封鎖重重，自主破局

美國對華芯片制裁從2018年就開始了，那時候中興通訊被卡住脖子，出口禁令一出，整個供應(yīng)鏈都晃蕩起來。商務(wù)部在那年4月直接下手，七年禁令，零部件和軟件全堵死，中國企業(yè)一下子就得從零琢磨替代路子。

轉(zhuǎn)眼到2019年5月，華為也中招，實(shí)體清單上名列前茅，先進(jìn)芯片和工具供應(yīng)鏈條瞬間斷裂。這不光是丟了貨源，還逼著大家從頭審視自家技術(shù)底子。結(jié)果呢，中國半導(dǎo)體投資規(guī)模蹭蹭往上竄，2018年才幾百億，到了2024年就破數(shù)千億，國家集成電路基金二期、三期接力上陣，錢砸下去，工廠建起來，研發(fā)團(tuán)隊加班加點(diǎn)。

其實(shí)，這制裁來得猛，但中國企業(yè)也沒坐以待斃。中芯國際、上海的那些生產(chǎn)線，硬是靠著早年從ASML買的舊DUV設(shè)備，搞出多重曝光和自對準(zhǔn)圖案化，2022年7nm節(jié)點(diǎn)就量產(chǎn)了。TechInsights后來拆解分析，說這在沒EUV光刻機(jī)的情況下，全球就中芯和臺積電早期干過，純屬不可能完成的任務(wù)變可能。

2020年8月，美國禁令再升級，計算芯片和制造設(shè)備全管，ASML的EUV徹底跟中國絕緣?？芍袊@邊，長江存儲在武漢三期廠，2023年10月就把232層3D NAND推上量產(chǎn)線，存儲密度15.8Gb/mm2，國際上都服氣。合肥長鑫存儲也沒落后，19nm LPDDR5內(nèi)存2024年就批量出貨，雖然韓國三星早幾年14nm，但中國產(chǎn)能追得飛快。

再看產(chǎn)業(yè)鏈，刻蝕機(jī)、清洗機(jī)、封裝這些環(huán)節(jié)，中國企業(yè)中微半導(dǎo)體、盛美半導(dǎo)體、通富微電、長電科技，全都上手自主研發(fā)。國產(chǎn)設(shè)備滲透率到2024年底，存儲器領(lǐng)域38%，成本直降30%。

28nm成熟節(jié)點(diǎn)芯片，良率高，價格掉15%到20%，不光喂飽國內(nèi)市場，還擠進(jìn)國際份額，本來只占全球存儲5%，但技術(shù)水平已經(jīng)跟韓國平起平坐。WIPO專利數(shù)據(jù)擺在那，長江存儲3D NAND專利1542項，比三星的1329項多出一截。功率半導(dǎo)體、高性能傳感器，這些領(lǐng)域，中國得分也拉開差距，電動車、智能設(shè)備需求一旺，研發(fā)投入就跟上。

美國這手，表面看是卡脖子，實(shí)際倒逼中國自力更生。2021年基金二期2000億砸下去，2024年5月三期3440億跟進(jìn)，材料設(shè)備全覆蓋。韓國三星、海力士呢，雖然全球存儲市場占63%，但他們IDM模式再牛，也得靠進(jìn)口美日設(shè)備，供應(yīng)鏈被動得很。

中國這邊，自主化一推進(jìn)，成本優(yōu)化，市場沖擊力就出來了。說白了，制裁沒壓垮，反而讓中國芯片從被動挨打，變成主動出擊，基礎(chǔ)打牢了，后續(xù)發(fā)展就順溜多了。

技術(shù)追趕，悄然領(lǐng)先

2025年2月23日，韓國科技評估與規(guī)劃研究院那份報告一出，韓媒炸鍋了。39位專家問卷，數(shù)據(jù)到2024年底，全球頂尖技術(shù)設(shè)100分，中國在存儲、功率半導(dǎo)體、傳感器、AI芯片全線超韓國，只有先進(jìn)封裝打平74.2%。

首爾經(jīng)濟(jì)報、YTN電視臺跟進(jìn)報道，高集成低阻抗存儲，中國94.1%對韓國90.9%；功率半導(dǎo)體79.8%對67.5%；傳感器83.9%對81.3%；AI芯片88.3%對84.1%。這兩年變化太快，兩年前韓國專家還覺得自家高集成存儲領(lǐng)先20%，現(xiàn)在全翻盤。

拿存儲來說，長江存儲的232層閃存，堆疊密度全球頂尖，三星176層商用幾年了，236層還實(shí)驗室階段，海力士238層剛起步，但雙堆棧技術(shù)落后中國速度。專利上，中國領(lǐng)先，迭代節(jié)奏每季度多20%申請。

