時(shí)間來到三季度中旬，通用型DRAM現(xiàn)貨市場漸趨回歸平靜，行業(yè)DDR4內(nèi)存條和LPDDR4X均高位盤整；嵌入式eMMC產(chǎn)品因部分客戶備貨積極性不高，市場活躍度有限；行業(yè)和渠道SSD短期則維持穩(wěn)定。

盡管行業(yè)DDR4內(nèi)存條不及渠道市場反應(yīng)迅速，但3月以來累計(jì)漲幅也接近一倍，行業(yè)DDR4內(nèi)存條和DDR5之間已然出現(xiàn)倒掛，部分PC OEM廠商為降低成本壓力選擇價(jià)格更低的DDR4次級資源作為替代，不過也有些客戶尚在評估和觀望階段。未來，在DDR4供應(yīng)有限且PC客戶庫存持續(xù)消耗下，將加速DDR5內(nèi)存條應(yīng)用進(jìn)一步普及，而基于成本考慮PC廠商針對個(gè)別產(chǎn)品線或繼續(xù)沿用DDR4降級資源。

7月底以來，存儲原廠相繼進(jìn)入財(cái)報(bào)密集披露期，從業(yè)績數(shù)據(jù)上看，SK海力士營收和營業(yè)利潤雙創(chuàng)新高；而唯一一家處于虧損狀態(tài)的閃迪二季度也成功扭虧為盈；三星、SK海力士、閃迪等原廠Q2出貨量明顯增長，庫存水平也有所降低。展望未來，DRAM原廠的供應(yīng)將更多側(cè)重于DDR5、LPDDR5X和HBM等尖端產(chǎn)品，而NAND方面則加速向先進(jìn)節(jié)點(diǎn)進(jìn)一步遷移。

上游資源方面，本周Flash Wafer、DDR4、DDR5顆粒價(jià)格維持不變。

Flash Wafer最新報(bào)價(jià)

DDR最新報(bào)價(jià)

近期渠道DDR5內(nèi)存條受基板交期影響，成品出貨周期有所延長，DDR5內(nèi)存條價(jià)格呈現(xiàn)微幅上揚(yáng)趨勢，但漲幅較小基本可忽略；渠道DDR4內(nèi)存條和SSD也保持平穩(wěn)。因此本周渠道內(nèi)存條和SSD價(jià)格維持上周水平。

渠道市場SSD最新報(bào)價(jià)

渠道市場內(nèi)存條最新報(bào)價(jià)

本季度時(shí)間已然過半，行業(yè)廠商逐步推動(dòng)PC客戶新季度的價(jià)格談判進(jìn)程，但面對存儲廠商仍然咬住價(jià)格的堅(jiān)定態(tài)度，部分PC OEM卻期盼爭取更低的價(jià)格成交，買賣雙方仍處于持續(xù)拉鋸階段。內(nèi)存條方面，在4月原廠相繼宣布停產(chǎn)通用型DDR4產(chǎn)品以來，行業(yè)廠商近一個(gè)季度DDR4高規(guī)格顆粒采購量少之甚少，面對主要PC OEM客戶考慮增加DDR4內(nèi)存條備貨的需求，行業(yè)廠商表示實(shí)難分配供貨。對于PC廠商來說，雖當(dāng)前備有一定庫存尚能維持短期正常生產(chǎn)，但明年上半年DDR4供應(yīng)壓力將明顯傳導(dǎo)至PC終端。

行業(yè)市場SSD最新報(bào)價(jià)

行業(yè)市場內(nèi)存條最新報(bào)價(jià)

自去年年底MLC NAND啟動(dòng)漲價(jià)潮以來，經(jīng)過半年多的上漲行情，MLC NAND價(jià)格逐漸向256Gb TLC NAND靠攏，甚至128Gb MLC NAND價(jià)格已超過部分512Gb TLC NAND。存儲廠商也同步調(diào)漲低容量嵌入式成品售價(jià)，使得64GB及以下容量eMMC產(chǎn)品幾乎同價(jià)。而高昂的硬件成本壓力已漸漸反噬至部分應(yīng)用市場，尤其是本就單價(jià)低、利潤微薄的消費(fèi)類產(chǎn)品。一方面，應(yīng)用需求將加速向64GB及以上容量的嵌入式產(chǎn)品轉(zhuǎn)移，另一方面，存儲廠商或?qū)⒉捎幂^高容量的NAND，通過固件或設(shè)計(jì)限制對其進(jìn)行降容處理，短期規(guī)避低容量eMMC產(chǎn)品供應(yīng)風(fēng)險(xiǎn)。

eMMC最新報(bào)價(jià)

eMCP最新報(bào)價(jià)

LPDDR最新報(bào)價(jià)

UFS最新報(bào)價(jià)

uMCP最新報(bào)價(jià)