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在摩爾定律趨緩、AI/HPC需求爆發(fā)的背景下,先進(jìn)封裝已成為晶圓代工廠與封測(cè)企業(yè)的必爭(zhēng)之地。全球范圍內(nèi),從臺(tái)積電到三星,從日月光到安靠,以及國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技,幾乎所有龍頭廠商都在加快擴(kuò)產(chǎn),力爭(zhēng)搶占這一未來(lái)數(shù)年最關(guān)鍵的產(chǎn)業(yè)高地。
據(jù) Coherent Market Insights (CMI) 數(shù)據(jù),全球先進(jìn)芯片封裝市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從 2025 年的 503.8 億美元增長(zhǎng)至 2032 年的 798.5 億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá) 6.8%。這一趨勢(shì)背后,是 AI 大模型、自動(dòng)駕駛、云計(jì)算與邊緣計(jì)算對(duì)高性能、低功耗封裝解決方案的迫切需求。
臺(tái)積電:全力沖刺,
3DFabric架構(gòu)統(tǒng)合前后端
在臺(tái)積電的版圖中,先進(jìn)封裝地位正快速上升。據(jù)伯恩斯坦預(yù)測(cè),隨著 CoWoS 需求井噴,臺(tái)積電 2024 年先進(jìn)封裝營(yíng)收占比有望突破 10%,首次超越日月光,躍升為全球最大封裝供應(yīng)商。
在 9 月的 TSMC OIP 生態(tài)論壇上,臺(tái)積電強(qiáng)調(diào) 3DFabric平臺(tái)的戰(zhàn)略意義:通過(guò)晶圓級(jí)工藝 + 3D 堆疊 (SoIC) + 先進(jìn)封裝,打造覆蓋 HPC、AI 與數(shù)據(jù)中心的系統(tǒng)級(jí)集成方案。其中先進(jìn)封裝包括用于移動(dòng)/高性能計(jì)算 (HPC) 芯片集的InFO 、用于邏輯-HBM 集成的CoWoS,以及用于晶圓級(jí) AI 系統(tǒng)的SoW。
臺(tái)積電正積極拓展先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)。未來(lái)規(guī)劃中,臺(tái)積電TSMC 已于今年3月宣布在美國(guó)追加 1000億美元(約合138萬(wàn)億韓元)的新投資項(xiàng)目,具體包括新建3座晶圓代工廠、2座先進(jìn)封裝廠,以及一座大型研發(fā)中心。TSMC 的兩座先進(jìn)封裝廠將落地在亞利桑那州,命名為 AP1 和 AP2。兩廠計(jì)劃從明年下半年開工建設(shè),預(yù)計(jì)將在 2028年投入量產(chǎn)。AP1將聚焦當(dāng)前最前沿的3D堆疊技術(shù)(SoIC&CoW),AP2則側(cè)重CoPoS技術(shù),其產(chǎn)能布局已與臺(tái)灣本地工廠形成呼應(yīng)甚至超越。
據(jù)自由時(shí)報(bào)報(bào)道,臺(tái)積電先進(jìn)封裝技術(shù)與服務(wù)副總裁何軍表示,客戶需求太快,產(chǎn)能擴(kuò)張不得不壓縮周期——過(guò)去三年擴(kuò)產(chǎn),如今要在一年甚至三個(gè)季度內(nèi)完成??梢姡珹I 熱潮正在倒逼供應(yīng)鏈重塑節(jié)奏。
臺(tái)積電還在技術(shù)上持續(xù)加碼:2026 年將推出光罩面積擴(kuò)大 5.5 倍的 CoWoS-L,2027 年 SoW-X 將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),其計(jì)算能力可達(dá)現(xiàn)有方案的 40 倍,相當(dāng)于一個(gè)服務(wù)器機(jī)架的算力。這些布局進(jìn)一步鞏固了臺(tái)積電在 AI/HPC 時(shí)代的領(lǐng)先地位。
