當國際芯片巨頭們在第一代半導體領域爭得昏天暗地時，有一家中國企業(yè)，已悄然在第三代半導體的賽道上，跑成了世界第一。

8月1日，英偉達向外界公布了800V直流電源架構合作伙伴名錄，一家來自中國的企業(yè)，引起了業(yè)內廣泛關注。

這家企業(yè)叫英諾賽科，成立不到10年，已拿下了全球氮化鎵功率芯片42.4%的份額，以斷層優(yōu)勢穩(wěn)居行業(yè)第一。

也就是說，全球每賣出10枚氮化鎵功率芯片，就有4枚來自英諾賽科。

英偉達的這份合作名錄，共涉及7家芯片企業(yè)，其中6家清一色都是來自歐美日的老牌芯片巨頭，包括美國的德州儀器、日本的羅姆、德國的英飛凌、歐洲的意法半導體等。

而英諾賽科是唯一的“東方面孔”，也是最年輕的一家。

這讓英諾賽科迅速獲得資本關注，短短兩個月，市值從300多億，飆到了約700億，暴漲近100%。

● 英偉達公布800V直流電源架構合作伙伴名錄

創(chuàng)始人駱薇薇，也由此被推到了聚光燈下。

● 駱薇薇

10年前，她懷著造出中國芯的熱忱，從大洋彼岸回國，在國內氮化鎵領域一片荒蕪的情況下，開始搞研究。

面對國外巨頭的圍阻，以及研發(fā)難、融資難、建廠難的困境，她從零起步，一步步搭建起中國首條8英寸硅基氮化鎵生產線，將相關技術從國內空白發(fā)展到了如今的全球領先。

她說：“我走的是一條讓人意想不到的路，每一個項目、每一個課題都幾乎沒有人做過……這個世界上總有一群人，他們比常人更積極、更勇敢，愿意承擔未來的風險，熱衷于挑戰(zhàn)有難度的事情?！?/p>

01 創(chuàng)業(yè)，從第三代半導體開始

芯片行業(yè)素有“一代材料、一代技術、一代產業(yè)”之說。

自上世紀50年代芯片問世至今，先后誕生了第一代半導體材料（以硅、鍺為代表）、第二代半導體材料（以砷化鎵、磷化銦為代表）和第三代半導體材料（以碳化硅、氮化鎵為代表）。

其中硅憑借卓越的化學穩(wěn)定性和地殼中豐富的儲量，一直占據著芯片制造的主流。

● 硅基芯片于上世紀50年代末問世，至今已統(tǒng)治了半導體行業(yè)近70年

80年代登場的砷化鎵、磷化銦，是第二代半導體材料的典型代表。它們一定程度上突破了傳統(tǒng)硅材料的性能限制，在衛(wèi)星通信、光通信等場景中獲得了廣泛應用。然而放眼整個芯片領域，二者仍屬小眾。

到了新世紀，以氮化鎵等為代表的第三代半導體材料開始登場。

與傳統(tǒng)的硅芯片相比，氮化鎵芯片具有更快的響應速度、更低的能耗和更小的體積，正覆蓋5G通信、新能源汽車、機器人、光伏儲能等多個戰(zhàn)略新興產業(yè)。

尤其在AI時代，其應用前景非常廣闊。

它也因此被視為半導體行業(yè)“游戲規(guī)則的改變者”，有可能對硅的應用產生顛覆性影響。

● 氮化鎵芯片

駱薇薇極具前瞻性地進入氮化鎵賽道，是國內最早一批研究第三代半導體產業(yè)化的人。

她畢業(yè)于新西蘭梅西大學，擁有應用數(shù)學博士學位，1999年加入NASA（美國宇航局）旗下研究院，用15年的時間，從項目經理一直做到了首席科學家。

正是這段獨特的科研經歷，給了她日后創(chuàng)業(yè)的勇氣。

● 駱薇薇

2014年，美國納微半導體公司成立，專注于氮化鎵功率芯片的研發(fā)和銷售。

一直關注著中國芯片產業(yè)動態(tài)的駱薇薇敏銳意識到，這也許是中國繞開硅基壁壘、實現(xiàn)彎道超車的好機會，當即決定回國創(chuàng)業(yè)。

朋友得知后，在電話那頭急得跳腳：“芯片行業(yè)坑太深了，沒個十年八年別想量產！”

