TrendForce援引《工商時(shí)報(bào)》的消息稱，英特爾已在亞利桑那州啟動(dòng)18A工藝的生產(chǎn)，并于第三季度開(kāi)始向美國(guó)客戶有限量出貨，18A晶圓已經(jīng)投產(chǎn)，英特爾首批自家CPU預(yù)計(jì)在第四季度問(wèn)世。

英特爾將在10月9日的技術(shù)巡展期間首次公開(kāi)展示旗下首款自主研發(fā)的18A處理器——Panther Lake。《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》指出，Panther Lake AI PC芯片預(yù)計(jì)年底前可發(fā)貨，18A制程將支持英特爾接下來(lái)三代CPU產(chǎn)品線。

英特爾成為全球首家將背面供電技術(shù)推向市場(chǎng)的代工廠商，其亞利桑那工廠也成為美國(guó)首個(gè)實(shí)現(xiàn)2納米級(jí)量產(chǎn)的生產(chǎn)基地。亞利桑那擴(kuò)建項(xiàng)目包括Fab 52和Fab 62，投資總額高達(dá)320億美元，自2021年啟動(dòng)。Fab 52單廠年底前月產(chǎn)能預(yù)計(jì)可達(dá)1000至5000片晶圓，2026年進(jìn)一步提升至15000片，最終設(shè)計(jì)產(chǎn)能目標(biāo)為30000片。業(yè)內(nèi)人士稱，隨著美國(guó)相關(guān)“芯片關(guān)稅政策”的推進(jìn)，英特爾亞利桑那工廠逐漸成為芯片制造商的關(guān)鍵選擇方案。

雖然18A制程在晶體管密度方面尚有提升空間，但其背面供電顯著減少布線擁堵并提升主頻性能，受到全球科技巨頭關(guān)注。英特爾表示，18A是自2011年將FinFET引入大規(guī)模量產(chǎn)以來(lái)最大的晶體管創(chuàng)新，結(jié)合了全新PowerVia背面供電和RibbonFET全環(huán)繞柵極（GAA）技術(shù)，大幅提升每瓦性能和芯片密度。相比前代工藝，18A據(jù)稱可提升15%的單位性能并增加30%的芯片密度。

英特爾服務(wù)器CPU“Clearwater Forest”也將采用18A工藝，預(yù)計(jì)于2026年上半年上市，同期公司還將推出下一代Foveros Direct 3D先進(jìn)封裝技術(shù)。在先進(jìn)封裝方面，英特爾押注于兩大技術(shù)路線：Foveros（三維堆疊）和EMIB（嵌入式多芯片互連橋）。EMIB通過(guò)在芯片邊緣嵌入硅橋?qū)崿F(xiàn)互連，相較于大面積的CoWoS方案在靈活性和成本上具有明顯優(yōu)勢(shì)。