財(cái)聯(lián)社10月25日訊（記者 王碧微）“這次漲價(jià)的特別之處在于，我在這個(gè)行業(yè)這么多年，之前從未見過漲價(jià)周期能夠持續(xù)這么久。”國內(nèi)一家存儲模組廠的員工近日向財(cái)聯(lián)社記者感嘆道。

眼下，存儲芯片市場正經(jīng)歷一場由AI驅(qū)動的、前所未有的全面缺貨與漲價(jià)潮。這場始于上半年的漲勢，進(jìn)入第四季度非但沒有趨緩，反而有進(jìn)一步加劇的跡象。

有存儲產(chǎn)業(yè)鏈人士告訴財(cái)聯(lián)社記者，目前部分存儲原廠已經(jīng)對部分Dram和Flash產(chǎn)線采取暫停報(bào)價(jià)策略；漲價(jià)壓力亦已傳導(dǎo)至終端市場，小米集團(tuán)創(chuàng)始人雷軍24日在微博上直言，“最近內(nèi)存漲價(jià)實(shí)在太多”。

究其原因，此輪漲價(jià)的核心驅(qū)動力并非簡單的周期性波動，而是以HBM為代表的AI需求爆發(fā)，正徹底打破存儲行業(yè)的傳統(tǒng)供需平衡。

TrendForce集邦咨詢分析師許家源向財(cái)聯(lián)社記者指出，原廠產(chǎn)能正優(yōu)先分配給高階Server DRAM和HBM，從而擠壓了傳統(tǒng)消費(fèi)電子所需的DDR4、LPDDR4X等舊制程產(chǎn)品供給，DDR4的緊缺或持續(xù)到26年的H1。對于國內(nèi)廠商而言，許家源認(rèn)為模組廠已積極儲備顆粒及晶圓（wafer）庫存，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)鏈正試圖通過積極囤貨和調(diào)漲價(jià)格，迎接這場結(jié)構(gòu)性景氣新時(shí)代。

四季度漲勢超預(yù)期：AI驅(qū)動“計(jì)劃性犧牲”引發(fā)供應(yīng)結(jié)構(gòu)失衡

眾所周知，存儲行業(yè)周期性極強(qiáng)，大漲后往往伴隨著低迷。而今年，存儲芯片價(jià)格的上漲已持續(xù)超過半年，進(jìn)入四季度，其漲勢非但沒有趨緩，反而因多重因素疊加而進(jìn)一步加劇。

CFM閃存市場最新報(bào)價(jià)顯示，產(chǎn)業(yè)上游成本的急速攀升，DDR4 16Gb 3200現(xiàn)貨報(bào)價(jià)本周已達(dá)到13.00美元，較上周暴漲30%；同時(shí)，512Gb Flash Wafer價(jià)格10月以來累計(jì)漲幅也已超過20%。

有存儲產(chǎn)業(yè)鏈人士向財(cái)聯(lián)社記者透露，目前原廠的部分Dram和Flash產(chǎn)品已經(jīng)處于停止報(bào)價(jià)狀態(tài)，就算報(bào)價(jià)，價(jià)格有效期也很短，“一天一個(gè)價(jià)”她說。

許家源則向記者預(yù)計(jì)，DRAM的整體價(jià)格（加計(jì)HBM）在第四季度將季增13%-18%。

多位存儲從業(yè)人士均向記者表示，這種產(chǎn)業(yè)鏈全面上漲如此之長時(shí)間的“超級周期”，此前見所未見。

資本市場亦對這輪“超級周期”反應(yīng)熱烈。10月24日，A股存儲芯片概念再度爆發(fā)，普冉股份（688076.SH）、香農(nóng)芯創(chuàng)（300475.SZ）強(qiáng)勢20%漲停，佰維存儲（688525.SH）、江波龍（301308.SZ）等漲超10%。

AI驅(qū)動的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移引發(fā)產(chǎn)品供應(yīng)的結(jié)構(gòu)性失衡是此輪漲價(jià)的核心邏輯。

AI大模型的發(fā)展，帶動著產(chǎn)業(yè)鏈對于GPU等基礎(chǔ)設(shè)施的需求。摩根士丹利日前預(yù)測，今年科技巨頭在AI基礎(chǔ)設(shè)施上的投入將達(dá)到4000億美元。這創(chuàng)造了存儲芯片的海量需求。Yole Group預(yù)計(jì)，2025年，主要用于GPU生產(chǎn)的HBM產(chǎn)品的營收預(yù)計(jì)將接近翻倍，達(dá)到約340億美元；HBM 市場將在2030年前保持33%的年復(fù)合增長率，屆時(shí)其營收將超過 DRAM 市場總營收的50%。

而由于HBM所消耗的晶圓容量是標(biāo)準(zhǔn)DRAM的三倍多，在總產(chǎn)能有限的情況下，迫使存儲巨頭們將產(chǎn)能重點(diǎn)轉(zhuǎn)向利潤更高的HBM和DDR5。許家源告訴財(cái)聯(lián)社記者，原廠已將產(chǎn)能優(yōu)先保障生產(chǎn)Server DRAM及HBM。

因此，隨著原廠將產(chǎn)能優(yōu)先轉(zhuǎn)移至火熱的高價(jià)值產(chǎn)品，DDR4、LPDDR4X等舊制程產(chǎn)品則開始面臨“計(jì)劃性犧牲”而供應(yīng)緊缺，產(chǎn)品漲價(jià)范圍也從需求暴增的HBM擴(kuò)大至整個(gè)存儲市場。

