今年的DIY市場，內(nèi)存價格漲上了天，截至2025年12月DDR5內(nèi)存普遍價格較歷史最低上漲3~4倍，普通用戶換機成本直接翻倍。對游戲玩家來說，內(nèi)存的選擇成了一件令人糾結(jié)的事情，是咬咬牙上高頻內(nèi)存還是用普通內(nèi)存過渡？高頻內(nèi)存對游戲性能有多大提升？今天我們就來探究下不同頻率的內(nèi)存在Intel酷睿Ultra 200S平臺上的性能表現(xiàn)。

測試平臺

處理器：酷睿Ultra 9 285K

內(nèi)存：芝奇DDR5 6000 16GB×2

雷克沙ARES RGB DDR5 7200 16GB×2

雷克沙ARES RGB DDR5 8000 16GB×2

主板：ROG MAXIMUS Z890 HERO

顯卡：七彩虹iGame RTX 5090 D v2

硬盤：希捷酷玩540 2TB

電源：航嘉MVP P1200

操作系統(tǒng)：Windows 11專業(yè)版

前段時間，我們在AMD平臺上做過關于內(nèi)存頻率和性能的測試，最終的結(jié)論是在AMD平臺上高頻率低時序內(nèi)存能夠帶來一定的性能提升，但總體收益并不高。而酷睿Ultra 200S由于Arrow Lake的架構(gòu)設計變化將內(nèi)存控制器移出Ring環(huán)形總線，導致跨Die訪問內(nèi)存延遲增加，所以從理論上來說，酷睿Ultra 200S系列處理器上高頻內(nèi)存獲得的低延遲會帶來更大的性能收益。那么實際情況是怎么樣呢？

本次測試了5600MT/s、6000MT/s、7200MT/s和8000MT/s這四種內(nèi)存頻率的表現(xiàn)。5600CL40作為最基礎的性能參考，這也差不多是市面上能買到的最低規(guī)格的DDR5內(nèi)存了（4800內(nèi)存也可以保底超頻到5600MT/s使用），售價在千元內(nèi)，還有相對“入門”的千元出頭的6000C28內(nèi)存，高頻內(nèi)存則選擇了7200CL34和8000CL38，這兩種規(guī)格的內(nèi)存目前售價在2300元以上。

測試平臺方面，為了突出不同內(nèi)存頻率間的性能差異，我們選擇了旗艦平臺——酷睿Ultra 9 285K處理器加RTX 5090 D v2顯卡的組合，主板則使用了ROG MAXIMUS Z890 HERO，并開啟XMP1。

先來看看AIDA64的內(nèi)存性能測試表現(xiàn)，可以看到內(nèi)存的讀寫性能隨著內(nèi)存頻率同步提升。其中5600MT/s到6000MT/s的綜合帶寬提升了約24%，6000MT/s到7200MT/s提升了約11%，72000MT/s到8000MT/s的提升約為6%。而在延遲方面，除了5600MT/s之外，6000MT/s、7200MT/s、7200MT/s的延遲都在90ns以內(nèi)，6000MT/s到8000MT/s的內(nèi)存延遲只降低了5.5ns。

7-Zip的基準測試，可以測試電腦的壓縮和解壓縮能力，對于內(nèi)存性能比較敏感。從5600MT/s到8000MT/s頻率，7-Zip的性能也有著顯著的提升，不過另外三種頻率間的評分差距不大。

在這兩款對內(nèi)存敏感的軟件測試中，酷睿Ultra 200S上高頻內(nèi)存會帶來更高的讀寫速度以及更低的延遲，7200MT/s以上的高頻內(nèi)存相比最基礎的5600MT/s的頻率確存在一些優(yōu)勢，但都沒有和“6000MT/s頻率內(nèi)存拉開差距。接下來，我們再實測內(nèi)存頻率對游戲性能的影響。

