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造出EUV光刻機?中國如何突破

中國如何突破EUV光刻機技術(shù)封鎖

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路透社稱中國造出EUV光刻機

唯物的中國芯片產(chǎn)業(yè)深度觀察

近日,路透社“爆料”了所謂的中國“曼哈頓計劃”,稱中國科學(xué)家在深圳造出了美國多年來嚴(yán)防死守的極紫外(EUV)光刻機的原型機。

中國沒有官方消息證實這一“爆料”,可能真,也可能偽。有意義的是,西方媒體的報道透露著西方對中國突破高端光刻設(shè)備的焦慮。環(huán)球網(wǎng)就為此發(fā)表評論稱,中國科技進步,路透社本不必焦慮。

EUV光刻機被西方國家稱為先進技術(shù)的“最后堡壘”,目前全球僅有荷蘭企業(yè)阿斯麥可以生產(chǎn)。EUV光刻機始終受美國“把控”,只能賣給美國盟友,導(dǎo)致中國一臺EUV光刻機也沒有,僅能量產(chǎn)7nm芯片,落后主流3nm芯片兩代。

中國力圖擺脫受制于人的局面,光刻機“國產(chǎn)化”進程不斷加速。其實不需要外媒“捕風(fēng)捉影”,工信部官方網(wǎng)站先后公布了不少國產(chǎn)光刻機的技術(shù)參數(shù),顯示了清晰的技術(shù)路線。

中國人面對EUV光刻機有個經(jīng)典之問——造氫彈和造EUV光刻機,哪個難?雖然這個問題需要詳細(xì)的技術(shù)上的解釋,但背后的心態(tài)非常樂觀——哪怕比氫彈還難,我們也有造出來的那一天。

當(dāng)然,我們的目標(biāo)并不是打造技術(shù)孤島,如果能更加深度、平等地融入全球經(jīng)濟和技術(shù)創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò),那才是共享、共贏,共發(fā)展。

不過,既然需要自力更生,要克服哪些難題才能制造出EUV光刻機呢?下面我們來分析如何“手搓”EUV光刻機。

精確地光刻

目前主流的光刻機,用的都是光學(xué)投影式光刻。工作原理俗稱“蘿卜雕花”,只不過雕的不是蘿卜,而是硅片(也叫硅晶圓)。


圖為硅片

具體工作時,硅片表面會覆蓋一層光刻膠,用紫外光等光線,透過掩模版(刻有電路圖案的板子)照射在硅片表面,光刻膠會發(fā)生反應(yīng),將掩模版上的圖案復(fù)制到硅片上,之后洗去光刻膠,就能實現(xiàn)半導(dǎo)體器件在硅片表面的構(gòu)建。

半導(dǎo)體技術(shù)要升級,主要看晶體管中的溝道長度能不能進一步縮小,從7nm、5nm再到3nm。而想要把晶體管越做越小,就需要光刻越來越精確。

光刻光刻,主要難點在于“光學(xué)設(shè)計”。

第一個困難就是衍射極限。光刻要越來越精確,就得提高分辨率。而提高分辨率,要么減少光源波長,要么提高數(shù)值孔徑——兩個方式都極難。

過去,DUV(深紫外)光刻機使用的是波長193nm的深紫外光,現(xiàn)在EUV光刻機的光源波長為13.5nm。這一波長需要非常極致的辦法才能做到。

阿斯麥官方的宣傳片展示了這一震撼時刻:錫金屬被熔化形成直徑只有20微米的液滴,并且在真空環(huán)境中自由下落。在下落過程中,首先是193nm的深紫外光將錫液滴打成云狀,緊接著功率高達(dá)20kW的二氧化碳激光器再次擊打它,并激發(fā)出EUV。


阿斯麥EUV(極紫外)光刻機

光源需要準(zhǔn)確擊打正在自由下落的金屬液滴,難度就好像用乒乓球擊打空中的飛蟲(雖然一些國乒運動員應(yīng)該也能辦到,但成為國乒運動員已經(jīng)是世界頂級難度了),還是兩次。

而且,激發(fā)產(chǎn)生的光轉(zhuǎn)瞬即逝,因此需要每秒鐘激發(fā)約50000次。另外,高達(dá)20kW的二氧化碳激光器的制造難度也相當(dāng)大,所需電源功率達(dá)到了200kW。

如此高功耗的光所激發(fā)的極紫外光的功率多大呢?約210W,效率只有5.5%,這還是經(jīng)過數(shù)次技術(shù)的迭代實現(xiàn)的最高水平,要知道,最初的發(fā)光效率僅有0.8%。

提高數(shù)值孔徑的辦法是改變環(huán)境的折射率。折射率越大,數(shù)值孔徑就越大。

阿斯麥上一代LOW NA EUV光刻機,數(shù)值孔徑0.33。最新的型號High NA EUV光刻機,數(shù)值孔徑0.55。

DUV光刻機的一大突破是,中國臺灣人林本堅提出了193nm浸入式光刻的概念。水在157nm波長下是不透明的液體,但是對于193nm的波長幾乎完全透明。同時,水在193nm的折射率高達(dá)1.44。相比于真空介質(zhì)下分辨率只能達(dá)到65nm,浸沒超凈水介質(zhì)的光刻機理論上可以達(dá)到22nm甚至更低的分辨率。


圖為林本堅

除水以外,人們在尋找更大折射率的液體。但這一類液體要求非常嚴(yán)格:與光刻膠沒有反應(yīng),光透過率高,折射率高,還要穩(wěn)定。目前研發(fā)出的第二代浸入液的折射率為1.64。

