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據(jù)《自然》期刊發(fā)表的論文報(bào)道，約翰斯?霍普金斯大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)研發(fā)出一種新型芯片制造技術(shù)，該技術(shù)采用波長 6.5 納米至 6.7 納米的激光（即軟 X 射線），可將光刻設(shè)備的分辨率提升至 5 納米及以下。科研人員將其命名為 “超極紫外光刻技術(shù)”（Beyond-EUV），暗示該技術(shù)有望取代行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的極紫外（EUV）光刻技術(shù)。不過研究團(tuán)隊(duì)坦言，即便要搭建實(shí)驗(yàn)性 B-EUV 設(shè)備，仍需數(shù)年時(shí)間攻關(guān)。

軟 X 射線光刻：從理論挑戰(zhàn)超數(shù)值孔徑技術(shù)

當(dāng)前最先進(jìn)的芯片制造依賴 EUV 光刻技術(shù)：工作波長 13.5 納米的極紫外光在 0.33 數(shù)值孔徑（Low-NA）系統(tǒng)中可實(shí)現(xiàn) 13 納米制程；0.55 數(shù)值孔徑（High-NA）系統(tǒng)能突破至 8 納米；而 0.7-0.75 超數(shù)值孔徑（Hyper-NA）系統(tǒng)雖可企及 4-5 納米制程，卻需配備數(shù)億美元的極端復(fù)雜光學(xué)系統(tǒng)。
約翰斯?霍普金斯大學(xué)的研究表明，即便采用中等數(shù)值孔徑的透鏡，短波長軟 X 射線仍能憑借固有特性提升分辨率。然而 B-EUV 技術(shù)面臨多重現(xiàn)實(shí)挑戰(zhàn)：

1. 光源技術(shù)瓶頸

   盡管科研人員已嘗試多種方案（如釓激光等離子體）生成 6.7 納米波長輻射，但尚未形成行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)光源方案；

2. 光刻膠兼容性難題

   短波長光的高光子能量與傳統(tǒng)芯片光刻膠材料相互作用效率極低；

3. 光學(xué)元件空白

   6.5-6.7 納米波長光幾乎被所有材料吸收而非反射，此前從未成功制備該波段的多層鍍膜反射鏡；

4. 生態(tài)系統(tǒng)缺失

   此類光刻設(shè)備需從零設(shè)計(jì)，目前缺乏配套元件與耗材供應(yīng)鏈支持。換言之，研發(fā) B-EUV 設(shè)備（或軟 X 射線光刻機(jī)）需在光源、投影反射鏡、光刻膠乃至 pellicle（ pellicle，中文常譯為 “保護(hù)膜”）/ 光掩模等耗材領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全面突破。

由邁克爾?察帕齊斯（Michael Tsapatsis）教授領(lǐng)銜的約翰斯?霍普金斯大學(xué)團(tuán)隊(duì)，目前聚焦于探索特定金屬材料對 B-EUV（約 6 納米波長）光與芯片光刻膠相互作用的優(yōu)化（注：該研究尚未涉及軟 X 射線相關(guān)的其他技術(shù)挑戰(zhàn)）。

報(bào)名

注：本次研討會(huì)席位有限，因此暫停對院校學(xué)生開放報(bào)名，望理解。