當(dāng)手機芯片進入2nm時代，科技圈終于迎來了久違的興奮感！

雖然大家都知道芯片本身的成本會得到很大幅度的提升，并且認為新機的定價方面，也會得到很大升級。

但是對于性能黨來說，還是很希望看到芯片本身的提升，原因也非常的簡單，那就是性能、AI算力都會提升。

尤其是在這個AI定義硬件的時代，芯片架構(gòu)的每一次變革都在重塑移動設(shè)備的可能性。

需要了解，在半導(dǎo)體領(lǐng)域，制程工藝的迭代從來都是性能飛躍的核心關(guān)鍵詞。

而根據(jù)博主透露的信息，驍龍8E6系列全面切入臺積電N2P節(jié)點，標志著移動芯片正式進入2nm時代。

這項采用全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管結(jié)構(gòu)的先進工藝，與傳統(tǒng)FinFET相比，在晶體管密度、電流控制能力上實現(xiàn)了質(zhì)的突破。

筆者覺得，從3nm到2nm工藝，這種策略轉(zhuǎn)變背后有著深層考量。

從技術(shù)參數(shù)看，N2P相比3nm工藝在同等功耗下性能提升約15%，同等性能下功耗降低24%-35%，同時電阻降低20%。

這些數(shù)字背后，是手機續(xù)航與散熱表現(xiàn)的革命性提升。

關(guān)鍵熟悉高通驍龍的用戶都知道，這是高通首次在標準版與Pro版上同步搭載最先進制程，打破了以往“標準版用次代工藝”的慣例。

再加上隨著端側(cè)AI大模型需求爆發(fā)，芯片需要同時滿足高算力與低功耗的雙重挑戰(zhàn)，因此新的工藝自然成為了助力。

除了工藝方面的升級之外，驍龍8E6系列的架構(gòu)方面也產(chǎn)生了改變。

其中CPU架構(gòu)從驍龍8E5的2+6設(shè)計調(diào)整為2+3+3三叢集架構(gòu)。

看來傳統(tǒng)的大小核設(shè)計被放棄，轉(zhuǎn)而采用兩顆超大核、三顆大核與三顆能效核心的新組合。

如果深度去講解的話，這種設(shè)計既保留了ARM傳統(tǒng)big.LITTLE架構(gòu)的能效優(yōu)勢，又融入了類似蘋果Firestorm/Icestorm架構(gòu)的靈活性。

有了強悍的架構(gòu)之后，外圍規(guī)格也必須跟上才可以！

不過，在統(tǒng)一制程與架構(gòu)的基礎(chǔ)上，驍龍8E6標準版與Pro版首次在內(nèi)存支持上形成明確區(qū)隔。

爆料顯示，僅Pro版本將原生支持新一代LPDDR6內(nèi)存，標準版則沿用LPDDR5X。

可能大家覺得只有一次迭代，差距不會大，但是，LPDDR6相比LPDDR5X的理論帶寬提升可達50%以上，數(shù)據(jù)吞吐速率的大幅增長將直接轉(zhuǎn)化為用戶體驗的升級。

在游戲場景中，更高的內(nèi)存帶寬意味著更穩(wěn)定的高幀率表現(xiàn)；在AI應(yīng)用中，大模型參數(shù)加載速度將顯著提升；在多任務(wù)處理時，應(yīng)用切換與數(shù)據(jù)交換更加流暢，因此明年的標準版和Pro版，差距會很明顯。

另外要說的是，“在今年的基礎(chǔ)上再漲500吧”，數(shù)碼閑聊站的這句評論，道出了行業(yè)面臨的核心挑戰(zhàn)。

UFS 5.0閃存+LPDDR6內(nèi)存+2nm驍龍8E6這套組合的成本飆升，正在將旗艦手機推向新的價格區(qū)間。

這對手機廠商而言，這既是挑戰(zhàn)也是機遇。

成本的上升迫使廠商重新思考產(chǎn)品定義，或許會催生更多差異化創(chuàng)新，而對消費者來說，旗艦手機價格的持續(xù)上漲，也讓人開始審視“性能過?！迸c“實用價值”的平衡。

這也意味著，小米18系列如果進行首發(fā)搭載的話，將會在定價上產(chǎn)生一定起伏！

綜上信息所述，驍龍8E6系列的到來，標志著移動芯片正式進入2nm與三叢集架構(gòu)的新紀元。

那么問題來了，大家對這顆芯片有什么期待嗎？一起來說說看吧。