10月30日消息，據(jù)韓國媒體mk.co.kr報道，由于美光（Micron）的HBM4產(chǎn)品仍難以滿足英偉達（NVIDIA）對性能和功耗的要求，導(dǎo)致美光可能需要重新設(shè)計HBM4芯片架構(gòu)。如果消息屬實，那么將導(dǎo)致美光HBM4的量產(chǎn)延后長達9 個月，這也意味著其在2026年內(nèi)都將難以實現(xiàn)量產(chǎn)，將錯失英偉達的訂單。

今年9月，SK海力士率先宣布，其新一代的HBM4已完成開發(fā)并進入量產(chǎn)，完全滿足客戶的性能要求，支持行業(yè)領(lǐng)先的速度，出貨將于今年第四季度開始，并計劃在明年全面擴大銷售。有消息稱，SK海力士的HBM4已經(jīng)通過了英偉達的驗證。

三星為避免導(dǎo)致其在 DRAM 領(lǐng)域失去主導(dǎo)地位，希望通過其基于更先進的1c DRAM 的 HBM4的大規(guī)模生產(chǎn)，來確保對SK海力士的競爭優(yōu)勢。根據(jù)此前的傳聞，三星1c DRAM良率突破50%，HBM4 邏輯芯片良率已達到驚人的 90%。三星HBM4預(yù)計將會在今年四季度，目前暫未有延遲跡象。

業(yè)界人士指出，HBM4 是針對AI 與資料中心高功耗運算而設(shè)計的關(guān)鍵元件，對頻寬、功耗與堆疊整合的要求遠高于前代。相較之下，SK hynix 已在上月率先完成全球首條HBM4 量產(chǎn)線，三星電子也在本月的「2025 半導(dǎo)體大展（SEDEX）」上公開HBM4 實品并啟動量產(chǎn)準備，技術(shù)差距正進一步擴大。

分析指出，美光若持續(xù)落后于SK海力士和三星，不僅將錯英偉達的HBM4的主要采購機會，也可能在新一輪AI數(shù)據(jù)中心訂單中被SK海力士和三星排擠。市場預(yù)期，短期內(nèi)HBM4 市場仍將由SK海力士與三星主導(dǎo)，美光能否在2026 年重回競爭行列，將取決于其HBM4 設(shè)計修正與良率提升的進度。

編輯：芯智訊-浪客劍