關(guān)鍵,把整個光學(xué)系統(tǒng)浸沒在水里或液體里,要應(yīng)對一系列問題——浸入液如何充入、是否對鏡頭造成污染、光刻膠在液體中是否穩(wěn)定性、會不會產(chǎn)生氣泡、如何保證液體高純度等等。

精確地成像

光學(xué)設(shè)計的第二大困難是精確成像。

精確成像,其實就是控制像差。像差類似于手機鏡頭里的自己沒有現(xiàn)實的自己好看,即理想成像與實際成像的差距??刂葡癫钚枰\用大量透鏡,像DUV光刻機需要29枚透鏡。

到了EUV光刻機,DUV的透射系統(tǒng)不能用了,因為EUV的波長太短,容易被其他物質(zhì)吸收,連空氣都能吸收它的能量,因此整個光刻間必須處于真空狀態(tài),減少損耗。

EUV光刻機的全反射投影系統(tǒng),用的是鉬/硅反射鏡,鏡面上鍍了40層鉬和硅交替的膜,平整到每個原子都要在“正確”的位置。其不僅能提高對EUV的反射,還能吸收其他沒用的光。

這個反射鏡的光滑度,可能算得上是宇宙中最光滑的人造結(jié)構(gòu)——如果把反射鏡放大到地球大小,它上面也僅有一根頭發(fā)絲直徑大小的凸起。


EUV極紫外光刻機鏡片

就算是如此驚人的鍍膜水平,每個鏡片依然對EUV有30%的吸收率。整個反射系統(tǒng)需要11枚反射鏡,真正用于光刻芯片的光強只剩下2%。

除了光學(xué)上最顯著的技術(shù)困難之外,制造EUV光刻機還有很多常人難以想象的困難。比如,制備高分辨率的光刻膠,錫微流體如何精準(zhǔn)控制大小和流速,系統(tǒng)冷卻如何解決振動帶來的精度擾動等等。

EUV光刻機特別大,跟一輛雙層公交車差不多。2023年,英特爾收到全球第一臺High NA EUV光刻機,這臺光刻機是被分裝在250個單獨的集裝箱里進行運輸?shù)摹?/p>

大小還在其次,它的工作環(huán)境還特別嚴(yán)苛,光刻需要極致的無塵環(huán)境——每立方米的空氣不能超過10個顆粒,且顆粒尺寸小于0.5微米。車間里每小時要凈化30萬立方米的空氣。


阿斯麥極紫外光刻機外部

光刻需要的電能也很“恐怖”。一臺EUV工作24小時,耗電量達(dá)到3萬度。

中國臺灣媒體給臺積電算過一筆賬:由于于EUV光源的能源轉(zhuǎn)換效率只有0.02%左右,所以輸出功率只有250W的EUV光刻機,實際需要0.125萬千瓦的電力,耗電量是DUV光刻機的10倍以上。如此一來,一臺EUV一年耗電量可達(dá)到1000萬千瓦時。

與此同時,因為EUV光源能量轉(zhuǎn)換率為0.02%,另外的99.98%電能會變成熱量散發(fā)出去,需要大量的設(shè)備來降溫散熱,又要額外耗電。臺積電2021年的耗電量,夠深圳居民用一年。

科技是人類的共同財富

假如我們克服了以上的種種“地獄模式”的困難,造出了原型機,那么大約需要幾年可以量產(chǎn)?

美國假定是10年,以阿斯麥的經(jīng)驗是7年。

中國制造的速度,一般是別國經(jīng)驗?zāi)晗拊倏橙ヒ话?。但這只是猜測。猜測的底氣在于,中國的科技基礎(chǔ)、制造業(yè)基礎(chǔ)、人才基礎(chǔ)和產(chǎn)業(yè)鏈基礎(chǔ),足以應(yīng)對任何技術(shù)封鎖。

“科技是全人類的共同財富”,也應(yīng)該服務(wù)于全球人民的福祉。而封鎖的策略,只能損害全球科技產(chǎn)業(yè)、全球人民的利益。

特別是夾在中間的阿斯麥。其最新型號High NA EUV光刻機,能制造2nm、1.4nm芯片,價格4億美元。只有英特爾、三星訂了5臺,臺積電不太愿意買,說之前的老型號也能將就用。如果新產(chǎn)品賣得太少,研發(fā)成本都收不回來,以后還怎么開發(fā)新產(chǎn)品?

就像有評論員認(rèn)為,“脫鉤斷鏈,我可以從低端走向高端,你能否從高端走向更高端?”

之前英偉達(dá)AI芯片H200也遭遇了封鎖。美國政府的政策拉拉扯扯,一會放行,一會禁售,最后還是放行,證明了這種損人不利己的策略不得人心,也根本持續(xù)不下去。


英偉達(dá)H200芯片

而且,今年9月,中芯國際已經(jīng)在測試DUV光刻機,其主要零組件已實現(xiàn)在地化生產(chǎn),但仍有部分零件需依靠進口,目前該公司正致力于完全自主化生產(chǎn)。新型DUV設(shè)備一般需要一年的持續(xù)調(diào)校才能達(dá)到量產(chǎn)所需的穩(wěn)定性和良率。該款28nm光刻機可以制造7nm芯片,理論上也可以制造5nm芯片。

無論是光刻機還是芯片,理想的狀態(tài),依然是中外企業(yè)開放、合作,真正分享科技進步的紅利,而不是打壓、窺視、焦慮,把自身隔絕于“全球化”之外。

作者 |榮智慧

編輯 | 向現(xiàn)

值班主編 | 張來

排版 | 阿車

責(zé)任編輯:李超_NB12814

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