IT之家 1 月 1 日消息，TrendForce 集邦咨詢昨日（2025 年 12 月 31 日）發(fā)布報(bào)告，預(yù)測(cè)存儲(chǔ)市場(chǎng)正迎來(lái)新一輪價(jià)格波動(dòng)。三星明確表示不會(huì)推遲 DDR4 的停產(chǎn)（EOL）計(jì)劃，這一決定直接引爆了現(xiàn)貨市場(chǎng)，導(dǎo)致 DDR4 價(jià)格漲幅顯著超過(guò) DDR5。

IT之家附上截至 2025 年 12 月 31 日的圖表如下：

該機(jī)構(gòu)指出行業(yè)巨頭三星已明確表態(tài)：絕不推遲其 DDR4 產(chǎn)品的停產(chǎn)（EOL）計(jì)劃。這一強(qiáng)硬立場(chǎng)直接打破了市場(chǎng)對(duì)供應(yīng)延續(xù)的幻想，DDR4 的價(jià)格漲幅因此大幅超越了新一代的 DDR5。

三星的停產(chǎn)決定將產(chǎn)生深遠(yuǎn)的連鎖反應(yīng)。市場(chǎng)普遍預(yù)測(cè)，2026 年 DDR4 的供應(yīng)量將出現(xiàn)斷崖式下跌。這種人為造成的稀缺性，極有可能導(dǎo)致 DDR4 出現(xiàn)價(jià)格倒掛現(xiàn)象，即其每 Gb（千兆比特）的單價(jià)將攀升至最高水平，甚至超過(guò)部分先進(jìn)制程產(chǎn)品。

數(shù)據(jù)顯示，主流芯片（DDR4 1Gx8 3200MT/s）的現(xiàn)貨均價(jià)已從 12 月 24 日當(dāng)周的 22.235 美元，強(qiáng)勢(shì)上漲 6.80% 至 12 月 30 日當(dāng)周的 23.746 美元。

NAND Flash 市場(chǎng)同樣處于上漲通道。受 2026 年第一季度合約價(jià)格看漲的強(qiáng)烈預(yù)期驅(qū)動(dòng)，現(xiàn)貨價(jià)格進(jìn)一步走高。本周，512Gb TLC 晶圓的現(xiàn)貨價(jià)格大漲 13.35%，達(dá)到 13.055 美元?，F(xiàn)貨貿(mào)易商對(duì)后續(xù)價(jià)格走勢(shì)持極度樂(lè)觀態(tài)度，因此在出貨價(jià)格上寸步不讓，堅(jiān)決維持高價(jià)策略。

然而，NAND 市場(chǎng)的實(shí)際成交狀況卻不容樂(lè)觀。面對(duì)處于高位的現(xiàn)貨價(jià)格，疊加消費(fèi)端需求的持續(xù)疲軟，大多數(shù)買(mǎi)家目前選擇持幣觀望。此外，隨著中國(guó)農(nóng)歷春節(jié)臨近，晶圓廠即將進(jìn)入假期模式，進(jìn)一步削弱了采購(gòu)意愿。賣(mài)方的“惜售”與買(mǎi)方的“嫌貴”形成了鮮明對(duì)立，導(dǎo)致市場(chǎng)交易陷入停滯，呈現(xiàn)出典型的僵持局面。