AMD銳龍9000系列對高頻內(nèi)存的支持進(jìn)一步加強,各家主板廠商推出的新一代主板也能更好的支持8000MT/s以上的內(nèi)存,支持8000MT/s EXPO的內(nèi)存就再次成為了玩家們選購的焦點。這次我們就一起來看一下佰維DW100 OC LAB聯(lián)名款雙檔EXPO內(nèi)存的表現(xiàn)。
旗艦發(fā)燒DDR5套裝,10層PCB特挑ADie顆粒
佰維DW100 OC LAB聯(lián)名款雙檔EXPO內(nèi)存(OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5)采用了黑金配色,和普通的DW100系列有明顯的區(qū)別。它整體為黑色啞光散熱裝甲,以金色紋理和文字加以點綴,神秘中充滿了高端感。
內(nèi)存頂部則是光污染玩家喜愛的燈帶,其擁有8個區(qū)域的1680萬色可編程RGB燈光,具有超過10組燈效模式,能夠支持華碩、技嘉、微星、華擎等主流主板廠商的燈光同步。玩家們可以充分自定義設(shè)置,打造統(tǒng)一的動態(tài)視覺效果。
佰維DW100 OC LAB聯(lián)名款雙檔EXPO內(nèi)存擁有10層PCB,帶來更好的抗干擾性能,提供更加穩(wěn)定的電氣性能,為超頻打下良好基礎(chǔ)。它采用不鎖電壓PMIC設(shè)計,可根據(jù)玩家需求動態(tài)調(diào)節(jié)電壓,帶來更好的超頻體驗。散熱裝甲則采用了創(chuàng)新的三翅片散熱設(shè)計,保證內(nèi)存在高頻下依舊能控制在一個合理的溫度,進(jìn)一步提高高頻使用時的穩(wěn)定性。
該內(nèi)存采用了特挑的海力士A-Die顆粒,具備優(yōu)秀的超頻性能。它是全球首款量產(chǎn)上市的雙檔EXPO配置內(nèi)存,也就是說其具備了兩組EXPO認(rèn)證配置,分別對應(yīng)8000MT/s和6400MT/s兩個檔位。這條聯(lián)名內(nèi)存有DDR5-8000 CL34和DDR5-8000 CL36兩種不同的規(guī)格供玩家選擇,兩者的高頻EXPO配置略有不同,低頻EXPO配置則保持一直,具體如下:
DDR5-8000 CL34:
8000MT/s EXPO時序CL34-46-46-108
6400MT/s EXPO時序CL28-38-38-76
DDR5-8000 CL36:
8000MT/s EXPO時序CL36-46-46-108
6400MT/s EXPO時序CL28-38-38-76
本次體驗測試的是是其中高頻8000MT/s CL36的版本。這樣的雙檔EXPO讓玩家使用起來更加靈活。對于AMD平臺的游戲玩家來說,6400MT/s是一個甜點頻率,這個內(nèi)存頻率下大多數(shù)玩家的AMD CPU都能使用UCLK=MCLK的同步模式,而CL28則又能很好的降低延遲,帶來比較優(yōu)秀的游戲性能。同時,如果玩家的的CPU體質(zhì)不那么好或者主板內(nèi)存支持不那么完善,無法跑到8000MT/s這種高頻率下時,也能有一個不錯的內(nèi)存性能體驗。
8000MT/s則能在一定程度上提升帶寬,在部分需要高內(nèi)存帶寬的生產(chǎn)力應(yīng)用中帶來一些性能上的加成,不過由于在高頻下只能使用UCLK=MCLK/2的異步模式,所以延遲方面通常比較吃虧。但是因為佰維DW100 OC LAB聯(lián)名款雙檔EXPO內(nèi)存在8000MT/s下的EXPO設(shè)置將CL值也降到了34/36,所以總體來看并不會比6400MT/s的設(shè)置下游戲性能差太多,而高頻率對于部分需求高頻率的游戲來說,也能提升一定的游戲性能。
容量方面,該內(nèi)存為DDR5套條,單條16GB,套裝為雙條,組成16GB×2的32GB組合,足夠滿足游戲玩家日常使用的需要。
雙檔EXPO配置,低延遲高帶寬全都有
我們對該內(nèi)存進(jìn)行了實測。因為AMD CPU I/O Die的關(guān)系,單CCD和雙CCD的CPU內(nèi)存性能并不一致,單CCD的CPU在讀寫性能上會明顯落后于雙CCD的CPU,所以我們分開進(jìn)行了測試。另外,因為CPU體質(zhì)和主板內(nèi)存超頻能力等原因,會對內(nèi)存讀寫性能、延遲和超頻能力有一定的影響,所以以下結(jié)果僅供參考,特別是超頻測試。
測試平臺:
內(nèi)存:佰維DW100 OC LAB聯(lián)名款雙檔EXPO內(nèi)存
DDR5 8000MT/s CL36 16GB×2
