【熱點(diǎn)速讀】

1、小米雷軍：內(nèi)存漲價(jià)實(shí)在太多！REDMI K90全系漲價(jià)300-600元

2、CFM：Flash Wafer最新價(jià)格調(diào)整，部分漲幅超14%

3、長(zhǎng)電科技：Q3營(yíng)收同比增長(zhǎng)6.03%，將持續(xù)加強(qiáng)先進(jìn)封裝在存儲(chǔ)領(lǐng)域的發(fā)展

4、Lam Research：有信心將3D NAND蝕刻層數(shù)提升至1,000層

5、字節(jié)跳動(dòng)發(fā)布Seed3D 1.0：?jiǎn)螐垐D片可生成3D模型

1、小米雷軍：內(nèi)存漲價(jià)實(shí)在太多！REDMI K90全系漲價(jià)300-600元

今日，小米集團(tuán)創(chuàng)始人雷軍發(fā)布微博稱，REDMI K90標(biāo)準(zhǔn)版12GB+512GB首銷月直降300元，僅售2899元。并表示，最近內(nèi)存漲價(jià)實(shí)在太多。

對(duì)于此次調(diào)價(jià)，小米集團(tuán)總裁盧偉冰表示，來(lái)自上游的成本壓力，已真實(shí)的傳導(dǎo)到了其新品定價(jià)上。他坦言，無(wú)法改變?nèi)蚬?yīng)鏈的走勢(shì)，存儲(chǔ)成本上漲也遠(yuǎn)高于預(yù)期，且會(huì)持續(xù)加劇，但小米希望這份誠(chéng)意能夠讓大家理解。

實(shí)際上，手機(jī)存儲(chǔ)大幅漲價(jià)行情在二季度由LPDDR4X率先開啟，三星、SK海力士、美光等海外原廠LPDDR4X產(chǎn)能大幅縮減下，中低端機(jī)型LPDDR4X供應(yīng)滿足率迅速下滑。由此，原廠開始強(qiáng)勢(shì)提價(jià)。而三季度以來(lái)，原廠不滿消費(fèi)類NAND盈利長(zhǎng)時(shí)間始終維持較低水平，對(duì)于提高嵌入式存儲(chǔ)價(jià)格的心理越發(fā)強(qiáng)烈，Mobile NAND也從三季度起進(jìn)入漲價(jià)模式。

隨著北美CSP大規(guī)模建設(shè)AI數(shù)據(jù)中心而不斷增加對(duì)服務(wù)器、CPU、GPU、存儲(chǔ)芯片等在內(nèi)的核心硬件需求，服務(wù)器DRAM、HBM需求保持強(qiáng)勁；與此同時(shí)，HDD持續(xù)缺貨加上交期一再延宕下，部分海外云廠商轉(zhuǎn)向大容量QLC SSD作為替代方案。本月供需兩端本應(yīng)該陸續(xù)進(jìn)入Q4價(jià)格商定階段，但面對(duì)服務(wù)器市場(chǎng)不斷釋放出的積極信號(hào)，存儲(chǔ)原廠談判節(jié)奏略顯從容，近期才開始相繼報(bào)價(jià)。

正如CFM閃存市場(chǎng)分析，基于服務(wù)器應(yīng)用包括NAND、DRAM在內(nèi)的產(chǎn)能分配優(yōu)先，手機(jī)嵌入式存儲(chǔ)供應(yīng)較為有限，預(yù)計(jì)四季度mobile NAND、LPDDR4X/5X等產(chǎn)品全面延續(xù)漲價(jià)行情。

當(dāng)手機(jī)的核心配置提升或成本增加，這部分費(fèi)用轉(zhuǎn)嫁至終端售價(jià)時(shí)，價(jià)格是影響消費(fèi)者決策的最敏感因素之一，手機(jī)售價(jià)上漲在一定程度上可能會(huì)抑制產(chǎn)品銷量。此刻極其考驗(yàn)手機(jī)廠商的應(yīng)對(duì)策略。從REDMI K90全系列來(lái)看，基本比上一代產(chǎn)品漲價(jià)300-600元不等。不過(guò)，小米針對(duì)部分主流產(chǎn)品采取限時(shí)、戰(zhàn)略性優(yōu)惠，REDMI K90標(biāo)準(zhǔn)版12+512GB版本首銷月直降300元。當(dāng)前存儲(chǔ)芯片漲價(jià)的大環(huán)境下，對(duì)于手機(jī)廠商來(lái)說(shuō)，如何減弱存儲(chǔ)價(jià)格上漲對(duì)手機(jī)產(chǎn)品利潤(rùn)帶來(lái)的沖擊將是一大考驗(yàn)。

2、CFM：Flash Wafer最新價(jià)格調(diào)整，部分漲幅超14%

今日開盤，部分Flash Wafer價(jià)格上漲，最高漲幅超14%。

據(jù)CFM閃存市場(chǎng)最新報(bào)價(jià)，1Tb QLC 漲 8.33% 至 $6.50，1Tb TLC 漲 7.46% 至 $7.20，512Gb TLC 漲 14.29% 至 $4.80。