周圍人也覺得她太冒險了：放著高薪穩(wěn)定的工作不做，為啥偏要去干這么一件沒有勝算的事情？

但這并未動搖駱薇薇的決心，她還是義無反顧地回了國。

她說：“全球第三代半導體還在探索階段，沒有絕對的行業(yè)龍頭，這是時代給予我們難得的機會，我們不應該辜負。”

02 不一樣的打法

創(chuàng)業(yè)初期，一切都很艱難。

駱薇薇坦言公司早期融資困難重重，因為那個時候，國內氮化鎵領域幾乎是一片未被開墾的荒地，在量產能力、技術代差、市場驗證等方面存在著一系列問題。

而大部分投資機構偏愛輕資產、回報快的項目，對造芯片這類重資產、周期長的項目并沒有多大興趣。

駱薇薇四處奔走，屢屢碰壁，所幸在她的堅持下，最終找到了認可她理念和前景的投資人，拿到了關鍵的資金支持。

在經過籌備后，2015年12月，英諾賽科在珠海正式成立。

● 英諾賽科

駱薇薇從一開始就采用了不一樣的打法，她在公司的大方向上，做出了兩項極具魄力的決策：

一是大膽采用IDM模式。

芯片行業(yè)發(fā)展至今，大部分企業(yè)的主流做法是Fabless模式，即把芯片設計環(huán)節(jié)與芯片制造環(huán)節(jié)分離，自己只進行設計，設計完成后交給專門的芯片制造廠來生產。

這種做法很大程度上減輕了企業(yè)負擔，被業(yè)內廣泛采用，像英偉達、高通、AMD等國際巨頭，都是這樣做的。

而駱薇薇為了掌握公司命脈，堅持IDM模式，即“全流程自主運營”，將芯片的設計、制造、封裝、測試等流程全部抓在自己手里。

這一模式雖然難度巨大，但在國際局勢風起云涌的當下，避免了受制于人的隱患，同時也確保了產能和質量的穩(wěn)定。

二是死磕8英寸氮化鎵工藝。

當時，業(yè)內大多沿用的是4英寸和6英寸工藝，技術成熟度相對較高。

而駱薇薇要搞的8英寸工藝，比6英寸足足提高了80%的芯片產出量，單個器件能夠實現(xiàn)降本約30%。

但工藝復雜度也隨之大幅提升，技術門檻極高。

駱薇薇認為，困難是可以克服的，越難才越能拉開差距。

“在NASA的工作經歷，讓我積累了勇氣。即使是再難的事情，也敢做可行性分解，一步一步地去完成。”

03 從默默無聞到全球第一

為了造出合格的氮化鎵芯片，駱薇薇帶領團隊，開始了沒日沒夜地研究。

這位女科學家展現(xiàn)出了極強的韌勁：

面對歐美高端設備禁運，他們買不到卡脖子的裝備，就想方設法去找舊機器；她白天駐守車間，一遍一遍地教年輕工程師們調設備、改參數(shù)；深夜則在實驗室搞研究、對比數(shù)據曲線……

功夫不負有心人，最終，駱薇薇團隊攻克多項行業(yè)難題，成功掌握了8英寸硅基氮化鎵相關技術工藝，并快速推進規(guī)模化生產。

2017年，英諾賽科自主研發(fā)的中國首條8英寸硅基氮化鎵生產線正式通線投產，主要產品包括8英寸硅基氮化鎵晶圓和100V-650V氮化鎵功率器件等，設計和性能均達國際最先進水平。

● 英諾賽科生產的8英寸硅基氮化鎵晶圓

也是在同一年，由于珠?；氐漠a能逐漸無法滿足需求，駱薇薇果斷帶領英諾賽科揮師北上，將總部遷往蘇州。

蘇州本就是集成電路產業(yè)集聚地，這讓英諾賽科瞬間坐擁完備的上下游產業(yè)鏈，進入發(fā)展的快車道。

2021年，在經過3年的籌建后，英諾賽科蘇州工廠正式建成投產，一躍成為全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地。

● 駱薇薇（中）在英諾賽科蘇州工廠投產儀式上

英諾賽科坐擁珠江、蘇州兩大基地，出貨量持續(xù)飆升：

2020年，其氮化鎵功率芯片累計出貨量100萬顆，2021年達到1000萬顆，2022年進一步升至1億顆。

而到了2023年，這一數(shù)字已超過驚人的5億顆。

從100萬到5個億，駱薇薇只用了3年。

據弗若斯特沙利文數(shù)據顯示，按氮化鎵分立器件出貨量折算，英諾賽科市占率高達42.4%，在全球氮化鎵功率半導體公司中，市場份額排名第一。

這些產品被廣泛應用于消費電子、工業(yè)設備、數(shù)據中心、新能源汽車等多個高增長領域，并作為新一代關鍵材料，深度參與綠色能源、智能電網等新一輪能源技術變革。