三星:猶豫中的重壓與轉(zhuǎn)機(jī)
與臺(tái)積電的激進(jìn)擴(kuò)張相比,三星在先進(jìn)封裝上的動(dòng)作更顯審慎。受限于客戶需求不確定性以及巨額制程投資,三星曾一度擱置 70 億美元的先進(jìn)封裝廠計(jì)劃。
三星電子原計(jì)劃向位于德克薩斯州泰勒市的晶圓代工(半導(dǎo)體代工)工廠投資440億美元,但由于去年年底業(yè)績(jī)不佳,在調(diào)整投資節(jié)奏的過(guò)程中將投資金額降至370億美元。最初的投資計(jì)劃包括4納米和2納米晶圓代工工廠、先進(jìn)封裝設(shè)施以及先進(jìn)技術(shù)研發(fā)設(shè)施。然而,由于當(dāng)時(shí)難以獲得客戶,10萬(wàn)億韓元(70億美元)先進(jìn)封裝設(shè)施的投資被徹底放棄。
然而,三星電子7月28日與特斯拉簽署了價(jià)值23萬(wàn)億韓元的AI半導(dǎo)體供應(yīng)合同,僅十天后又與蘋果簽署了圖像傳感器供應(yīng)合同,這凸顯了其建設(shè)尖端封裝工廠的必要性。特斯拉的AI6 采用的是傳統(tǒng)的封裝工藝——倒裝芯片鍵合(Flip Chip Bonding),即在芯片焊盤上形成凸點(diǎn),與基板實(shí)現(xiàn)連接。雖然大規(guī)模模塊化制造仍需依賴先進(jìn)封裝,但業(yè)內(nèi)認(rèn)為這一領(lǐng)域的訂單更有可能被英特爾拿下。為了規(guī)避美國(guó)關(guān)稅壓力,從核心芯片制造到后期處理,所有環(huán)節(jié)都必須在本地完成。因此,三星正在重新考慮追加之前擱淺的70億美元現(xiàn)金封裝設(shè)施投資。
三星的優(yōu)勢(shì)在于其 “內(nèi)存 + 代工 + 封裝”一體化交鑰匙模式。在 AI 時(shí)代,這一垂直整合能力具有明顯吸引力。一旦大客戶需求明朗,三星極有可能重啟大規(guī)模先進(jìn)封裝布局。
日月光從 OSAT 龍頭到系統(tǒng)平臺(tái)
作為全球最大的獨(dú)立 OSAT(外包封測(cè))廠商,日月光正加快在高雄的先進(jìn)封裝布局,全面提升 CoWoS、SoIC、FOPLP 等高階產(chǎn)能。
收購(gòu)與用地準(zhǔn)備:2024 年上半年,日月光完成對(duì)塑美貝科技 100% 股權(quán)收購(gòu),取得新廠用地,并計(jì)劃拆除原廠房,興建地下 2 層、地上 8 層的新型智慧化廠房,總樓地板面積約 1.83 萬(wàn)坪。該基地未來(lái)將成為南臺(tái)灣最重要的先進(jìn)封裝產(chǎn)線擴(kuò)充中心。
K18B新廠建設(shè):同年,日月光宣布斥資40億新臺(tái)幣,在高雄啟動(dòng) K18B 新廠工程。這是其近年來(lái)在南部園區(qū)規(guī)模最大的廠房建設(shè)之一,主要服務(wù) AI、高效能運(yùn)算(HPC)和先進(jìn)封裝需求。
K28 新廠動(dòng)土:2024 年 10 月,日月光 K28 新廠動(dòng)土,預(yù)計(jì) 2026 年完工,重點(diǎn)擴(kuò)充 CoWoS 封測(cè)產(chǎn)能,直接對(duì)標(biāo) GPU 和 AI 芯片客戶的高速增長(zhǎng)需求。
FOPLP 大尺寸產(chǎn)線:與此同時(shí),日月光投資 2億美元,建設(shè)首條 600x600 mm大尺寸 FOPLP 產(chǎn)線,進(jìn)一步鞏固其在扇出型面板封裝領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