CPU:AMD 銳龍5 9600X
AMD銳龍9 9900X
AMD 銳龍9 9950X
主板:ROG CROSSHAIR X870E HERO
我們使用AIDA64對該內(nèi)存進(jìn)行了讀寫性能的測試。首先來看看CPU為單CCD的銳龍5 9600X的表現(xiàn)?梢钥吹皆谀J(rèn)的5600MT/s CL46下,無論是讀寫還是延遲的表現(xiàn)都比較一般。加載6400MT/s CL28的EXPO設(shè)置后,可以看到無論是讀寫性能還是延遲表現(xiàn)都有了大幅的提升,其中延遲直接降低了25%,這對延遲敏感的游戲來說提升會非常明顯,所以大家拿到內(nèi)存以后一定要在BIOS開啟EXPO設(shè)置,不然就是花了錢卻沒有享受到應(yīng)有的性能。不過因為主板默認(rèn)小參調(diào)教等原因,加載8000MT/s的EXPO設(shè)置后相比6400MT/s EXPO設(shè)置時沒有提升,還略微降低了一點。
我們也嘗試了超頻,在簡單的設(shè)置并對小參進(jìn)行調(diào)整后,內(nèi)存頻率可以進(jìn)一步提升到8200MT/s,延遲則還能進(jìn)一步降低到CL34。此時的內(nèi)存讀寫性能有了比較明顯的提升,但受限于CPU是單CCD,依舊沒能跑滿。延遲為66.7ns,相比6400MT/s同步模式下進(jìn)一步降低。
再來看看該內(nèi)存在雙CCD的CPU銳龍9 9900X的下的表現(xiàn)(選擇銳龍9 9900X是因為我們手里的這顆比銳龍9 9950X的IMC體質(zhì)要好,內(nèi)存超頻更容易一些)?梢钥吹皆6400MT/s的EXPO設(shè)置下,相比5600MT/s的默認(rèn)設(shè)置在讀寫性能和延遲方面就已經(jīng)有了大幅的進(jìn)步,讀取提升了39%,寫入提升了34%,復(fù)制提升了32%,延遲降低了29%,雙CCD的CPU確實能帶來更好的內(nèi)存性能釋放。加載8000MT/s的EXPO設(shè)置后相比6400MT/s EXPO設(shè)置時表現(xiàn)基本一致,特別是大家關(guān)心的異步狀態(tài)下的延遲表現(xiàn),因為有著CL36的時序,所以和6400MT/s下幾乎沒有差別。
我們同樣對其進(jìn)行了超頻和調(diào)整小參。經(jīng)過簡單的嘗試,在提升頻率的同時降低時序,該內(nèi)存可以跑到8200MT/s CL34,而如果時序保持CL36不變,則可以將頻率提升到8400MT/s。從測試來看,這對內(nèi)存應(yīng)該是可以跑到8400MT/s CL34的,但是需要更多更細(xì)致的超頻調(diào)整。
超頻后的讀寫性能得到了進(jìn)一步提升?梢钥吹皆8200MT/s時,讀取和寫入性能都已經(jīng)超過了100000MB/s,提升非常明顯。而此時的延遲則進(jìn)一步降低,已經(jīng)低于6400MT/s CL28了。而頻率提升到8400MT/s時,相比8200MT/s在讀寫性能上還能再提升一點,不過不是太多,雖然此時的時序漲到了CL36,但因為頻率也提升了200MT/s,所以綜合下來延遲相較于8200MT/s時還低了一點。
最后我們使用銳龍9 9950X在7Zip中進(jìn)行了Benchmark測試,由此來看看高頻率高帶寬在實際軟件環(huán)境中的表現(xiàn)。
從測試可以看到,隨著內(nèi)存頻率的提升,7Zip的跑分也隨之提升,特別是對壓縮性能的提升相對較大一些。
總結(jié):表現(xiàn)優(yōu)秀,兼顧高頻與低延遲的雙重需求
作為業(yè)界首款同時搭載8000MT/s CL36與6400 MT/s CL28雙EXPO配置的旗艦發(fā)燒級內(nèi)存,佰維DW100 OC LAB聯(lián)名款雙檔EXPO內(nèi)存很好的平衡了AMD平臺內(nèi)存的選擇困境,玩家無需在低延遲和高頻率高帶寬中作出妥協(xié),可以很好的實現(xiàn)兩者兼顧。而雙檔EXPO設(shè)置,也能更好的適配不同玩家的平臺,兩檔EXPO配置對于不想動手想省心的玩家來說,可以方便的選擇自己想要的甜點頻率,一鍵開啟高性能表現(xiàn)。而10層PCB加特挑ADie顆粒,也讓有動手能力的玩家能夠更輕松的挑戰(zhàn)超頻極限?偟膩碚f,該內(nèi)存是發(fā)燒玩家值得關(guān)注的選擇。
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