記者丨吳佳楠 編輯丨朱益民

9月以來(lái)，向來(lái)以波動(dòng)劇烈著稱的存儲(chǔ)芯片行業(yè)，漲聲四起。

在經(jīng)過(guò)一個(gè)多月的發(fā)酵之后，熱度不降反增。

市場(chǎng)上有消息稱，目前部分Dram和Flash產(chǎn)品已停止報(bào)價(jià)，或者“一天一個(gè)價(jià)”。社交媒體上更是有人直呼，“比黃金漲得更猛的是內(nèi)存條”。就連小米集團(tuán)創(chuàng)始人雷軍在10月24日也在微博上直言“最近內(nèi)存漲價(jià)實(shí)在太多”。

受此刺激，A股存儲(chǔ)芯片概念也隨之一路高歌猛進(jìn)。

Wind數(shù)據(jù)顯示，截至10月30日，近3個(gè)月存儲(chǔ)器指數(shù)已上漲59.42%。其中：

江波龍累計(jì)上漲210.89%，總市值達(dá)1186億元，市盈率（PE）181倍；

德明利上漲160.95%，總市值513億元，該公司上半年虧損；

普冉股份漲超110%，總市值202億元，PE102倍；

東芯股份漲超110%，總市值428億元，該公司近兩年虧損。

香農(nóng)芯創(chuàng)漲超275%，總市值596億元，PE230倍。

市場(chǎng)普遍認(rèn)為，此輪漲價(jià)的核心驅(qū)動(dòng)力在于全球科技巨頭對(duì)AI算力需求的持續(xù)旺盛，讓HBM（高寬帶內(nèi)存）這一AI芯片模塊的主存儲(chǔ)器產(chǎn)品供不應(yīng)求。

同時(shí)，各大終端廠商在下半年集中推出新品刺激產(chǎn)能，共同推動(dòng)存儲(chǔ)芯片行業(yè)加速邁入“超級(jí)周期”。

摩根士丹利研報(bào)指出，AI驅(qū)動(dòng)下存儲(chǔ)行業(yè)供需失衡加劇，預(yù)計(jì)將開(kāi)啟持續(xù)數(shù)年的“超級(jí)周期”，到2027年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模有望向3000億美元邁進(jìn)。

“超級(jí)周期”啟動(dòng)

研究機(jī)構(gòu)CFM數(shù)據(jù)顯示，僅在2025年上半年，DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）綜合價(jià)格指數(shù)就大幅上漲了47.7%，NAND Flash（閃存芯片）綜合價(jià)格指數(shù)上漲了9.2%。進(jìn)入10月份以來(lái)，512Gb Flash Wafer（閃存晶圓）的價(jià)格累計(jì)漲幅超過(guò)了20%。

但與以往周期性漲價(jià)不同，本輪存儲(chǔ)芯片漲價(jià)潮被一些業(yè)內(nèi)人士視為“超級(jí)周期”的啟動(dòng)。

一方面，AI技術(shù)的快速發(fā)展被認(rèn)為是這一結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)變的核心驅(qū)動(dòng)力。AI的發(fā)展不僅帶來(lái)海量的算力GPU需求，對(duì)于存儲(chǔ)需求也逐步提升。摩根士丹利報(bào)告顯示，AI的蓬勃發(fā)展正引發(fā)一場(chǎng)“存儲(chǔ)超級(jí)循環(huán)”。

今年全球科技巨頭在AI基礎(chǔ)設(shè)施上的投入，直接推動(dòng)了存儲(chǔ)芯片的海量需求，最大受益者就是HBM市場(chǎng)。HBM是AI芯片模塊的主存儲(chǔ)器，英偉達(dá)、亞馬遜、谷歌和AMD（超威）這四家自主研發(fā)AI芯片的公司占據(jù)了HBM需求的95%，國(guó)內(nèi)包括阿里巴巴、百度、字節(jié)跳動(dòng)、騰訊等科技巨頭也在大力增加資本支出規(guī)模加碼AI投入，主要投入算力芯片和數(shù)據(jù)中心建設(shè)。