K18廠房布局:2024 年 8 月,公司還從宏璟建設(shè)購(gòu)入高雄楠梓 K18 廠房,規(guī)劃導(dǎo)入晶圓凸塊和覆晶封裝制程,在傳統(tǒng)工藝與先進(jìn)工藝之間實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線互補(bǔ)
在技術(shù)上,從早期的Wire Bond、Flip Chip到 Fan-Out 封裝與硅通孔(TSV),再到如今的2.5D/3D 封裝、Fan-Out 系列(FOPOP, FOCoS, FOCoS-B)以及硅光子集成(Co-SiPh),日月光(ASE)在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的技術(shù)不斷演進(jìn)。目前其3D Advanced RDL 技術(shù)已經(jīng)成為 ASE 的核心平臺(tái)(VIPack Platform),廣泛應(yīng)用于移動(dòng)、網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算、AI、邊緣、汽車和工業(yè)等領(lǐng)域。
與臺(tái)積電在前端工藝+先進(jìn)封裝一體化的策略不同,日月光作為OSAT龍頭,優(yōu)勢(shì)在于靈活性和客戶協(xié)同。在AI/HPC浪潮下,其擴(kuò)產(chǎn)不僅是產(chǎn)能補(bǔ)充,更是在積極構(gòu)建一個(gè)可以快速適配客戶需求、覆蓋不同封裝層級(jí)的“多元封裝平臺(tái)”。這將成為其未來(lái)數(shù)年?duì)I收與競(jìng)爭(zhēng)力提升的重要抓手。
Amkor押注美國(guó),
承接臺(tái)積電與蘋果需求
全球第二大 OSAT(外包封測(cè))企業(yè) Amkor(安靠)在 2025年 8 月 28 日宣布,對(duì)其在美國(guó)亞利桑那州皮奧里亞市的先進(jìn)封測(cè)設(shè)施項(xiàng)目進(jìn)行重大調(diào)整。新廠選址仍在皮奧里亞市,但占地面積從原先的 56 英畝擴(kuò)大至 104 英畝,幾乎翻倍。這一變化不僅是土地規(guī)模的擴(kuò)展,更反映了 Amkor 對(duì)未來(lái)先進(jìn)封裝需求的重新評(píng)估與加碼。
業(yè)界普遍認(rèn)為, Amkor此次的調(diào)整,是因?yàn)榇箫L(fēng)險(xiǎn)結(jié)構(gòu)發(fā)生了轉(zhuǎn)變。美國(guó)晶圓廠的投資熱潮已進(jìn)入深水區(qū),但后端封裝環(huán)節(jié)長(zhǎng)期滯后。Amkor 的工廠因此成為迄今為止美國(guó)最具雄心的外包封裝項(xiàng)目,也被視作供應(yīng)鏈“補(bǔ)短板”的關(guān)鍵標(biāo)志——美國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策,正在從前端制造延伸到后端封測(cè)。
根據(jù)最新計(jì)劃,該設(shè)施總投資規(guī)模擴(kuò)大至 20 億美元(約合 142.5 億元人民幣),將在未來(lái)數(shù)日內(nèi)正式開工建設(shè),預(yù)計(jì) 2028 年初投產(chǎn),可創(chuàng)造超過(guò) 2000 個(gè)就業(yè)崗位。這一進(jìn)度相較此前的 17 億美元投資、2027 年底投產(chǎn)的方案有所推遲,但產(chǎn)能規(guī)模更大,定位也更明確——即專注于高性能先進(jìn)封裝平臺(tái)。
