托尼發(fā)現(xiàn)一個(gè)事兒，今年的新 iPhone，起售價(jià)很有求生欲，但是頂配版的價(jià)格越來越離譜了。。。

就說今年 iPhone 17 Pro Max 的頂配提供了最高 2TB 的內(nèi)存選項(xiàng)，價(jià)格來到了驚人的 17999 人民幣，是有史以來最貴的 iPhone ——相比 1TB 版本 13999 的售價(jià)，這多出來的 1TB 存儲(chǔ)價(jià)值 4000 塊！

這可是四千塊錢啊。。。且不論這四千能買幾塊 2T 的 SSD ，再加點(diǎn)甚至都能在某補(bǔ)貼平臺(tái)買到 iPhone 16 了。

然而 “ 貴 ” 還不是最令人破防的事情 —— 結(jié)合各種爆料以及我們從資深業(yè)內(nèi)了解到的供應(yīng)鏈消息， 這次 2TB 版本的 iPhone 17 Pro Max 用的很可能是 QLC （ Quad-Level Cell ）的 NAND 閃存。

相關(guān)的消息去年就有爆料

換句話說，蘋果又在手機(jī)上實(shí)現(xiàn)了一次 “ 世界第一 ” ，并且 2TB 的容量只是一方面，重點(diǎn)是實(shí)現(xiàn)的方式：

沒有像以往其他手機(jī)廠商一樣，直接使用兩顆低容量的 TLC 閃存拼接成陣列（比如堅(jiān)果 R1 使用兩顆 512GB 存儲(chǔ)顆粒組成了 1TB），而是直接定制了單顆容量 2TB 的 QLC 閃存顆粒。

但是這下子，惹的很多討厭 QLC 閃存的小伙伴不開心了。

可能還有些朋友不了解 QLC 、也不知道為什么大家對(duì)這個(gè) QLC 有這么大惡意，這里托尼就給大家簡單介紹一下幾種 NAND 存儲(chǔ)單元類型的區(qū)別 —— 一般來講常見的 NAND 存儲(chǔ)單元類型有 SLC、MLC、TLC 和 QLC 這幾種。

首先 NAND 閃存的基本原理都是 “ 浮柵晶體管 ” ，這里我就不上課了，感興趣的差友們可以去 B 站 up “ 愛上半導(dǎo)體 ” 那里了解一下，動(dòng)畫做得非常直觀。

而今天大家只需要知道閃存存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的原理，就是判斷某一個(gè)晶體管是不是形成通電的回路，通電 or 不通電分別代表 0 或者 1 ，這也是最基礎(chǔ)的，SLC （ Single-Level Cell ） 閃存的運(yùn)作方式，通過存儲(chǔ)簡單的 0 或者 1 ，每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ) 1 bit 數(shù)據(jù)。

下面 MLC （ Multi-Level Cell ） 則可以存儲(chǔ) 2 bit 數(shù)據(jù)，在二進(jìn)制里就是 11、10 、01 和 00 ；TLC 則存儲(chǔ) 3 bit 數(shù)據(jù)，以此類推， 我們今天的主角 QLC 則是一個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ) 4 bit 數(shù)據(jù)。

也因?yàn)?QLC 每個(gè)單元能存更多 bit ，這讓單位容量的晶圓和封裝成本被攤薄，所以成本最低。

看似 QLC 性價(jià)比最高，應(yīng)該最厲害是吧 —— 但問題正是出在它存的東西多，也得要求更精細(xì)的電壓控制。

如果把 SLC 的浮柵晶體管比作水杯，我們往里倒水，倒到上半杯是 0 ，而下半杯是 1 ，只有兩個(gè)狀態(tài)。所以我即便是手抖了也不要緊，只要倒個(gè)大概別人就會(huì)知道我表達(dá)的是 0 還是 1 。

而 QLC 因?yàn)榇鎯?chǔ)了 4 bit 數(shù)據(jù)，就相當(dāng)于把水杯分成了 16 份，我手要是抖了、多倒了或者少倒了一點(diǎn)，就沒法正確表達(dá)我的意思了。

是的， QLC 的電壓區(qū)間非常窄，所以容錯(cuò)率很低，存儲(chǔ)和擦除都要更費(fèi)勁，也就更慢。而 NAND 的寫入需要對(duì)浮柵電容充電放電，每次這樣循環(huán)都會(huì)損傷氧化層，所以相對(duì)而言 QLC 的使用壽命自然也就更低。

根據(jù)金士頓官方的科普文檔，如果 SLC 的壽命是 10 萬次擦寫，MLC 的壽命則為 1 萬次，TLC 只剩下 3000 次，到了 QLC 這里，就只剩下 1000 次擦寫了。

也正是因?yàn)?QLC 閃存顆粒的壽命明顯低于 TLC ，并且 QLC 本身讀寫速度相對(duì)也更慢的原因，很多用戶，特別是 PC 玩家們，并不待見 QLC 顆粒的固態(tài)硬盤。

