當(dāng)國際芯片巨頭們在第一代半導(dǎo)體領(lǐng)域爭得昏天暗地時，有一家中國企業(yè)，已悄然在第三代半導(dǎo)體的賽道上，跑成了世界第一。

8月1日，英偉達向外界公布了800V直流電源架構(gòu)合作伙伴名錄，一家來自中國的企業(yè)，引起了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。

這家企業(yè)叫英諾賽科，成立不到10年，已拿下了全球氮化鎵功率芯片42.4%的份額，以斷層優(yōu)勢穩(wěn)居行業(yè)第一。

也就是說，全球每賣出10枚氮化鎵功率芯片，就有4枚來自英諾賽科。

英偉達的這份合作名錄，共涉及7家芯片企業(yè)，其中6家清一色都是來自歐美日的老牌芯片巨頭，包括美國的德州儀器、日本的羅姆、德國的英飛凌、歐洲的意法半導(dǎo)體等。

而英諾賽科是唯一的“東方面孔”，也是最年輕的一家。

這讓英諾賽科迅速獲得資本關(guān)注，短短兩個月，市值從300多億，飆到了約700億，暴漲近100%。

● 英偉達公布800V直流電源架構(gòu)合作伙伴名錄

創(chuàng)始人駱薇薇，也由此被推到了聚光燈下。

● 駱薇薇

10年前，她懷著造出中國芯的熱忱，從大洋彼岸回國，在國內(nèi)氮化鎵領(lǐng)域一片荒蕪的情況下，開始搞研究。

面對國外巨頭的圍阻，以及研發(fā)難、融資難、建廠難的困境，她從零起步，一步步搭建起中國首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線，將相關(guān)技術(shù)從國內(nèi)空白發(fā)展到了如今的全球領(lǐng)先。

她說：“我走的是一條讓人意想不到的路，每一個項目、每一個課題都幾乎沒有人做過……這個世界上總有一群人，他們比常人更積極、更勇敢，愿意承擔(dān)未來的風(fēng)險，熱衷于挑戰(zhàn)有難度的事情?！?/p>

01 創(chuàng)業(yè)，從第三代半導(dǎo)體開始

芯片行業(yè)素有“一代材料、一代技術(shù)、一代產(chǎn)業(yè)”之說。

自上世紀(jì)50年代芯片問世至今，先后誕生了第一代半導(dǎo)體材料（以硅、鍺為代表）、第二代半導(dǎo)體材料（以砷化鎵、磷化銦為代表）和第三代半導(dǎo)體材料（以碳化硅、氮化鎵為代表）。

其中硅憑借卓越的化學(xué)穩(wěn)定性和地殼中豐富的儲量，一直占據(jù)著芯片制造的主流。

● 硅基芯片于上世紀(jì)50年代末問世，至今已統(tǒng)治了半導(dǎo)體行業(yè)近70年

80年代登場的砷化鎵、磷化銦，是第二代半導(dǎo)體材料的典型代表。它們一定程度上突破了傳統(tǒng)硅材料的性能限制，在衛(wèi)星通信、光通信等場景中獲得了廣泛應(yīng)用。然而放眼整個芯片領(lǐng)域，二者仍屬小眾。

到了新世紀(jì)，以氮化鎵等為代表的第三代半導(dǎo)體材料開始登場。

與傳統(tǒng)的硅芯片相比，氮化鎵芯片具有更快的響應(yīng)速度、更低的能耗和更小的體積，正覆蓋5G通信、新能源汽車、機器人、光伏儲能等多個戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)。

尤其在AI時代，其應(yīng)用前景非常廣闊。

它也因此被視為半導(dǎo)體行業(yè)“游戲規(guī)則的改變者”，有可能對硅的應(yīng)用產(chǎn)生顛覆性影響。

● 氮化鎵芯片

駱薇薇極具前瞻性地進入氮化鎵賽道，是國內(nèi)最早一批研究第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的人。

她畢業(yè)于新西蘭梅西大學(xué)，擁有應(yīng)用數(shù)學(xué)博士學(xué)位，1999年加入NASA（美國宇航局）旗下研究院，用15年的時間，從項目經(jīng)理一直做到了首席科學(xué)家。

正是這段獨特的科研經(jīng)歷，給了她日后創(chuàng)業(yè)的勇氣。

● 駱薇薇

2014年，美國納微半導(dǎo)體公司成立，專注于氮化鎵功率芯片的研發(fā)和銷售。

一直關(guān)注著中國芯片產(chǎn)業(yè)動態(tài)的駱薇薇敏銳意識到，這也許是中國繞開硅基壁壘、實現(xiàn)彎道超車的好機會，當(dāng)即決定回國創(chuàng)業(yè)。

朋友得知后，在電話那頭急得跳腳：“芯片行業(yè)坑太深了，沒個十年八年別想量產(chǎn)！”

