天津
（全球TMT2025年10月16日訊）三安集成（三安光電子公司）通過(guò)在制造工藝端的迭代，為設(shè)計(jì)公司提供支持和解決方案。在射頻芯片工藝中，砷化鎵射頻（GaAs RF）芯片工藝是關(guān)鍵技術(shù)之一，主流的工藝路線(xiàn)有HBT（雙極型異質(zhì)結(jié)三極管）與pHEMT（贗調(diào)高遷移率晶體管）。三安集成針對(duì)客戶(hù)需求，推出0.4μm Ledge GaAs HBT工藝H10HP56，實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率，使器件在C波段范圍內(nèi)的高功率應(yīng)用需求，并著重在智能手機(jī)、Wi-Fi 7、衛(wèi)星通信等領(lǐng)域提供優(yōu)越的放大效率和頑健性。
H10HP56采用三安集成自研InGaP材料外延，在實(shí)現(xiàn)較高電流增益的情況下，減小基極電阻，從而實(shí)現(xiàn)較高的工作頻率；該工藝全面適配銅柱倒裝工藝，實(shí)現(xiàn)更小的芯片封裝面積和散熱效率，提升系統(tǒng)的可靠性。該工藝自2024年底推出，已完成在戰(zhàn)略客戶(hù)項(xiàng)目中的先導(dǎo)量產(chǎn)，預(yù)計(jì)于第四季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。
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