過去半年，全球存儲芯片價格持續(xù)上漲。特別是最近一個月，漲價消息越發(fā)密集。韓國三星電子公司、美國閃迪等主要廠商近期陸續(xù)通知客戶調整報價，現貨市場價格也在短時間內快速上行。

最近一個月，芯片制造商美光股價累計上漲約60%，鎧俠與閃迪股價累計上漲均超過100%。

9月下旬，韓國三星電子向主要客戶發(fā)出第四季度提價通知，計劃將部分DRAM價格上調15%至30%，NAND閃存價格上調5%至10%。美國芯片制造商美光在9月一度暫停部分存儲芯片報價，恢復報價后，新價格普遍上漲約20%。另一存儲芯片巨頭閃迪也已在9月上調NAND閃存報價，幅度約為10%，消費級與企業(yè)級產品均有涉及。

隨著近年來生成式AI的快速發(fā)展，全球對高帶寬內存HBM的需求急劇增加。例如，OpenAI名為“星際之門”的數據中心項目預計每月需要高達90萬片晶圓，可能占全球DRAM總產量的40%。

而隨著存儲芯片產能逐步向計算卡、服務器等高利潤、高附加值方向傾斜，傳統(tǒng)存儲類別如DDR4反而面臨供給緊張。業(yè)內人士分析，由于DDR4產能逐步被邊緣化，加之下游的個人電腦及部分工業(yè)設備仍有穩(wěn)定需求，短期市場出現供需結構性失衡，推動DDR4價格異常上行。

現貨市場的劇烈波動也反映了這一問題。根據集邦咨詢公司匯總的數據，主流DRAM芯片現貨均價已連續(xù)三周漲幅超過5%，尤其是供應緊張的DDR4，價格在不到一個月內累計上漲接近30%，半年累計漲幅超過200%。

另外，上游廠商的漲價潮已逐漸蔓延至中下游市場。存儲模組大廠威剛日前宣布，停止DDR4報價，DDR5與NAND閃存優(yōu)先供應主要客戶。

資本市場對近期存儲芯片行情的變化給出了直接反饋，多家廠商股價持續(xù)刷新歷史最高值。最近一個月，美光股價累計上漲約60%，鎧俠與閃迪股價累計上漲均超過100%。分析師指出，隨著AI計算等需求持續(xù)強勁，以及存儲產能向高端方向集中，本輪漲價趨勢可能在短期內仍將延續(xù)。

外資追捧助推

三星電子和SK海力士股價大幅上漲

作為全球存儲芯片領軍企業(yè)，SK海力士和三星電子在這一輪漲價潮中備受矚目。

隨著AI技術飛速發(fā)展和廣泛應用以及AI服務器、數據中心等AI基建的需求大增，近來存儲芯片供應緊張，全球存儲芯片市場正在經歷一場前所未有的價格風暴。根據韓國業(yè)內消息，三星電子或將于第四季度上調內存和閃存產品價格，部分產品上調幅度約達30%。同樣有觀測認為，SK海力士近期也將加入漲價行列。

出于對市場前景和漲價后業(yè)績攀升等的高度期待，近期三星電子和SK海力士兩家公司的股價可謂一路高歌。截至節(jié)前最后一個交易日（2日）收盤，9月以來SK海力士股價暴漲約47%，公司市值更是首次突破288萬億韓元（約合人民幣1.46萬億元）；同期，三星電子股價累計漲幅約達28%。兩家公司本輪上漲行情主要得益于外資的追捧，數據顯示，外資對SK海力士和三星電子的持股比例分別在9月末和10月初增至今年以來最高水平。

近日，韓國券商紛紛上調三星電子和SK海力士的業(yè)績展望，普遍預測SK海力士和三星電子第三季度的營業(yè)利潤均將突破10萬億韓元，這或將成為SK海力士公司有史以來的單季最高水平。據了解，兩家公司將于節(jié)后發(fā)布第三季度業(yè)績，本輪芯片價格上漲對公司營收和利潤的實際影響成為目前行業(yè)關注的最大焦點。

