韓國存儲芯片制造商SK海力士近日宣布，正與英偉達(dá)合作開發(fā)一款面向人工智能推理工作負(fù)載的高性能固態(tài)硬盤（SSD），目標(biāo)是在企業(yè)級SSD基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)最高可達(dá)十倍的性能提升。新產(chǎn)品目前處于概念驗(yàn)證階段，計(jì)劃在2026年底前完成原型設(shè)計(jì)。

據(jù)SK海力士副總裁金天成（音譯）在一場會議上透露，該項(xiàng)目在英偉達(dá)內(nèi)部被稱為“Storage Next”，在SK海力士內(nèi)部則以“AI-NP”（AI NAND Performance，AI NAND性能）為代號，體現(xiàn)出這一方案并非普通存儲產(chǎn)品，而是專門圍繞AI計(jì)算場景進(jìn)行架構(gòu)優(yōu)化的存儲平臺。按照披露信息，這款A(yù)I SSD的設(shè)計(jì)目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)每秒一億次輸入/輸出操作（IOPS），遠(yuǎn)超當(dāng)前主流企業(yè)級SSD，力圖在AI基礎(chǔ)設(shè)施中縮小內(nèi)存與存儲之間的性能鴻溝。

雙方推動這一合作的直接動因在于，當(dāng)下大規(guī)模AI推理模型在實(shí)際部署中遭遇的“數(shù)據(jù)訪問瓶頸”?，F(xiàn)有模型需要持續(xù)從存儲層調(diào)取海量參數(shù)，僅依賴高帶寬內(nèi)存（HBM）或傳統(tǒng)DRAM在成本與可擴(kuò)展性上都難以取得平衡，因此英偉達(dá)和SK海力士試圖通過構(gòu)建一個基于NAND閃存、結(jié)合先進(jìn)控制器技術(shù)的“類內(nèi)存層”，在延遲、帶寬和容量之間找到新的折中點(diǎn)。

這一合作也被視作兩家公司在HBM供應(yīng)合作基礎(chǔ)上的進(jìn)一步延伸，從高帶寬內(nèi)存擴(kuò)展至NAND閃存架構(gòu)創(chuàng)新。如果AI專用SSD方案在云計(jì)算與AI數(shù)據(jù)中心中得到廣泛采用，業(yè)界預(yù)期這可能進(jìn)一步推高高性能NAND的需求，甚至引發(fā)類似DRAM市場周期性緊張的供應(yīng)壓力。

從產(chǎn)業(yè)層面看，英偉達(dá)與SK海力士此舉指向的核心問題，是當(dāng)前AI基礎(chǔ)設(shè)施在吞吐與能效方面面臨的極限。通過在控制器與NAND架構(gòu)中加入更多面向AI工作負(fù)載的優(yōu)化，兩家公司希望讓閃存存儲在機(jī)器學(xué)習(xí)流程中承擔(dān)更為積極、接近計(jì)算節(jié)點(diǎn)的角色，從而在成本可控的前提下，為未來更大規(guī)模的AI推理部署預(yù)留增長空間。