從平均幀的表現(xiàn)來看，內(nèi)存頻率對游戲的平均幀率有一定的影響，且頻率越高性能收益越不明顯。提升最大的是5600MT/s到6000MT/s，6000MT/s到8000MT/s的游戲平均幀提升不到1%。有趣的是，6000MT/s頻率在《CS2》《永劫無間》《絕地求生》三款電競網(wǎng)游中平均提升只有約4%，對內(nèi)存比較敏感的《絕地求生》甚至沒有提升，而另外四款3A游戲的提升幅度則達到了約10%，我們推測這有可能是因為3A游戲?qū)?nèi)存帶寬的需求更高，而5600MT/s到6000MT/s帶來的讀寫性能正好釋放了這部分帶寬瓶頸，所以幀率提升相對明顯。

游戲的1%Low情況和平均幀類似，5600MT/s到6000MT/s的提升最大，平均提升幅度約13%，體現(xiàn)到幀率上就是20幀以上的差距，對電競游戲來說還是有意義。6000MT/s到8000MT/s則幾乎沒有區(qū)別，《無主之地4》沒有Benchmark，所以可能是手動測試的誤差，其他幾款游戲完全可以看作是同一性能水平上的表現(xiàn)。

根據(jù)上面的測試中不難看出，在酷睿Ultra 200S平臺上使用高頻內(nèi)存的讀寫速度肯定會有著更優(yōu)異的表現(xiàn)，5600MT/s到8000MT/s，內(nèi)存帶寬提升了近50%。但就游戲性能而言，默認XMP配置下的7200MT/s和8000MT/s性能提升相對6000MT/s很小，即使在網(wǎng)游中的平均幀提升也不到2%，1%Low幀提升不到1%。

那么高頻內(nèi)存對游戲性能真的就沒有提升嗎？鑒于之前8000MT/s內(nèi)存的延遲和6000MT/s內(nèi)存的延遲都是80ns的水平，為了進一步探究高頻內(nèi)存低時序下的表現(xiàn)，我們開啟了XMP Tweaked模式獲得更緊的小參，并在此基礎上超頻到了8000CL34。在超頻狀態(tài)下，8000MT/s內(nèi)存的帶寬得到了進一步提升，同時延遲降低了9.8ns。游戲性能方面，平均幀提升了約3%，1%Low幀提升了約2%，相對6000MT/s內(nèi)存提升了約4%，依然沒有很明顯的性能優(yōu)勢。

綜合我們的測試情況來看，8000MT/s以上的高頻內(nèi)存如果配合低時序，的確能夠在酷睿Ultra 200S平臺上帶來一定的性能提升，在一些非常依賴內(nèi)存帶寬的應用中，提升會比較明顯。但是在游戲性能方面，即使是8000MT/s內(nèi)存，相對6000MT/s內(nèi)存也不會帶來能夠顯著改善游戲體驗的平均幀和1%Low幀優(yōu)勢，換成非旗艦平臺的話差距會更小。當然，如果你是核顯用戶，那高頻內(nèi)存的性能提升必然是很可觀的。

總結(jié)：上高頻內(nèi)存有提升，但不值得

對大部分游戲玩家來說，在酷睿Ultra 200S平臺使用高頻內(nèi)存的收益很小，想要和“普通”內(nèi)存拉開差距還需要額外進行超頻，而且也不是所有玩家的硬件都擁有高頻內(nèi)存的超頻條件，8000MT/s以上的高頻內(nèi)存目前只適合預算充足同時追求極致性能的玩家。主流玩家我們建議5600MT/s或者6000MT/s內(nèi)存就夠了，5600MT/s雖然性能確實偏低，不過勝在價格便宜適合過渡，游戲玩家可以上6000MT/s內(nèi)存，只要不選擇RGB燈條，只比5600MT/s內(nèi)存貴了200~300元，開啟XMP和主板的內(nèi)存增強功能后，游戲體驗不會比高頻內(nèi)存差。