值得注意的是，SK海力士和三星電子在全球HBM高帶寬芯片等高附加值芯片領域占據絕對影響力。目前SK海力士已建成全球首個HBM4量產體系，三星電子也在加速擴建工廠，緊鑼密鼓地為HBM4量產做準備。同時，兩家公司還積極與國際知名AI大企業(yè)進行交流，先后在本月初和OpenAI就構建全球人工智能基建簽署意向書，達成戰(zhàn)略合作關系。

行業(yè)分析認為，今后兩家公司或將為OpenAI的“星際之門”項目供應芯片及其他設備，由于規(guī)模龐大，預計此次合作或將成為公司股價和業(yè)績進一步上升的新引擎。

人工智能熱潮下

存儲芯片行業(yè)將迎來“超級周期”

從行業(yè)角度來看，摩根士丹利的最新研報預測，人工智能熱潮下，存儲芯片行業(yè)預計迎來一個“超級周期”。市場需求高企的背景下，存儲芯片行業(yè)也開始出現供不應求、漲價、轉變訂貨模式等一系列連鎖反應。

芯片是一個很大的概念，要驅動人工智能模型運轉，一方面需要負責運算的邏輯芯片，比如CPU、GPU這些處理器；另一方面同樣離不開能夠高速存儲和調用數據的存儲芯片。近期，摩根士丹利的最新研報就預測，人工智能熱潮下，存儲芯片行業(yè)或迎來一個“超級周期”。

存儲芯片主要分為兩大類：一類是動態(tài)隨機存取存儲器DRAM，它類似大腦的筆記本，容量大，可以用來臨時保存和調用數據；而在DRAM的類別里，還有一種采用特殊封裝形式的高性能芯片，高帶寬存儲器HBM，它就像大腦的短時記憶，速度極快，專門用于AI的訓練和推理，因此也格外受到市場追捧；第二類則是NAND閃存，它類似大腦的檔案庫，也就是長期記憶，負責存放海量數據和模型參數。

長期以來，存儲芯片其實一直是半導體行業(yè)里“缺乏光環(huán)”的一方，相比之下，英偉達、AMD等公司設計的邏輯芯片更受到市場矚目，但是如今情況在悄然變化。

生成式AI熱潮導致高容量、高速芯片的需求激增，存儲芯片的兩大龍頭企業(yè)——三星和SK海力士正接獲大量訂單。

存儲芯片行業(yè)也開始出現供不應求、漲價、轉變訂貨模式等一系列連鎖反應。摩根士丹利預測，到2026年NAND閃存將出現高達8%的供應缺口。

摩根士丹利還預計，今年第四季度，動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的價格將環(huán)比上漲約9%。由此摩根士丹利還將韓國半導體行業(yè)的評級上調至了“具有吸引力”，并將SK海力士的評級從“保持”上調至了“增持”。

而在最受市場追捧的高帶寬存儲器HBM領域，現在每一塊HBM芯片都需針對特定的AI GPU定制，客戶需要提前一年下單，合同通常為一年期。這與傳統(tǒng)DRAM芯片形成了鮮明對比，后者可以隨時采購，甚至當天交付，并且容易更換供應商。新的訂貨模式不僅提升了供應穩(wěn)定性，也顯著增強了存儲廠商的議價能力。花旗分析指出，HBM的毛利率約在50%到60%，而傳統(tǒng)的DRAM僅為30%左右。

得益于市場對HBM芯片的需求，近期SK海力士在相關營收上首次超過了三星，打破了長期以來的行業(yè)格局。多數分析認為，未來五年HBM將繼續(xù)主導存儲芯片市場。不過也有分析人士提醒，存儲芯片本質上依然是一個強周期行業(yè)，價格高度依賴供需變化，未來還需警惕潛在的技術替代和需求波動。

來源：央視財經