《科創(chuàng)板日報》10月28日訊 據(jù)Digitimes報道，存儲龍頭三星電子將針對12層HBM3E推出30%的降價策略，以試圖搶占市場。

“價格戰(zhàn)”背后的邏輯是三星產(chǎn)品良率爬坡速度緩慢導致的市場份額落后。直到今年9月，三星12層HBM3E產(chǎn)品才通過英偉達測試，并正式開始供應，預計今年第四季度出貨量將達到數(shù)萬片。

三星HBM3E出貨時間仍然明顯落后于SK海力士、美光等存儲廠商。公開資料顯示，早在2024年，SK海力士便已通過良率測試，并確定向英偉達供應HBM3E產(chǎn)品，今年上半年更是實現(xiàn)了16層HBM3E的量產(chǎn)供貨；另有消息稱，今年6月，美光HBM3E的良率已提高至70%以上，且預計出貨量超過8層HBM3E。

在良率與市場份額明顯落后的局面下，三星于今年7月被傳出將針對部分客戶提出HBM3E的降價提案，以促成商用合作。彼時的三星提醒，HBM3E的供應增長速度將超過需求增長速度，預計供需關系將發(fā)生變化。短期內(nèi)市場價格也可能受到影響。

不過，就產(chǎn)品迭代趨勢而言，HBM3E僅僅是高帶寬內(nèi)存系列中的第五代產(chǎn)品。站在當下時點，高帶寬內(nèi)存系列第六代產(chǎn)品——HBM4或即將全面推出。

本月消息稱，三星正在加緊推進HBM4的研發(fā)，其計劃于10月27日至31日在2025年三星科技展上發(fā)布第六代12層HBM4，并計劃于今年晚些時候量產(chǎn)。其他存儲廠商方面，今年9月，SK海力士表示已完成全球首款HBM4的開發(fā)工作，已為量產(chǎn)做好準備。

在HBM4全面接棒老款產(chǎn)品的背后，是英偉達等科技巨頭對AI芯片架構的全面升級。早在去年，黃仁勛就預告推出Blackwell Ultra AI芯片，且將采用HBM4內(nèi)存。

而據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，近期英偉達積極要求Vera Rubin server rack的關鍵零組件供應商提高產(chǎn)品規(guī)格，包括HBM4的Speed per Pin須調(diào)升至10Gbps。值此背景，預計SK海力士在HBM4量產(chǎn)初期將維持其最大供應商的優(yōu)勢。

從價格趨勢來看，TrendForce預測，2025年HBM的平均銷售單價將同比上漲20.8%，達到1.80美元/Gb，盈利能力可觀。另有機構預計明年上市的12層HBM4產(chǎn)品單價將達到500美元，比售價約300美元的12層HBM3e高出60%以上。

目前來看，三星發(fā)動的HBM價格戰(zhàn)，傳導到DRAM等傳統(tǒng)存儲芯片的概率較低。根據(jù)此前韓國KB證券研究主管Jeff Kim預計，若DRAM當前漲勢持續(xù)，明年非HBM內(nèi)存芯片的盈利能力甚至可能將超越HBM。據(jù)其估算，三星7-9月期間標準DRAM業(yè)務運營利潤率約為40%，HBM業(yè)務則達60%。

另據(jù)日前消息，三星電子、SK海力士等存儲廠商將在今年第四季度針對傳統(tǒng)內(nèi)存繼續(xù)向客戶調(diào)整報價，包括DRAM和NAND在內(nèi)存儲產(chǎn)品價格將上調(diào)高達30%，從而順應AI驅(qū)動的存儲芯片需求激增趨勢。