3、長(zhǎng)電科技：Q3營(yíng)收同比增長(zhǎng)6.03%，將持續(xù)加強(qiáng)先進(jìn)封裝在存儲(chǔ)領(lǐng)域的發(fā)展

長(zhǎng)電科技發(fā)布2025年三季報(bào)。第三季度營(yíng)業(yè)收入100.64億元，同比增長(zhǎng)6.03%；凈利潤(rùn)4.83億元，同比增長(zhǎng)5.66%。前三季度營(yíng)業(yè)收入286.69億元，同比增長(zhǎng)14.78%；凈利潤(rùn)9.54億元，同比下降11.39%；基本每股收益0.53元。

近日，長(zhǎng)電科技在互動(dòng)平臺(tái)表示，其封測(cè)服務(wù)覆蓋DRAM、Flash等各種存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品，擁有20多年存儲(chǔ)封裝量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，存儲(chǔ)相關(guān)封測(cè)技術(shù)處于行業(yè)領(lǐng)先的地位。將持續(xù)加強(qiáng)先進(jìn)封裝在存儲(chǔ)領(lǐng)域的發(fā)展。

報(bào)告期，長(zhǎng)電科技就收購(gòu)晟碟半導(dǎo)體（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“晟碟半導(dǎo)體”）80%股權(quán)事項(xiàng)簽署補(bǔ)充協(xié)議并完成第三筆收購(gòu)款的支付。2025 年 9 月 27 日，長(zhǎng)電科技管理有限公司（以下簡(jiǎn)稱“收購(gòu)方”）、SANDISK CHINA LIMITED（以下簡(jiǎn)稱“出售方”）雙方簽署了《補(bǔ)充協(xié)議（一）》，經(jīng)交易雙方協(xié)商同意，因晟碟半導(dǎo)體部分原材料的采購(gòu)模式調(diào)整其所需營(yíng)運(yùn)資金增加，收購(gòu)方可在后續(xù)調(diào)減收購(gòu)對(duì)價(jià)，并在向出售方支付股權(quán)交易價(jià)款時(shí)扣減相應(yīng)金額。2025 年9 月29日，收購(gòu)方根據(jù)補(bǔ)充協(xié)議約定調(diào)減 1,003.56 萬(wàn)美元后，以自有資金向出售方支付第三筆收購(gòu)款2,740.44萬(wàn)美元（含稅）。

4、Lam Research：有信心將3D NAND蝕刻層數(shù)提升至1,000層

繼將低溫蝕刻技術(shù)應(yīng)用于400層3D NAND閃存量產(chǎn)后，Lam Research對(duì)實(shí)現(xiàn)1000層NAND表現(xiàn)出強(qiáng)大信心。

Lam Research 預(yù)測(cè)，隨著大容量 NAND 技術(shù)進(jìn)步的步伐加快，為確保產(chǎn)品可靠性，對(duì)其低溫蝕刻技術(shù)“Cryo”的需求將不斷增長(zhǎng)。隨著智能手機(jī)、個(gè)人電腦和汽車等邊緣 AI 的普及，數(shù)據(jù)中心以外的領(lǐng)域?qū)Υ笕萘?NAND 的需求也在不斷增長(zhǎng)。

為了生產(chǎn)制造可靠的多層NAND，需要高度精確的通道孔蝕刻，Cryo 3.0憑借其卓越的性能瞄準(zhǔn)了這一市場(chǎng)。Cryo 3.0在蝕刻深度10μm時(shí)，將最大和最小通道直徑差異控制在9nm以內(nèi)，從而使輪廓偏差率低于0.1%。此外，它還將每片晶圓的能耗降低40%，二氧化碳排放量降低90%以上。

Lam Research的低溫蝕刻技術(shù)Cryo 是業(yè)內(nèi)首次量產(chǎn)的低溫蝕刻技術(shù)，目前已在 8,000 個(gè) NAND 蝕刻室中約 1,500 個(gè)中使用，并且其數(shù)量正在迅速增加。

5、字節(jié)跳動(dòng)發(fā)布Seed3D 1.0：?jiǎn)螐垐D片可生成3D模型

字節(jié)跳動(dòng) Seed 團(tuán)隊(duì)推出 3D 生成大模型 ——Seed3D 1.0，實(shí)現(xiàn)從單張圖像到高質(zhì)量仿真級(jí) 3D 模型的端到端生成。

Seed3D 1.0 基于創(chuàng)新的 Diffusion Transformer 架構(gòu)，通過(guò)大規(guī)模數(shù)據(jù)訓(xùn)練完成，可生成包括精細(xì)幾何、真實(shí)紋理和基于物理渲染（PBR）材質(zhì)的完整 3D 模型。