周圍人也覺得她太冒險了：放著高薪穩(wěn)定的工作不做，為啥偏要去干這么一件沒有勝算的事情？

但這并未動搖駱薇薇的決心，她還是義無反顧地回了國。

她說：“全球第三代半導(dǎo)體還在探索階段，沒有絕對的行業(yè)龍頭，這是時代給予我們難得的機會，我們不應(yīng)該辜負(fù)。”

02 不一樣的打法

創(chuàng)業(yè)初期，一切都很艱難。

駱薇薇坦言公司早期融資困難重重，因為那個時候，國內(nèi)氮化鎵領(lǐng)域幾乎是一片未被開墾的荒地，在量產(chǎn)能力、技術(shù)代差、市場驗證等方面存在著一系列問題。

而大部分投資機構(gòu)偏愛輕資產(chǎn)、回報快的項目，對造芯片這類重資產(chǎn)、周期長的項目并沒有多大興趣。

駱薇薇四處奔走，屢屢碰壁，所幸在她的堅持下，最終找到了認(rèn)可她理念和前景的投資人，拿到了關(guān)鍵的資金支持。

在經(jīng)過籌備后，2015年12月，英諾賽科在珠海正式成立。

● 英諾賽科

駱薇薇從一開始就采用了不一樣的打法，她在公司的大方向上，做出了兩項極具魄力的決策：

一是大膽采用IDM模式。

芯片行業(yè)發(fā)展至今，大部分企業(yè)的主流做法是Fabless模式，即把芯片設(shè)計環(huán)節(jié)與芯片制造環(huán)節(jié)分離，自己只進行設(shè)計，設(shè)計完成后交給專門的芯片制造廠來生產(chǎn)。

這種做法很大程度上減輕了企業(yè)負(fù)擔(dān)，被業(yè)內(nèi)廣泛采用，像英偉達、高通、AMD等國際巨頭，都是這樣做的。

而駱薇薇為了掌握公司命脈，堅持IDM模式，即“全流程自主運營”，將芯片的設(shè)計、制造、封裝、測試等流程全部抓在自己手里。

這一模式雖然難度巨大，但在國際局勢風(fēng)起云涌的當(dāng)下，避免了受制于人的隱患，同時也確保了產(chǎn)能和質(zhì)量的穩(wěn)定。

二是死磕8英寸氮化鎵工藝。

當(dāng)時，業(yè)內(nèi)大多沿用的是4英寸和6英寸工藝，技術(shù)成熟度相對較高。

而駱薇薇要搞的8英寸工藝，比6英寸足足提高了80%的芯片產(chǎn)出量，單個器件能夠?qū)崿F(xiàn)降本約30%。

但工藝復(fù)雜度也隨之大幅提升，技術(shù)門檻極高。

駱薇薇認(rèn)為，困難是可以克服的，越難才越能拉開差距。

“在NASA的工作經(jīng)歷，讓我積累了勇氣。即使是再難的事情，也敢做可行性分解，一步一步地去完成?！?/p>

03 從默默無聞到全球第一

為了造出合格的氮化鎵芯片，駱薇薇帶領(lǐng)團隊，開始了沒日沒夜地研究。

這位女科學(xué)家展現(xiàn)出了極強的韌勁：

面對歐美高端設(shè)備禁運，他們買不到卡脖子的裝備，就想方設(shè)法去找舊機器；她白天駐守車間，一遍一遍地教年輕工程師們調(diào)設(shè)備、改參數(shù)；深夜則在實驗室搞研究、對比數(shù)據(jù)曲線……

功夫不負(fù)有心人，最終，駱薇薇團隊攻克多項行業(yè)難題，成功掌握了8英寸硅基氮化鎵相關(guān)技術(shù)工藝，并快速推進規(guī)模化生產(chǎn)。

2017年，英諾賽科自主研發(fā)的中國首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線正式通線投產(chǎn)，主要產(chǎn)品包括8英寸硅基氮化鎵晶圓和100V-650V氮化鎵功率器件等，設(shè)計和性能均達國際最先進水平。

● 英諾賽科生產(chǎn)的8英寸硅基氮化鎵晶圓

也是在同一年，由于珠?；氐漠a(chǎn)能逐漸無法滿足需求，駱薇薇果斷帶領(lǐng)英諾賽科揮師北上，將總部遷往蘇州。

蘇州本就是集成電路產(chǎn)業(yè)集聚地，這讓英諾賽科瞬間坐擁完備的上下游產(chǎn)業(yè)鏈，進入發(fā)展的快車道。

2021年，在經(jīng)過3年的籌建后，英諾賽科蘇州工廠正式建成投產(chǎn)，一躍成為全球最大的氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。

● 駱薇薇（中）在英諾賽科蘇州工廠投產(chǎn)儀式上

英諾賽科坐擁珠江、蘇州兩大基地，出貨量持續(xù)飆升：

2020年，其氮化鎵功率芯片累計出貨量100萬顆，2021年達到1000萬顆，2022年進一步升至1億顆。

而到了2023年，這一數(shù)字已超過驚人的5億顆。

從100萬到5個億，駱薇薇只用了3年。

據(jù)弗若斯特沙利文數(shù)據(jù)顯示，按氮化鎵分立器件出貨量折算，英諾賽科市占率高達42.4%，在全球氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中，市場份額排名第一。