內(nèi)存雖中國19nm稍遜三星14nm，但產(chǎn)能和市場占領(lǐng)，韓國靠量大，中國靠性價比。功率半導(dǎo)體，中國優(yōu)化低功耗，擊穿電壓升15%，韓國漏電流高5%。傳感器響應(yīng)時間中國納秒級，MEMS工藝專利多。AI芯片，能效比高10%，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化快。

報告點(diǎn)明，美國制裁卡EUV，中國用DUV多重曝光破7nm，原創(chuàng)設(shè)計上超韓國。韓國工藝量產(chǎn)強(qiáng)，但基礎(chǔ)研發(fā)弱，中國資源傾斜，人才多，新技術(shù)層出。

韓聯(lián)社報道，這速度矚目，韓國專家直言，中國學(xué)習(xí)三星模式，卻用自主超過去。產(chǎn)業(yè)協(xié)會安基鉉分析，國家支持關(guān)鍵，攻堅克難，產(chǎn)業(yè)鏈自主。韓國依賴美日，成本高，中國38%國產(chǎn)率，28nm芯片出口東南亞，沖擊國際。

這份報告不是空談，數(shù)據(jù)實(shí)打?qū)?。韓國半導(dǎo)體協(xié)會承認(rèn)，兩年逆轉(zhuǎn)，源于中國密集投入。存儲傳感器這些韓國老優(yōu)勢，逐步丟了。中國沒停，2024年出口逆勢長，全球需求旺，中低端替代技術(shù)進(jìn)步。說實(shí)話，這事兒接地氣，中國企業(yè)一步步走來，沒捷徑，就靠實(shí)干，邏輯清楚：封鎖下逼創(chuàng)新，創(chuàng)新出領(lǐng)先。

格局變遷，合作新生

報告剛出，2025年2月24日，三星就跟長江存儲簽了3D NAND混合鍵合專利許可協(xié)議，從V10代起用中國技術(shù)，計劃下半年量產(chǎn)。

韓媒ZDNet Korea獨(dú)家爆料，這避開專利壁壘，三星評估不確定性大，只能合作。長江存儲2016年起步，十年專利超萬項，4年前就用上這技術(shù)。三星低頭，不是頭一回了，中國技術(shù)出海，商業(yè)成功，還帶戰(zhàn)略意味。

韓國這邊，經(jīng)濟(jì)人協(xié)會研討會開起來，談人才策略，博士招生加碼，但2024年人才凈流出30%，Nvidia挖走三星500多人。AI芯片韓國滯后，產(chǎn)量只中國70%。首爾經(jīng)濟(jì)報3月7日寫，專家呼吁產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)，美國貿(mào)易管制雪上加霜。

9月1日，美國商務(wù)部收緊三星、海力士在華工廠設(shè)備出口，VEU名單除名，單獨(dú)申請許可，韓國芯片雙重困境：升級受阻，生產(chǎn)延誤。

中國呢，穩(wěn)扎穩(wěn)打。2024年存儲份額5%，長江存儲四期廠預(yù)計2026年產(chǎn)能翻番，長鑫LPDDR5良率95%。國家3月追加資金，功率模塊研發(fā)跟上。TrendForce 5月報告，長江存儲混合鍵合主導(dǎo)，壓三星海力士。7月長江存儲追加起訴美光侵權(quán)，法庭細(xì)節(jié)技術(shù)為主。8月韓國協(xié)會警示，人才缺5.4萬，頂尖生轉(zhuǎn)醫(yī)學(xué)院，政府獎學(xué)金發(fā)，但效果慢。

美國9月8日對韓企“妥協(xié)”，但管制壁壘高，中國專注自主，2025年投資480億，三期基金材料領(lǐng)域，蘇州中微刻蝕機(jī)出口東南亞。韓國仁川海力士321層NAND成本高15%，中國路徑優(yōu)化，全球競爭力強(qiáng)。格局變了，中國份額升，韓國多變挑戰(zhàn)，中國穩(wěn)步前，封裝AI集成擴(kuò)展。合作新生，中國技術(shù)認(rèn)可，未來芯片，中國聲音重。

總的看，這從制裁到反超，邏輯鏈條連著：壓力轉(zhuǎn)動力，創(chuàng)新出成果，合作證實(shí)力。中國芯片路，走得實(shí)誠，有內(nèi)涵，不張揚(yáng)，但步步為營。韓國報告提醒大家，技術(shù)無國界，實(shí)力說話。說到底，全球半導(dǎo)體，誰掌握核心，誰就站穩(wěn)腳跟，中國這幾年，干得漂亮。