湖南
9月16日，聯(lián)發(fā)科宣布其首款采用臺積電2納米制程的旗艦SoC已完成設計流片，預計2026年底量產(chǎn)。這一里程碑標志著半導體行業(yè)正式邁入2納米時代，而聯(lián)發(fā)科與臺積電的強強聯(lián)手，或?qū)⒅匦露x移動芯片的性能天花板。
臺積電2納米制程首次引入的納米片（Nanosheet）晶體管結構，堪稱半導體工藝的革命性突破。相較于現(xiàn)有的N3E制程，新工藝在邏輯密度上提升1.2倍，相同功耗下性能增強18%，而同等性能表現(xiàn)時功耗降低36%。這些數(shù)字背后，是智能手機、AI設備乃至自動駕駛系統(tǒng)即將迎來的體驗躍遷——更強勁的算力、更持久的續(xù)航，以及更精妙的能效平衡。
聯(lián)發(fā)科此次搶灘2納米賽道，展現(xiàn)了其在移動芯片領域的戰(zhàn)略前瞻性。作為首批擁抱這項尖端技術的企業(yè)，聯(lián)發(fā)科不僅鞏固了其在高端SoC市場的地位，更為5G-A時代的多模態(tài)交互、實時渲染等高負載場景鋪就了硬件基礎。值得注意的是，這款芯片預計2026年底上市的時間節(jié)點，恰與全球AI手機普及潮、車載計算需求爆發(fā)期形成共振，或?qū)⒋呱乱惠啌Q機浪潮。
這場制程競賽的意義遠超參數(shù)比拼。2納米工藝的突破，本質(zhì)上是半導體產(chǎn)業(yè)在物理極限邊緣的又一次突圍。從FinFET到納米片結構的演進，不僅是技術路線的革新，更折射出全球科技公司對算力基建的極致追求。當聯(lián)發(fā)科與臺積電攜手將摩爾定律推向新高度，我們迎來的將是一個終端設備智能躍遷、邊緣計算無處不在的新紀元。
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