新工廠將主要支持臺(tái)積電的CoWoS 與 InFO 技術(shù),這些工藝是 Nvidia 數(shù)據(jù)中心 GPU 和 Apple 最新自研芯片的關(guān)鍵支撐。臺(tái)積電已與 Amkor 簽署諒解備忘錄,將菲尼克斯晶圓廠的部分封裝業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)移至 Amkor,以避免晶圓跨太平洋運(yùn)送所需的數(shù)周周轉(zhuǎn)時(shí)間。換言之,臺(tái)積電與 Amkor 在美國(guó)首次形成晶圓制造+封裝的本地閉環(huán)。
更具象征意義的是,據(jù)報(bào)道,蘋果已鎖定成為 Amkor 新廠的首家、也是最大客戶。蘋果一向?qū)?yīng)鏈安全極為敏感,此舉被視為其對(duì)美國(guó)先進(jìn)封裝能力的直接背書。
在《芯片法案》4.07 億美元資金補(bǔ)貼與聯(lián)邦稅收抵免的支持下,Amkor 的擴(kuò)張兼具公共政策導(dǎo)向與企業(yè)戰(zhàn)略考量。在多芯片封裝復(fù)雜性不斷攀升的背景下,美國(guó)若要確保自身在 AI 和 HPC 時(shí)代保持競(jìng)爭(zhēng)力,必須在后端環(huán)節(jié)形成完整能力。Amkor 的新廠,正是這一戰(zhàn)略的落地體現(xiàn)。
國(guó)內(nèi)廠商:加速追趕
在全球先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)加速擴(kuò)產(chǎn)的浪潮下,長(zhǎng)電科技、通富微電和華天科技作為中國(guó)封測(cè)“三巨頭”,正在形成各自的特色路徑。
長(zhǎng)電科技:XDFOI? 打開高性能突破口
在2025 年半年度業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上,長(zhǎng)電科技指出,先進(jìn)封裝技術(shù)正處于動(dòng)態(tài)演進(jìn)中,一些此前的主流概念,比如一兩年前2.5D/3D 被視為封裝核心的技術(shù),到今年、明年又將發(fā)生顯著變化。也正因如此,我們必須加大先進(jìn)封裝領(lǐng)域的投資,全面覆蓋當(dāng)前各類前沿技術(shù)。事實(shí)上,長(zhǎng)電科技無(wú)論在海外研發(fā)中心還是國(guó)內(nèi)團(tuán)隊(duì),都已在這些技術(shù)方向上布局多年;當(dāng)前階段,我們正進(jìn)一步加大投入,推動(dòng)這些技術(shù)從研發(fā)走向客戶產(chǎn)品導(dǎo)入環(huán)節(jié),而前期的產(chǎn)能布局也已納入研發(fā)與資本投入規(guī)劃,各項(xiàng)工作均在積極推進(jìn)。
資本支出方面,公司目前保持全年85億元資本支出計(jì)劃不變,重點(diǎn)投向先進(jìn)封裝的技術(shù)突破,以及汽車電子、功率半導(dǎo)體、能源市場(chǎng)等需求增長(zhǎng)最快的領(lǐng)域。
在技術(shù)體系上,長(zhǎng)電科技已具備 SiP、WL-CSP、FC、eWLB、PiP、PoP 等多種封裝工藝,并在高性能方向推出了 XDFOI? 芯粒高密度多維異構(gòu)集成系列工藝,已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這是一種面向 Chiplet 的扇出型異構(gòu)封裝方案,通過(guò)設(shè)計(jì)-工藝協(xié)同突破了 2.5D/3D 的限制,為長(zhǎng)電在高端市場(chǎng)打開了新空間。
通富微電:深度綁定 AMD
通富微電在2025年上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 130.38 億元,同比增長(zhǎng) 17.67%;凈利潤(rùn) 4.12 億元,同比增長(zhǎng) 27.72%。其增長(zhǎng)的核心動(dòng)能,來(lái)自于與 AMD 的深度合作。公司不僅是 AMD 最大的封測(cè)供應(yīng)商,占其訂單超過(guò) 80%,還通過(guò)“合資+合作”的模式,形成了高度綁定的戰(zhàn)略伙伴關(guān)系。
