形度在0.8以上，碳化硅的質(zhì)量含量大于或等于99.0%；吸波填料包括球形叛基鐵和片狀叛基鐵。

該組合物中大粒徑導(dǎo)熱粒子包括上述碳化硅填料，使得該組合物的流動(dòng)性及導(dǎo)熱性能好，再加上該碳化硅填料與球形叛基鐵、片狀基鐵的協(xié)同配合，還可使得該組合物的吸波性能良好，能滿足電子設(shè)備領(lǐng)域?qū)C合性能優(yōu)異的導(dǎo)熱和/或吸波功能材料的需求。