浙江
三星宣布已向全球客戶交付新一代HBM4內存樣品，預計將在2026年實現量產。三星在剛剛公布的2025年第三季度業(yè)績報告中證實，目前HBM3E已經進入批量生產階段并銷售給相關客戶，同時HBM4樣品也已同步發(fā)往關鍵客戶。三星表示，其存儲業(yè)務依舊表現強勁，先進內存產品市場需求旺盛。
此外，三星還透露，2026年其晶圓代工業(yè)務將致力于穩(wěn)定供給新型2納米GAA產品與HBM4基礎芯片，并計劃在美國德克薩斯州泰勒市的新工廠按時投入運營。
HBM堆棧由最多12層堆疊的DRAM芯片組成，并通過硅通孔（TSV）相連，其中可選嵌入基礎芯片，提供定制邏輯或加速電路以滿足特殊需求。通常，大客戶如NVIDIA和AMD會因采購量大而要求定制功能，雖然這些芯片不一定具備強大的計算能力，但可通過數據處理與邏輯芯片提升數據包傳輸效率、降低延遲、增強推理階段的性能，使吞吐量實現明顯提升。
根據報道，三星HBM4是否會超越JEDEC標準以滿足NVIDIA等公司的需求，目前尚不明朗。例如，美光（Micron）已跳過JEDEC規(guī)格，將HBM4的帶寬從標準的2 TB/s和每針8 Gb/s提升到11 Gb/s，總帶寬提升至2.8 TB/s，較標準高出40%。因此，預計三星也將不斷優(yōu)化其HBM4，以在帶寬等方面保持市場競爭力，更好地滿足大客戶需求。
特別聲明：以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網易號”用戶上傳并發(fā)布，本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