在技術(shù)突破上,通富在大尺寸 FCBGA方面取得顯著進(jìn)展:大尺寸產(chǎn)品已量產(chǎn),超大尺寸產(chǎn)品也進(jìn)入正式考核階段,并通過(guò)材料、工藝優(yōu)化解決了翹曲與散熱等關(guān)鍵難題。同時(shí),公司在 CPO(光電合封) 技術(shù)上實(shí)現(xiàn)突破,相關(guān)產(chǎn)品已完成初步可靠性驗(yàn)證,顯示出在未來(lái)光電融合封裝領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。
在Power產(chǎn)品方面,通富推出了Power DFN-clip sourcedown雙面散熱產(chǎn)品,滿足大電流、低功耗、高散熱等應(yīng)用需求;還通過(guò)正反鍍銅工藝提升傳統(tǒng)打線類封裝的性能。公司在 Cu wafer 封裝上完成工藝平臺(tái)搭建,成功解決了切割、裝片、打線等工藝瓶頸。
在產(chǎn)能布局上,通富已在南通、合肥、廈門、蘇州 以及馬來(lái)西亞檳城形成多點(diǎn)開花格局,并通過(guò)收購(gòu)京隆科技 26% 股權(quán)切入高端 IC測(cè)試領(lǐng)域。這不僅提升了其產(chǎn)能和技術(shù)深度,也優(yōu)化了投資收益結(jié)構(gòu),進(jìn)一步增強(qiáng)企業(yè)的綜合競(jìng)爭(zhēng)力。
華天科技:積極探索 CPO
2025上半年,公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入77.80 億元,同比增長(zhǎng)15.81%。公司現(xiàn)已掌握了 SiP、FC、TSV、Bumping、Fan-Out、WLP、3D 等集成電路先進(jìn)封裝技術(shù)。
上半年,公司開發(fā)完成 ePoP/PoPt 高密度存儲(chǔ)器及應(yīng)用于智能座艙與自動(dòng)駕駛的車規(guī)級(jí) FCBGA 封裝技術(shù)。2.5D/3D 封裝產(chǎn)線完成通線。啟動(dòng) CPO 封裝技術(shù)研發(fā),關(guān)鍵單元工藝開發(fā)正在進(jìn)行之中。FOPLP 封裝完成多家客戶不同類型產(chǎn)品驗(yàn)證,通過(guò)客戶可靠性認(rèn)證。
總結(jié)
先進(jìn)封裝正把競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)從“納米制程”轉(zhuǎn)向“系統(tǒng)集成”。美國(guó)通過(guò)“前端制程 + 后端封裝”的本土化雙輪在加速成形:臺(tái)積電美國(guó)(SoIC/CoPoS)+ 英特爾(Foveros/玻璃基板TGV)+ 三星美國(guó)(SoP、玻璃基板、2.5D/3D與Chiplet) 構(gòu)成互補(bǔ)格局。若這些產(chǎn)線按計(jì)劃爬坡,數(shù)年內(nèi)美國(guó)極有可能成為全球 <5nm 制程與先進(jìn)封裝的綜合產(chǎn)能第一。
相比臺(tái)積電、日月光、Amkor 的超前擴(kuò)張,國(guó)內(nèi)廠商仍處于追趕階段。但隨著 AI、汽車電子、功率器件和光電融合的市場(chǎng)需求快速增長(zhǎng),國(guó)內(nèi) OSAT 已從“補(bǔ)位”角色逐步向“突破”角色轉(zhuǎn)變。未來(lái)幾年,中國(guó)廠商有望在特定細(xì)分領(lǐng)域形成與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)者抗衡的優(yōu)勢(shì)。
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