山東
IT之家 10 月 15 日消息，消息源 @Jukanlosreve 今天（10 月 15 日）在 X 平臺(tái)發(fā)布推文，報(bào)道稱在 2025 年 OCP 全球峰會(huì)上，三星電子宣布已加速其下一代 HBM4E 高帶寬內(nèi)存的研發(fā)進(jìn)程，旨在滿足英偉達(dá)未來 Rubin AI GPU 的嚴(yán)苛需求。
根據(jù)公布的計(jì)劃，三星 HBM4E 的單引腳數(shù)據(jù)傳輸速率將至少達(dá)到 13Gbps，配合 2048 個(gè)數(shù)據(jù) I/O 引腳，可實(shí)現(xiàn)最高每秒 3.25TB 的驚人內(nèi)存帶寬。這一性能指標(biāo)不僅遠(yuǎn)超 JEDEC 為 HBM4 制定的 8Gbps 標(biāo)準(zhǔn)，更預(yù)示著 AI 計(jì)算能力將迎來新的飛躍。IT之家附上截圖如下：
此次性能目標(biāo)的激進(jìn)提升，主要源于其關(guān)鍵客戶英偉達(dá)對更高帶寬的迫切需求。為配合其下一代“Vera Rubin”架構(gòu)的 AI GPU，英偉達(dá)已向三星、SK 海力士等內(nèi)存制造商明確要求，HBM4 的單引腳速度需超過 10Gbps。
面對這一挑戰(zhàn)，三星率先響應(yīng)并提出了 13Gbps 的更高目標(biāo)，計(jì)劃在 2027 年將這款高性能內(nèi)存投入大規(guī)模生產(chǎn)。
與現(xiàn)有的 HBM3E 內(nèi)存相比，三星 HBM4E 的提升是全方位的。除了總帶寬實(shí)現(xiàn)了超過 2.5 倍的巨大飛躍外，其能源效率也提升了超過兩倍。
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