04 一場沒有硝煙的戰(zhàn)爭

然而，就在英諾賽科快速崛起之際，國外巨頭對其發(fā)起了阻擊。

2023年5月，美國芯片巨頭EPC（宜普公司）向美國聯(lián)邦法院、美國國際貿易委員會、美國加州地方法院分別提起訴訟，稱中國英諾賽科侵犯了其氮化鎵技術專利，尋求禁令及賠償。

EPC是全球氮化鎵技術的先驅之一，早在2010年便生產了第一批商業(yè)化的氮化鎵晶體管和集成電路，并布局了50余項美國專利和170余項全球專利，覆蓋諸多氮化鎵設計制造的關鍵環(huán)節(jié)。

在EPC的訴訟下，美國國際貿易委員會初步裁定英諾賽科部分侵權。

對于該項裁決，英諾賽科堅決反對，并在美國當?shù)靥崞鹆松显V。

這場專利戰(zhàn)，雙方打了近兩年，直到今年3月才迎來了最終裁決——EPC對英諾賽科的指控并無依據，所有索賠無效。

這意味著，在這場漫長的專利之爭中，英諾賽科取得了完全的勝利。

敢于硬剛國際巨頭，駱薇薇的底氣，來自于她對技術和知識產權的重視。

截至2024年年底，英諾賽科已在全球擁有700多項專利及專利申請，涵蓋芯片設計、晶圓制造、封裝結構等多個關鍵領域。

這些專利共同搭建起了一道厚重的技術壁壘，也成了英諾賽科立足國內、輻射全球的殺手锏。

05 兩強聯(lián)手，定義AI時代的游戲規(guī)則

2024年12月30日，駱薇薇帶領英諾賽科，在港交所敲響上市鑼，英諾賽科由此成為“中國氮化鎵半導體第一股”。

開盤后市值一度漲至300億港元，如今市值已超700億港元。

● 駱薇薇和英諾賽科CEO吳金剛（左）在港交所共同敲響上市鑼

市值飆升的背后，一個重要原因是近年來人工智能的興起，顯著推動了市場對氮化鎵的需求和信心。

以英偉達為例，為了滿足AI算力需求暴增后的供電效率，其正在積極部署數(shù)據中心從傳統(tǒng)的54V架構升級到800V高壓直流架構，并計劃于2027年完成全面部署。

而英諾賽科的全氮化鎵解決方案，相比傳統(tǒng)的硅基方案，在系統(tǒng)效率、熱損耗和可靠性方面均具有顯著優(yōu)勢，可支持AI算力10-1000倍的提升。

這在芯片領域無疑是顛覆性的。

這大概也是英偉達選擇與英諾賽科合作的原因——

后者不僅坐擁全球最大的氮化鎵功率芯片生產基地，同時還是全球唯一一家具備全電壓譜系產品矩陣的硅基氮化鎵芯片企業(yè)，覆蓋15V-1200V各種低中高壓應用場景。

● 英諾賽科的全氮化鎵解決方案。圖片來源：英偉達官網

雙方強強聯(lián)手，英偉達設計整個電力堆棧，英諾賽科則提供包括氮化鎵芯片、驅動IC、封裝設計、熱管理在內的全套解決方案——兩家行業(yè)頭部公司，正在共同定義AI時代的游戲規(guī)則。

對駱薇薇而言，這不僅是一次技術突破，也是中國半導體在細分領域掌握話語權的重要一步，引領全球開啟更高效、更可靠、更環(huán)保的AI計算時代。

● 駱薇薇

近年來，英諾賽科正不斷加快走向全球的步伐，在硅谷、首爾、比利時等地設立分支機構及研發(fā)中心，通過本地化運營，強化在北美市場、亞洲市場及歐洲市場競爭力。

駱薇薇經常告訴海外團隊，要讓世界相信“中國芯”。

她說：“真正的科技進步和創(chuàng)新，就是要打破原有束縛，突破思維定式和固有模式。一旦沖破過去的限制就會發(fā)現(xiàn)——

在走向未來的道路上，競爭對手還被困在過去故步自封，而我們，早已搶占了先機”