多位模組廠人士向記者表示，從今年一季度開始，DDR4的原廠價(jià)格持續(xù)走高。根據(jù)慢慢買App，一款金士頓（Kingston）的DDR4臺式機(jī)內(nèi)存條，價(jià)格從今年3月開始急速上漲，目前售價(jià)已超去年同期兩倍。
手機(jī)等終端市場也對存儲漲價(jià)產(chǎn)生反饋。23日發(fā)售的Redmi K90系列手機(jī)部分版本售價(jià)較上一代上調(diào)了100-400元不等，小米集團(tuán)總裁盧偉冰對此公開表示，來自上游的成本壓力，已真實(shí)的傳導(dǎo)到了其新品定價(jià)上。他坦言，無法改變?nèi)蚬?yīng)鏈的走勢，存儲成本上漲也遠(yuǎn)高于預(yù)期，且會持續(xù)加劇，但小米希望這份誠意能夠讓大家理解。

許家源指出，未來，DDR4供給預(yù)計(jì)將持續(xù)緊缺，至少延續(xù)至1H26。威剛董事長陳立白也在日前公開表示，看好第四季才是存儲大多頭的起點(diǎn)，也是存儲嚴(yán)重缺貨的開始，明年產(chǎn)業(yè)榮景可期。

對于這種情況，許家源告訴記者，不少下游廠商已經(jīng)在想辦法應(yīng)對。其中，PC OEMs正在加速導(dǎo)入DDR5機(jī)種來應(yīng)對，而TV、網(wǎng)通等Consumer領(lǐng)域則放緩了由DDR3轉(zhuǎn)至DDR4的進(jìn)程。

國內(nèi)模組廠積極囤貨待漲

在這輪由AI開啟的行業(yè)新周期中，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)鏈的各環(huán)節(jié)正積極調(diào)整策略，試圖擴(kuò)大盈利能力并提升市場地位。

此次“超級周期”對各個(gè)生產(chǎn)環(huán)節(jié)影響存在明顯差異。首先，對于模組廠而言，囤貨成為應(yīng)對漲價(jià)、確保盈利的關(guān)鍵。江波龍證券部人士告訴財(cái)聯(lián)社記者，上游漲價(jià)對公司的毛利率有正向的貢獻(xiàn)，因?yàn)楣咎崆坝写尕?。許家源也表示，八月以來模組廠已積極儲備顆粒及晶圓（wafer）庫存、并調(diào)漲模組產(chǎn)品定價(jià)。

不過，并非所有模組廠商都采取大規(guī)模囤貨的政策。朗科科技證券部人士表示，公司采取“清庫存”的運(yùn)營模式，庫存量相對同行要少一些，因此業(yè)績波動性會小一些。

芯片設(shè)計(jì)公司和分銷商則更依靠于產(chǎn)業(yè)鏈的價(jià)格傳導(dǎo)。

普冉股份（688076.SH）證券部人士向財(cái)聯(lián)社記者表示，公司正與下游客戶商談漲價(jià)，“四季度開始有一些供給緊張，然后肯定是跟下游商談，想要博弈去看一下是不是能有漲幅。”

分銷商的香農(nóng)芯創(chuàng)（300475.SZ）證券部人士表示，公司就分銷業(yè)務(wù)而言，毛利水平基本上是穩(wěn)定的，但上游采購價(jià)格上漲，分銷給下游的價(jià)格也會上漲，“存儲的行情影響，對我們影響更多的是量帶來的變化，毛利的變化不會特別大?！?/p>

值得注意的是，國際原廠的漲價(jià)需求已傳導(dǎo)至國內(nèi)晶圓廠。國內(nèi)一家存儲大廠人士向財(cái)聯(lián)社記者表示，國外原廠漲價(jià)令部分國產(chǎn)廠商轉(zhuǎn)向國內(nèi)晶圓廠。在這種背景下，原廠獲利顯著擴(kuò)大已是行業(yè)共識。

最后，在這種結(jié)構(gòu)性變革中，國產(chǎn)廠商也正加速擁抱AI新周期。

除積極擴(kuò)大企業(yè)級SSD等產(chǎn)品的供應(yīng)，國內(nèi)企業(yè)正將目光聚焦于HBM、先進(jìn)封裝和服務(wù)器DDR5等高附加值領(lǐng)域，力圖在國際大廠戰(zhàn)略性調(diào)整產(chǎn)能之際抓住機(jī)遇。

目前，國產(chǎn)HBM產(chǎn)業(yè)鏈上較成熟的環(huán)節(jié)在于檢測設(shè)備、先進(jìn)封裝等。賽騰股份(603283.SH)日前在投資者平臺表示，公司HBM檢測設(shè)備已得到海外大客戶的認(rèn)可并已批量出貨，國內(nèi)市場正在積極開拓中；中微公司（688012.SH）此前也公開表示，已在先進(jìn)封裝領(lǐng)域（包含高寬帶存儲器HBM工藝）全面布局，包含刻蝕、CVD、PVD、晶圓量檢測設(shè)備等，且已經(jīng)發(fā)布CCP刻蝕及TSV深硅通孔設(shè)備。

此外，佰維存儲日前表示，公司的晶圓級先進(jìn)封測制項(xiàng)目正處于投產(chǎn)準(zhǔn)備過程中，項(xiàng)目建設(shè)完成后將為客戶提供“存儲+晶圓級先進(jìn)封測”一站式綜合解決方案，進(jìn)一步提升公司在存算整合領(lǐng)域的核心競爭力。

許家源預(yù)測，隨著各大原廠的HBM產(chǎn)能釋放，雖然預(yù)計(jì)2026年HBM3e可能面臨供過于求壓力，但新世代的HBM4具有技術(shù)門檻，仍呈供不應(yīng)求態(tài)勢。

（財(cái)聯(lián)社記者 王碧微）