本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）編譯自tomshardware

俄羅斯準(zhǔn)備2036年沖刺10納米以下。

近日，俄羅斯科學(xué)院微結(jié)構(gòu)物理研究所正式發(fā)布國產(chǎn)極紫外（EUV）光刻設(shè)備長期發(fā)展路線圖，明確以11.2納米工作波長為核心技術(shù)方向，計劃通過差異化路徑突破全球光刻設(shè)備技術(shù)壟斷。該路線圖延續(xù)了該機(jī)構(gòu)2024年12月披露的研發(fā)框架，以2026年為起點(diǎn)，至2037年實(shí)現(xiàn)10納米以下制程覆蓋，其務(wù)實(shí)的階段規(guī)劃引發(fā)業(yè)界關(guān)注，但技術(shù)可行性與產(chǎn)業(yè)化前景仍存諸多待解之謎。

EUV光刻技術(shù)長期由荷蘭ASML公司主導(dǎo)，其13.5納米波長設(shè)備已成為7納米及以下先進(jìn)制程的剛需裝備。俄羅斯此番推出的路線圖最引人注目的特征，是刻意規(guī)避ASML的成熟架構(gòu)，采用一套完全獨(dú)立的技術(shù)體系。據(jù)路線圖披露，俄制EUV系統(tǒng)將搭載混合固態(tài)激光器與氙氣等離子體光源，核心光學(xué)部件則采用釕和鈹（Ru/Be）制成的反射鏡，這類特殊材質(zhì)反射鏡可有效反射11.2納米波長的極紫外光。

從技術(shù)邏輯看，這一選擇暗含針對性設(shè)計。ASML的EUV設(shè)備采用錫液滴等離子體光源，雖能實(shí)現(xiàn)較高的光轉(zhuǎn)化效率，但易產(chǎn)生損壞光掩模的碎屑，導(dǎo)致設(shè)備維護(hù)成本居高不下。俄羅斯研發(fā)團(tuán)隊(duì)認(rèn)為，氙氣等離子體光源可從源頭消除碎屑問題，大幅降低設(shè)備運(yùn)維需求。同時，相較于深紫外（DUV）光刻設(shè)備，該方案無需依賴高壓浸沒液與多重圖案化步驟，理論上能簡化先進(jìn)制程的生產(chǎn)流程，降低技術(shù)門檻。

路線圖將整個研發(fā)計劃劃分為三個清晰階段，呈現(xiàn)循序漸進(jìn)的技術(shù)迭代路徑。第一階段（2026-2028年）將聚焦40納米級設(shè)備開發(fā)，配備雙鏡物鏡系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)10納米級覆蓋精度，曝光場尺寸可達(dá)3×3毫米，設(shè)計吞吐量超過每小時5片晶圓。這一階段目標(biāo)與俄羅斯當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)相適配——該國剛于2025年實(shí)現(xiàn)350納米光刻機(jī)量產(chǎn)，正推進(jìn)130納米設(shè)備研發(fā)，40納米級EUV設(shè)備將成為其技術(shù)跨越的關(guān)鍵一步。

第二階段（2029-2032年）計劃升級至四鏡光學(xué)系統(tǒng)，主攻28納米制程（遠(yuǎn)期目標(biāo)14納米），套刻精度提升至5納米，曝光場擴(kuò)展為26×0.5毫米，吞吐量躍升至每小時50片以上，逐步接近商業(yè)化生產(chǎn)需求。

最終階段（2033-2036年）則劍指10納米以下制程，通過六鏡配置實(shí)現(xiàn)2納米套刻對準(zhǔn)精度，曝光場進(jìn)一步擴(kuò)大至26×2毫米，吞吐量突破每小時100片，達(dá)到主流商用設(shè)備的性能水平。

據(jù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)測算，這套系統(tǒng)可支持65納米至9納米的分辨率范圍，能夠滿足2025-2027年期間各類芯片關(guān)鍵層的制造需求。更具競爭力的是，其單位成本結(jié)構(gòu)顯著低于ASML的Twinscan NXE與EXE平臺。路線圖特別強(qiáng)調(diào)，在成熟制程（尾節(jié)點(diǎn)）中應(yīng)用EUV技術(shù)將帶來意外收益，可通過簡化工藝提升生產(chǎn)效率與良率，這與當(dāng)前行業(yè)在成熟制程領(lǐng)域的成本控制需求高度契合。

不過，這份雄心勃勃的路線圖仍面臨多重現(xiàn)實(shí)挑戰(zhàn)。最核心的爭議在于11.2納米波長的技術(shù)選擇——目前全球EUV產(chǎn)業(yè)已形成13.5納米的標(biāo)準(zhǔn)生態(tài)，這一波長是錫等離子體的強(qiáng)輻射峰，且鉬硅（Mo-Si）反射鏡在此波段可實(shí)現(xiàn)70%的反射率，經(jīng)過數(shù)十年驗(yàn)證已形成完整產(chǎn)業(yè)鏈支持。俄羅斯選擇的11.2納米波長雖理論上可將分辨能力提升20%，但需重建全套配套體系，從專用光刻膠、鏡片拋光工具到光學(xué)檢測設(shè)備均需從零開發(fā)，而路線圖中并未提及這些關(guān)鍵配套技術(shù)的解決方案。

從產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)看，俄羅斯雖在EUV核心技術(shù)領(lǐng)域有一定積累——圣彼得堡國立信息技術(shù)大學(xué)在MOPA架構(gòu)激光器研究、科學(xué)院光譜學(xué)研究所在等離子體建模、微結(jié)構(gòu)物理研究所在多層膜反射鏡等領(lǐng)域均具備技術(shù)儲備，且曾為ASML提供過關(guān)鍵光學(xué)元件——但這些成果多停留在實(shí)驗(yàn)室階段，缺乏產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證。其當(dāng)前最高僅能量產(chǎn)350納米光刻機(jī)，與EUV設(shè)備所需的超精密制造能力存在代際差距。

在應(yīng)用定位上，路線圖明確設(shè)備不瞄準(zhǔn)超大規(guī)模晶圓廠的高產(chǎn)能需求，轉(zhuǎn)而聚焦小型代工廠的經(jīng)濟(jì)型需求，同時試圖吸引被排除在ASML生態(tài)外的國際客戶。這一市場定位具有一定現(xiàn)實(shí)性，但前提是設(shè)備能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)且性能達(dá)標(biāo)。按照規(guī)劃，首臺設(shè)備需在2026-2028年投入使用，而目前俄羅斯尚未披露核心部件的原型機(jī)研發(fā)進(jìn)展，留給技術(shù)轉(zhuǎn)化的時間窗口相當(dāng)緊張。

值得注意的是，路線圖特別注明設(shè)備"即使可行也不得用于商業(yè)用途"，這一限定使其產(chǎn)業(yè)化前景更添迷霧。有分析認(rèn)為，此舉可能與技術(shù)保密或研發(fā)資金來源相關(guān)，也預(yù)示該項(xiàng)目短期內(nèi)或?qū)⒕劢箛馈⒑教斓忍厥忸I(lǐng)域需求，而非民用商業(yè)市場。

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