(全球TMT2025年10月16日訊)三安集成(三安光電子公司)通過(guò)在制造工藝端的迭代,為設(shè)計(jì)公司提供支持和解決方案。在射頻芯片工藝中,砷化鎵射頻(GaAs RF)芯片工藝是關(guān)鍵技術(shù)之一,主流的工藝路線(xiàn)有HBT(雙極型異質(zhì)結(jié)三極管)與pHEMT(贗調(diào)高遷移率晶體管)。三安集成針對(duì)客戶(hù)需求,推出0.4μm Ledge GaAs HBT工藝H10HP56,實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率,使器件在C波段范圍內(nèi)的高功率應(yīng)用需求,并著重在智能手機(jī)、Wi-Fi 7、衛(wèi)星通信等領(lǐng)域提供優(yōu)越的放大效率和頑健性。
H10HP56采用三安集成自研InGaP材料外延,在實(shí)現(xiàn)較高電流增益的情況下,減小基極電阻,從而實(shí)現(xiàn)較高的工作頻率;該工藝全面適配銅柱倒裝工藝,實(shí)現(xiàn)更小的芯片封裝面積和散熱效率,提升系統(tǒng)的可靠性。該工藝自2024年底推出,已完成在戰(zhàn)略客戶(hù)項(xiàng)目中的先導(dǎo)量產(chǎn),預(yù)計(jì)于第四季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。
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