前言

合封氮化鎵在快充充電器中的優(yōu)勢(shì)正越來(lái)越被廠商與市場(chǎng)認(rèn)可。與傳統(tǒng)硅基方案相比，合封氮化鎵器件具有更低的導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗、支持更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而顯著縮小磁性與濾波元件體積、提升功率密度；同時(shí)更易實(shí)現(xiàn)更低的輕載與空載功耗，便于滿足嚴(yán)格的能效與待機(jī)指標(biāo)。

安克作為知名數(shù)碼外設(shè)品牌，一直以小體積、做工與兼容性著稱，其 Nano 系列便是面向便攜快充的代表。經(jīng)充電頭網(wǎng)拆解發(fā)現(xiàn)安克 Nano 70W與 Nano 30W快充充電器中均采用了智融 SW1121P 為核心的高集成電源方案，接下來(lái)充電頭網(wǎng)將詳細(xì)介紹一下。

智融科技SW1121P

智融科技SW1121P是一顆集成650V耐壓，480mΩ導(dǎo)阻氮化鎵開(kāi)關(guān)管的高頻準(zhǔn)諧振反激變換器，芯片內(nèi)部集成了700V高壓?jiǎn)?dòng)電路，線電壓掉電檢測(cè)和X電容放電功能。

SW1121P運(yùn)行在帶谷底鎖定的谷底開(kāi)啟模式，降低開(kāi)關(guān)損耗，并集成頻率抖動(dòng)功能優(yōu)化EMI性能。芯片支持突發(fā)模式，當(dāng)負(fù)載降低時(shí)自動(dòng)進(jìn)入突發(fā)模式優(yōu)化輕載效率，空載待機(jī)功耗低于50mW，滿足六級(jí)能耗要求。

SW1121P支持8-90V超寬范圍供電，支持最高300KHz開(kāi)關(guān)頻率，采用散熱增強(qiáng)的QFN5*6mm封裝，可通過(guò)過(guò)孔導(dǎo)熱來(lái)降低芯片溫升，優(yōu)化走線，簡(jiǎn)化散熱設(shè)計(jì)。芯片內(nèi)置多重完善的保護(hù)功能，實(shí)現(xiàn)全面的保護(hù)設(shè)計(jì)。

安克Nano 70W氮化鎵充電器

安克Nano 70W氮化鎵充電器擁有黑、白、藍(lán)、粉四種配色供用戶進(jìn)行選擇，同時(shí)機(jī)身采用麥穗雕花紋理設(shè)計(jì)，邊緣為與iPhone同款弧度金屬質(zhì)感邊框，頂面靈動(dòng)微光面板，整體小巧精美。

產(chǎn)品配置2C1A快充接口，分別支持最高70W PD和33W UFCS融合快充，此外兼容QC、SCP、PPS等主流快充協(xié)議，支持多種多口輸出策略，支持筆電、平板、手機(jī)等設(shè)備同時(shí)充電，滿足消費(fèi)者對(duì)于該系列在性能方面的選購(gòu)需求。

充電頭網(wǎng)通過(guò)拆解發(fā)現(xiàn)，充電器基于智融科技SW1121P+SW1608以及必易微KP2208X+KP4060兩套開(kāi)關(guān)電源方案設(shè)計(jì)，分別用于USB-A和另外兩個(gè)USB-C接口。此外對(duì)應(yīng)的輸出協(xié)議芯片采用拓爾微IM2423P和TMI9431。萬(wàn)京源品牌電解電容以及固態(tài)電容進(jìn)行濾波，用料做工可靠。

1、拆解報(bào)告：安克Nano 70W 2C1A氮化鎵充電器

安克Nano 30W氮化鎵充電器

安克Nano 30W氮化鎵充電器延續(xù)系列風(fēng)格設(shè)計(jì)，小巧機(jī)身搭配折疊插腳，十分的便攜，同時(shí)還有多款莫蘭迪配色可選，滿足不同人群的喜好需求。產(chǎn)品支持PD、PPS、QC等主流快充協(xié)議，并具備20V輸出檔位，滿足手機(jī)、手表、耳機(jī)以及Switch等設(shè)備充電需求。

充電頭網(wǎng)通過(guò)拆解了解到，充電器采用兩塊電路板組合焊接，內(nèi)部采用智融SW1121P合封氮化鎵芯片搭配華源智信同步整流協(xié)議芯片HYC935A的高集成電源方案，兩顆芯片便完成了傳統(tǒng)方案五顆芯片的功能，有效簡(jiǎn)化電路提高系統(tǒng)可靠性并降低成本，同時(shí)對(duì)提升產(chǎn)品功率密度縮小體積幫助也很大。

1、拆解報(bào)告：安克Nano 30W氮化鎵快充充電器

充電頭網(wǎng)總結(jié)

安克 Nano 系列在 30W 與 70W 兩款產(chǎn)品中均采用了智融科技 SW1121P 為核心的電源方案，利用其高集成度與高頻特性實(shí)現(xiàn)了體積縮小、功率密度提升以及電路件數(shù)的顯著減少——30W 版本兩顆芯片替代傳統(tǒng)五顆器件的設(shè)計(jì)尤其體現(xiàn)出系統(tǒng)集成與成本優(yōu)化的效果。同時(shí)，SW1121P 的低空載功耗、谷底開(kāi)啟與頻率抖動(dòng)等特性也幫助產(chǎn)品在能效與 EMI 控制上取得良好表現(xiàn)，從而在便攜性與性能之間找到更優(yōu)平衡。

安克對(duì)合封氮化鎵方案的采用反映出快充市場(chǎng)向更高集成度與更嚴(yán)格能效/體積要求演進(jìn)的趨勢(shì)。合封 GaN 器件不僅推動(dòng)充電器向小型化、高功率與多口化發(fā)展，也降低了系統(tǒng)復(fù)雜度與散熱/EMI 設(shè)計(jì)門檻，利于廠商更快推出差異化產(chǎn)品。隨著此類高集成芯片在主流品牌中的普及，供應(yīng)鏈、標(biāo)準(zhǔn)與測(cè)試能力也將相應(yīng)完善，進(jìn)一步加速氮化鎵在消費(fèi)級(jí)快充領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用。