這些產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)設(shè)備、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等多個高增長領(lǐng)域，并作為新一代關(guān)鍵材料，深度參與綠色能源、智能電網(wǎng)等新一輪能源技術(shù)變革。

04 一場沒有硝煙的戰(zhàn)爭

然而，就在英諾賽科快速崛起之際，國外巨頭對其發(fā)起了阻擊。

2023年5月，美國芯片巨頭EPC（宜普公司）向美國聯(lián)邦法院、美國國際貿(mào)易委員會、美國加州地方法院分別提起訴訟，稱中國英諾賽科侵犯了其氮化鎵技術(shù)專利，尋求禁令及賠償。

EPC是全球氮化鎵技術(shù)的先驅(qū)之一，早在2010年便生產(chǎn)了第一批商業(yè)化的氮化鎵晶體管和集成電路，并布局了50余項美國專利和170余項全球?qū)＠?，覆蓋諸多氮化鎵設(shè)計制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

在EPC的訴訟下，美國國際貿(mào)易委員會初步裁定英諾賽科部分侵權(quán)。

對于該項裁決，英諾賽科堅決反對，并在美國當(dāng)?shù)靥崞鹆松显V。

這場專利戰(zhàn)，雙方打了近兩年，直到今年3月才迎來了最終裁決——EPC對英諾賽科的指控并無依據(jù)，所有索賠無效。

這意味著，在這場漫長的專利之爭中，英諾賽科取得了完全的勝利。

敢于硬剛國際巨頭，駱薇薇的底氣，來自于她對技術(shù)和知識產(chǎn)權(quán)的重視。

截至2024年年底，英諾賽科已在全球擁有700多項專利及專利申請，涵蓋芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝結(jié)構(gòu)等多個關(guān)鍵領(lǐng)域。

這些專利共同搭建起了一道厚重的技術(shù)壁壘，也成了英諾賽科立足國內(nèi)、輻射全球的殺手锏。

05 兩強聯(lián)手，定義AI時代的游戲規(guī)則

2024年12月30日，駱薇薇帶領(lǐng)英諾賽科，在港交所敲響上市鑼，英諾賽科由此成為“中國氮化鎵半導(dǎo)體第一股”。

開盤后市值一度漲至300億港元，如今市值已超700億港元。

● 駱薇薇和英諾賽科CEO吳金剛（左）在港交所共同敲響上市鑼

市值飆升的背后，一個重要原因是近年來人工智能的興起，顯著推動了市場對氮化鎵的需求和信心。

以英偉達為例，為了滿足AI算力需求暴增后的供電效率，其正在積極部署數(shù)據(jù)中心從傳統(tǒng)的54V架構(gòu)升級到800V高壓直流架構(gòu)，并計劃于2027年完成全面部署。

而英諾賽科的全氮化鎵解決方案，相比傳統(tǒng)的硅基方案，在系統(tǒng)效率、熱損耗和可靠性方面均具有顯著優(yōu)勢，可支持AI算力10-1000倍的提升。

這在芯片領(lǐng)域無疑是顛覆性的。

這大概也是英偉達選擇與英諾賽科合作的原因——

后者不僅坐擁全球最大的氮化鎵功率芯片生產(chǎn)基地，同時還是全球唯一一家具備全電壓譜系產(chǎn)品矩陣的硅基氮化鎵芯片企業(yè)，覆蓋15V-1200V各種低中高壓應(yīng)用場景。

● 英諾賽科的全氮化鎵解決方案。圖片來源：英偉達官網(wǎng)

雙方強強聯(lián)手，英偉達設(shè)計整個電力堆棧，英諾賽科則提供包括氮化鎵芯片、驅(qū)動IC、封裝設(shè)計、熱管理在內(nèi)的全套解決方案——兩家行業(yè)頭部公司，正在共同定義AI時代的游戲規(guī)則。

對駱薇薇而言，這不僅是一次技術(shù)突破，也是中國半導(dǎo)體在細分領(lǐng)域掌握話語權(quán)的重要一步，引領(lǐng)全球開啟更高效、更可靠、更環(huán)保的AI計算時代。

● 駱薇薇

近年來，英諾賽科正不斷加快走向全球的步伐，在硅谷、首爾、比利時等地設(shè)立分支機構(gòu)及研發(fā)中心，通過本地化運營，強化在北美市場、亞洲市場及歐洲市場競爭力。

駱薇薇經(jīng)常告訴海外團隊，要讓世界相信“中國芯”。

她說：“真正的科技進步和創(chuàng)新，就是要打破原有束縛，突破思維定式和固有模式。一旦沖破過去的限制就會發(fā)現(xiàn)——

在走向未來的道路上，競爭對手還被困在過去故步自封，而我們，早已搶占了先機”