山東
IT之家 10 月 2 日消息，韓媒 the bell 韓國當(dāng)?shù)貢r間 9 月 30 日報道稱，SK 海力士旗下的 NAND 閃存企業(yè) Solidigm 正積極推進(jìn)下一代 NAND 閃存介質(zhì)的開發(fā)，目標(biāo)是在明年實現(xiàn)商業(yè)化。
Solidigm 目前是唯一一家使用 FG（浮動?xùn)艠O）而非 CTF（電荷捕獲）架構(gòu)的主要 NAND 原廠，其目前最先進(jìn)的 NAND 是 192 層 QLC。
傳統(tǒng)聲音認(rèn)為，F(xiàn)G 的堆疊層數(shù)提升潛力有限，難以擴(kuò)展到 200 層以上。不過 Solidigm 成功克服了技術(shù)上的挑戰(zhàn)，其下代產(chǎn)品的堆疊將達(dá)到 200 層中段（IT之家注：即 250 層左右），并以在 AI SSD 需求中愈發(fā)重要的 QLC 作為單元設(shè)計類型。
對于 Solidigm 而言，延續(xù) FG 技術(shù)路線不僅能持續(xù)供應(yīng)差異化的 NAND 產(chǎn)品，也避免了轉(zhuǎn)型 CTF 所需要的大額設(shè)備支出。
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