成本低、性能差，果子你不厚道??！我花大價(jià)錢買頂配，你就給我用這個(gè)玩意？

哎。。。講到這里差友們也先別激動(dòng)，托尼倒是覺得，蘋果用 QLC 閃存也沒啥太大的問題。

首先這壽命方面的問題大家就沒必要太過于擔(dān)心，因?yàn)閺氖褂脠鼍吧峡紤]，也許你并不會(huì)反復(fù)擦寫那么多次。

不信的話我們來算一筆數(shù)學(xué)賬：咱們以一個(gè) 1TB 的 QLC 硬盤來舉例子， 假設(shè)它的擦寫次數(shù)只有 1000 次，那么這塊硬盤累計(jì)可以寫入 1000TB 的數(shù)據(jù)，就算你每天都高強(qiáng)度玩手機(jī)，每天都能寫入 200G 這么多，可以連續(xù)用 5000 天，也就是快 14 年。

而且單從這個(gè)公式來看，硬盤的容量越大壽命越高，果子這個(gè) 2T 的 QLC 硬盤理論上會(huì)有接近 30 年的使用壽命。

但是這里不得不提到一個(gè)寫入放大系數(shù)的概念，因?yàn)閷懭氩⒉皇?“ 直接把數(shù)據(jù)寫到某個(gè)格子里 ” ， NAND 閃存的特性必須要把整塊數(shù)據(jù)擦除，而不能單獨(dú)修改某個(gè)小單元，這樣一來，實(shí)際寫入到 NAND 的數(shù)據(jù)量就比用戶寫入的數(shù)據(jù)量要多。

但就算我們考慮到這個(gè)問題，并把這個(gè)系數(shù)假設(shè)成 2.5 （ 已經(jīng)算相當(dāng)高了 ） ，在每天 200GB 的寫入量下，2T 的 QLC 閃存仍可以用 11 年之久。

所以說俺們普通用戶，完全沒必要擔(dān)心 QLC 的壽命問題，退一萬步講、再怎么說， QLC 的壽命在一臺(tái)手機(jī)的生命周期里也是妥妥的。

更別說現(xiàn)在大部分 QLC 都是采用的 3D NAND 堆疊，通俗點(diǎn)的比喻就是蓋房子，以前的 2D NAND 就是在平面上橫向蓋平房，而 3D NAND 就好比是平地起高樓，3D NAND QLC 單元面積更大、電荷存儲(chǔ)更穩(wěn)定，相比 2D QLC 壽命提升不少。

其次為了解決 QLC 娘胎里帶的速度慢的問題，現(xiàn)在廣泛采用的一個(gè)方式是 “ SLC 緩存 ” 。

它的原理是把一部分 QLC 的空間臨時(shí)當(dāng)成 SLC 使，只存 1 bit ，所以這部分緩存的寫入更快、更耐用。日常的一些文件都可以存在這個(gè) SLC 緩存里，然后再在后臺(tái)慢慢刷到 QLC 里面。

一種 TLC 的 SLC 緩存，原理上跟 QLC 的 SLC 緩存一致

當(dāng)然這個(gè)法子也有缺陷，SLC 緩存滿了之后就很容易掉速，但你只要不是長時(shí)間大文件寫入一般不會(huì)有問題。

我知道肯定有朋友會(huì)說錄視頻，特別是 ProRes Raw 這種占空間巨大的格式會(huì)不會(huì)有問題，但蘋果也不傻，畢竟是主打拍攝的 Pro 才給 2T 的內(nèi)存，通過給足 SLC 緩存或者多 die 并行寫入的方式都可以有效緩解，所以大伙兒也沒必要太擔(dān)心。

蘋果選 2T QLC 閃存還有一些客觀原因 —— 大家可能已經(jīng)注意到 iPhone 的主板越來越小，集成度越來越高了，如果 2T 這么大的容量還是用 TLC 堆疊 die ，硬盤的封裝會(huì)更厚，占用的地方會(huì)更大，這或許也是更小一號(hào) iPhone 17 Pro 沒法上 2T 的原因。

最后，托尼要說明這篇文章是借著果果端出來的 2T 金存儲(chǔ)給大家整點(diǎn)小科普 ——

大家都喜歡便宜又好用的東西，但是 QLC 閃存作為用在手機(jī)上的新技術(shù)，我們也沒必要當(dāng)成是什么洪水猛獸，以后隨著供應(yīng)鏈的成熟，別的廠家或許也會(huì)跟進(jìn)，我們到時(shí)候可以用不變甚至更低的價(jià)格買到更大存儲(chǔ)的手機(jī)。

這是好事兒啊。

撰文：小柳

編輯：米羅 & 面線

美編：萱萱

圖片、資料來源：

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