三星電子最新財報顯示，2025年第二季度（4-6月）營收為74.6萬億韓元(約合536.5億美元)，環(huán)比減少6%，同比增長1%；經(jīng)營利潤4.7萬億韓元(約合33.8億美元)，環(huán)比減少30%，同比大減55%；凈利潤5.1萬億韓元(約合36.7億美元)，環(huán)比減少38%，同比減少48%。

數(shù)據(jù)來源：三星電子，圖表制作：CFM閃存市場

三星電子Q2存儲營收為21.2萬億韓元(約合152.5億美元)，環(huán)比增長11%，同比減少3%。存儲業(yè)務(wù)所在的DS部門Q2營收27.9萬億韓元(約合200.7億美元)，環(huán)比增長11%，同比減少2%，經(jīng)營利潤為0.4萬億韓元(約合2.9億美元)，環(huán)比減少64%，同比減少94%，為近六季以來首度跌破萬億韓元大關(guān)。

三星電子表示，DS部門的營收因高密度、高性能存儲產(chǎn)品銷售增長而有所增長，但產(chǎn)品庫存價值調(diào)整以及受中國非存儲產(chǎn)品出口限制影響的一次性成本對利潤產(chǎn)生了不利影響。展望下半年，DS部門計劃積極滿足日益增長的高附加值和人工智能驅(qū)動產(chǎn)品需求，并持續(xù)增強(qiáng)先進(jìn)半導(dǎo)體領(lǐng)域的競爭力。

數(shù)據(jù)來源：三星電子，圖表制作：CFM閃存市場

二季度，三星電子旗下的存儲業(yè)務(wù)積極應(yīng)對強(qiáng)勁服務(wù)器需求，擴(kuò)大HBM3E和高密度DDR5產(chǎn)品銷售占比。同時，隨著此前延期的數(shù)據(jù)中心項目重啟，也帶動服務(wù)器SSD銷量增加，NAND庫存顯著降低。然而，庫存價值調(diào)整等一次性成本對收益產(chǎn)生了影響。

三星電子在財報會議上表示，與上一季度相比，該季度DRAM bit出貨量增幅10%左右，與初步預(yù)期一致；NAND bit出貨量增幅也超出預(yù)期，與上一季度相比增幅達(dá)到20%左右；HBM銷售額按bit計算環(huán)比增長約30%，其中，HBM3E在HBM總銷量中所占比例擴(kuò)大至 80% 以上。三星電子目前正逐步完成各個客戶的量產(chǎn)認(rèn)證，以確�？蛻粜枨�，預(yù)計下半年 HBM3E銷售占比將達(dá)到 90% 以上。

展望下半年，隨著主要云服務(wù)提供商的持續(xù)投資，三星電子預(yù)計AI需求驅(qū)動的服務(wù)器DRAM 和 NAND需求將保持強(qiáng)勁。為了滿足人工智能服務(wù)器對 DRAM 的強(qiáng)勁需求，內(nèi)存業(yè)務(wù)將積極滿足高密度產(chǎn)品的需求，并通過HBM、服務(wù)器 LPDDR5X、高密度 DDR5、24Gb GDDR7等產(chǎn)品實現(xiàn)產(chǎn)品多樣化。在 NAND 方面，計劃提升高密度、高性能SSD的銷量，同時加速所有應(yīng)用向第八代 V-NAND 的過渡。

HBM方面，三星電子已完成采用 10nm 級第六代（1c）納米工藝的第六代高帶寬存儲器（HBM4）的開發(fā)，并已向主要客戶發(fā)送樣品。HBM4 將先進(jìn)的邏輯工藝應(yīng)用于基礎(chǔ)芯片，與上一代 HBM3E 相比，性能和能效均有顯著提升。三星電子計劃繼續(xù)擴(kuò)大對 1c DRAM工廠的投資，為明年 HBM4 需求的預(yù)期增長做好準(zhǔn)備。

隨著韓美關(guān)稅談判的結(jié)束，市場不確定性明顯減少，三星電子將密切關(guān)注美國針對半導(dǎo)體及其衍生品的232條款調(diào)查結(jié)果，該結(jié)果預(yù)計將于8月中旬公布。這項調(diào)查不僅涉及半導(dǎo)體，還涉及智能手機(jī)和平板電腦等移動設(shè)備。