“預(yù)計(jì)到明年第三季度之前，其價(jià)格仍將保持上漲趨勢(shì)?！币晃粯I(yè)內(nèi)人士向21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者表示，HBM代表了當(dāng)前存儲(chǔ)領(lǐng)域中的最高規(guī)格，集成了最先進(jìn)的制造工藝、設(shè)備和材料，原廠會(huì)通過(guò)調(diào)控產(chǎn)能來(lái)維持HBM供需平衡，同時(shí)終端客戶也普遍愿意接受HBM的高定價(jià)，且HBM產(chǎn)能與市場(chǎng)需求之間存在缺口。

另一方面，當(dāng)AI快速向終端側(cè)延伸，進(jìn)入下半年，各大廠商集中推出手機(jī)、PC、AI眼鏡等智能終端設(shè)備新品，進(jìn)一步刺激對(duì)大容量、高性能存儲(chǔ)的需求。

但是，需求增加的同時(shí)，上游供給端卻在收縮。據(jù)TrendForce集邦咨詢10月最新報(bào)告，受NAND Flash需求疲軟、價(jià)格壓力等因素影響，美光、三星、SK海力士等海外原廠已啟動(dòng)相關(guān)減產(chǎn)計(jì)劃。

此外，自去年三季度，AI需求的爆發(fā)，讓存儲(chǔ)芯片廠商將產(chǎn)能從部分利潤(rùn)率偏低的傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)至DDR5、HBM等更高利潤(rùn)、高附加值的產(chǎn)品。三大DRAM制造商巨頭之一的SK海力士預(yù)計(jì)，到2026年，HBM晶圓加工量將占其所有產(chǎn)品晶圓加工量的最大比重。

由此，DDR4、LPDDR4X等舊制程DRAM產(chǎn)品存在產(chǎn)能短缺問(wèn)題。TechInsights的10月統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，第三季DRAM平均庫(kù)存降至8周，低于去年同期的10周與2023年初的31周，市場(chǎng)供應(yīng)快速吃緊。

業(yè)內(nèi)人士表示，隨著供需天平逐漸失衡，DDR4、LPDDR4X價(jià)格自二季度起開(kāi)啟漲價(jià)潮，并將延續(xù)至今年年底。

據(jù)TrendForce預(yù)計(jì)，由于三大DRAM原廠持續(xù)優(yōu)先分配先進(jìn)制程產(chǎn)能給高階服務(wù)器DRAM和HBM，同時(shí)受各終端產(chǎn)品需求分化影響，今年四季度舊制程DRAM價(jià)格漲幅將依舊可觀，預(yù)計(jì)整體價(jià)格將環(huán)比增長(zhǎng)8%~13%，HBM價(jià)格環(huán)比增長(zhǎng)13%~18%。

7股年內(nèi)股價(jià)翻倍

江波龍成千億大牛股

DRAM是一個(gè)巨頭壟斷的市場(chǎng)。三星、SK海力士、美光等國(guó)際存儲(chǔ)巨頭壟斷超90%產(chǎn)能的DRAM市場(chǎng)格局，在這輪由AI開(kāi)啟的“超級(jí)新周期”中開(kāi)始出現(xiàn)微妙變化。

存儲(chǔ)巨頭將主要產(chǎn)能和研發(fā)重心轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更豐厚的HBM等高端產(chǎn)品，并相繼宣布減產(chǎn)時(shí)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商正迎來(lái)新機(jī)遇，快速占領(lǐng)市場(chǎng)份額，尤其是利基型產(chǎn)品端的國(guó)產(chǎn)替代。

A股市場(chǎng)反應(yīng)熱烈，正是受此輪“超級(jí)周期”的強(qiáng)烈刺激。

Wind數(shù)據(jù)顯示，存儲(chǔ)器指數(shù)近一周區(qū)間漲跌幅為11.84%，區(qū)間上漲天數(shù)為2天。截至10月30日，近一周以來(lái)，存儲(chǔ)器指數(shù)成分股中，江波龍（42.21%）、普冉股份（28.05%）、大為股份（33.55%）累計(jì)漲幅居前。

