山東
IT之家 12 月 11 日消息，《日經(jīng)亞洲》早些時候報道稱，KIOXIA 鎧俠計劃 2026 年啟動下代 BiCS10 3D NAND 閃存的量產(chǎn)，支持大容量企業(yè)級固態(tài)硬盤的需求。
鎧俠的 BiCS10 采用 332 層堆疊技術(shù)，支持 4.8Gbps 的 I/O 接口速率，位密度相較現(xiàn)有的 BiCS8 提升 59%。報道指出，BiCS8 的量產(chǎn)晶圓廠將是巖手縣北上市新落成的 Fab 2。
▲ 本圖左側(cè)即 Fab 2
與此同時，鎧俠也將在 2025 財年末開始量產(chǎn) BiCS9 NAND，該序列則是在現(xiàn)有 BiCS5、BiCS8 存儲陣列的基礎(chǔ)上利用 CBA 技術(shù)從外圍電路端進一步提升性能。BiCS9 將使用三重縣四日市工廠，主要面向智能手機等需求。
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