目前，國(guó)內(nèi)廠商正加速擁抱AI，有的聚焦HBM、DDR5等高附加值領(lǐng)域。比如，

• 賽騰股份通過(guò)收購(gòu)日本Optima，掌握HBM全制程量測(cè)技術(shù)，近三個(gè)月股價(jià)漲超45%。也有專注特定細(xì)分市場(chǎng)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，切入利基型DRAM領(lǐng)域，針對(duì)容量和速率要求不高的車規(guī)，工業(yè)市場(chǎng)，提供DDR3/4產(chǎn)品。

• 被認(rèn)為是國(guó)內(nèi)“存儲(chǔ)一哥”的兆易創(chuàng)新逐步從低端NOR Flash產(chǎn)品拓展到NAND Flash和全線利基型DRAM產(chǎn)品，并向MCU（微控制單元）延伸，目前MCU在消費(fèi)電子、新能源汽車等領(lǐng)域均有應(yīng)用。近兩個(gè)月股價(jià)走出“脈沖式”增長(zhǎng)，截至10月28日收盤，已增長(zhǎng)至246.95元/股，突破歷史最高值。

國(guó)元證券研究認(rèn)為，長(zhǎng)鑫產(chǎn)能的持續(xù)釋放，進(jìn)一步帶動(dòng)公司三季度在Dram業(yè)務(wù)上的出貨，而市場(chǎng)利基型DDR的需求保持旺盛，四季度仍具有一定的價(jià)格上升空間。

• 公司市值在近期大漲中突破1000億的江波龍，最近也有新品發(fā)布動(dòng)態(tài)，發(fā)布了與HBM應(yīng)用互補(bǔ)的創(chuàng)新內(nèi)存SOCAMM2產(chǎn)品，能顯著降低AI的推理延遲。企業(yè)前三季度財(cái)報(bào)同樣表現(xiàn)樂(lè)觀，營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)26.12%，歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)27.95%。

除了A股市場(chǎng)的股價(jià)狂漲和業(yè)績(jī)超預(yù)期，長(zhǎng)鑫科技、長(zhǎng)江存儲(chǔ)這兩家正在打開(kāi)資本市場(chǎng)大門的公司也給市場(chǎng)帶來(lái)想象空間，近期正在穩(wěn)步推進(jìn)產(chǎn)能或發(fā)布新品。

• 長(zhǎng)江存儲(chǔ)將重點(diǎn)推進(jìn)3D NAND芯片產(chǎn)能爬坡，力爭(zhēng)到2026年占據(jù)全球NAND閃存市場(chǎng)15.00%的份額，其自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)已實(shí)現(xiàn)232層以上堆疊3D NAND Flash量產(chǎn)，產(chǎn)能設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)45%，并計(jì)劃啟動(dòng)全國(guó)產(chǎn)化設(shè)備產(chǎn)線試生產(chǎn)。

• 長(zhǎng)鑫科技子公司長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)近期宣布已量產(chǎn)高端移動(dòng)存儲(chǔ)芯片LPDDR5X產(chǎn)品，覆蓋最高達(dá)10667Mbps速率，這一速率與SK海力士去年10月量產(chǎn)的同規(guī)格產(chǎn)品完全對(duì)標(biāo)，已達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平，也是國(guó)內(nèi)首次技術(shù)突破。

一位關(guān)注存儲(chǔ)芯片的行業(yè)分析師向記者表示，漲價(jià)潮對(duì)國(guó)際原廠巨頭來(lái)說(shuō)是技術(shù)溢價(jià)的機(jī)遇，對(duì)國(guó)產(chǎn)企業(yè)也是縮小差距的關(guān)鍵窗口，盡管目前全球存儲(chǔ)產(chǎn)能格局仍呈現(xiàn)高度集中的狀態(tài)，但中長(zhǎng)期看，隨著國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)企業(yè)的技術(shù)迭代，全球存儲(chǔ)市場(chǎng)被巨頭壟斷的格局可能被打破，逐漸走向更加充分競(jìng)爭(zhēng)的產(chǎn)業(yè)態(tài)勢(shì)。

明年市場(chǎng)態(tài)度樂(lè)觀

盤點(diǎn)近十年來(lái)存儲(chǔ)行業(yè)的核心周期表現(xiàn)，都在于存儲(chǔ)芯片周期性易受到供需平衡和技術(shù)變革影響，在大約每3～4年的時(shí)間里進(jìn)入到自身的輪替周期。

在2012～2015年，受移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)普及、智能手機(jī)滲透率提升及4G網(wǎng)絡(luò)換機(jī)潮推動(dòng)，手機(jī)銷量與單機(jī)存儲(chǔ)容量雙雙增長(zhǎng)，帶動(dòng)存儲(chǔ)芯片需求上升。 在2016～2019年，互聯(lián)網(wǎng)云廠商加大資本開(kāi)支，疊加DDR4技術(shù)迭和手機(jī)游戲需求爆發(fā)，推動(dòng)服務(wù)器需求快速增長(zhǎng)，帶動(dòng)了對(duì)內(nèi)存帶寬與容量的需求。 2020年到2023年，居家辦公帶來(lái)的PC、平板、服務(wù)器需求上升，5G也推動(dòng)終端存儲(chǔ)容量增長(zhǎng)，受產(chǎn)能限制影響，2021年存儲(chǔ)價(jià)格持續(xù)上漲至2022年。

在經(jīng)歷了2022～2023年的下行期后，2024年底存儲(chǔ)市場(chǎng)快速回暖，進(jìn)入到2025年，存儲(chǔ)芯片價(jià)格的上漲已持續(xù)超過(guò)半年，進(jìn)入四季度，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)漲價(jià)潮反而呈現(xiàn)加速態(tài)勢(shì)。

國(guó)泰君安證券在10月發(fā)布的研報(bào)中指出，存儲(chǔ)行業(yè)已進(jìn)入新一輪上行周期，隨著大模型訓(xùn)練和推理對(duì)內(nèi)存容量的需求激增，HBM和DDR5內(nèi)存的緊缺將進(jìn)一步傳導(dǎo)至整個(gè)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈。

在國(guó)際原廠控制產(chǎn)能干預(yù)下，這輪漲價(jià)潮對(duì)國(guó)內(nèi)模組廠商來(lái)說(shuō)，不急于接單，嚴(yán)格控制出貨節(jié)奏，囤貨、存貨無(wú)疑是應(yīng)對(duì)漲價(jià)、確保盈利的主要影響點(diǎn)。

從A股上市公司來(lái)看，江波龍、佰維存儲(chǔ)和德明利存貨位居前列。其中，江波龍上半年存貨額高達(dá)82.33億元；德明利存貨47.01億元；佰維存儲(chǔ)存貨46.15億元。

此外，也有公司將價(jià)格傳導(dǎo)至產(chǎn)業(yè)鏈下游。營(yíng)收97%都來(lái)自分銷的“中間商”香農(nóng)芯創(chuàng)（300475.SZ）表示，上游采購(gòu)價(jià)格上漲，分銷給下游的價(jià)格也會(huì)上漲，存儲(chǔ)的市場(chǎng)波動(dòng)對(duì)公司毛利變化影響不大。

那么，這輪由AI引發(fā)的存儲(chǔ)漲價(jià)超級(jí)周期，還能持續(xù)多久？對(duì)此，行業(yè)內(nèi)的頭部玩家表示樂(lè)觀。

SK海力士CEO郭魯正近日在一場(chǎng)活動(dòng)上公開(kāi)表示，“對(duì)明年存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市場(chǎng)持樂(lè)觀態(tài)度”。

全球第二大存儲(chǔ)模組廠商威剛（ADATA）董事長(zhǎng)陳立白亦直接表態(tài)認(rèn)為，2025年第四季度才是起點(diǎn)，明年產(chǎn)業(yè)榮景可期。

多名知名存儲(chǔ)分析師也預(yù)測(cè)，DRAM和NAND Flash市場(chǎng)目前均出現(xiàn)缺貨現(xiàn)象，預(yù)計(jì)今年四季度及2026年行業(yè)價(jià)格將進(jìn)一步上漲。公開(kāi)信息亦顯示，三星、SK海力士等存儲(chǔ)原廠正計(jì)劃將2025年第四季度DRAM的合約價(jià)格上調(diào)15%到30%。

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出品丨21財(cái)經(jīng)客戶端 21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道

編輯丨金珊

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