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9月10日消息，日本TEL公司社長河合利樹抵達(dá)中國臺(tái)灣，密會(huì)臺(tái)積電董事長魏哲家，疑為2nm泄密案“向臺(tái)積電賠罪”！

據(jù)報(bào)道，2025年SEMICON Taiwan國際半導(dǎo)體展今日于臺(tái)北南港展覽館一、二館正式開幕，吸引全球產(chǎn)業(yè)目光。不過，外界關(guān)注的焦點(diǎn)之一，落在東京威力科創(chuàng)（TEL）社長兼執(zhí)行長河合利樹的缺席。

據(jù)了解，河合昨日下午缺席展會(huì)活動(dòng)，轉(zhuǎn)而前往新竹與臺(tái)積電董事長暨總裁魏哲家進(jìn)行閉門會(huì)晤，為先前爆發(fā)的2nm技術(shù)泄密事件親自道歉，并提出后續(xù)善后對(duì)策。

據(jù)報(bào)導(dǎo)，TEL是全球半導(dǎo)體設(shè)備的主要供貨商，臺(tái)灣地區(qū)為其關(guān)鍵市場，臺(tái)積電更是其重要客戶。

知情人士透露，河合利樹此行主要目的是向臺(tái)積電表達(dá)歉意，針對(duì)TEL前陳姓工程師涉嫌泄露臺(tái)積電2nm技術(shù)機(jī)密一事，親自向魏哲家致歉，并提出公司如何善后的初步構(gòu)想。由于雙方為閉門會(huì)談，具體內(nèi)容尚不對(duì)外公開，目前仍待TEL方面進(jìn)一步說明。

據(jù)之前報(bào)道，臺(tái)積電 2nm 芯片技術(shù)外泄事件涉案 3 人被檢方起訴，分別被要求判處14年、9年和7年徒刑。

涉案的主要嫌疑人陳姓男子曾任臺(tái)積電工程師，熟悉公司嚴(yán)格的保密制度與供應(yīng)商保密協(xié)議。離職后，他加入日本半導(dǎo)體設(shè)備龍頭 TEL 公司，并利用舊同事關(guān)系，多次索取 2 納米蝕刻站相關(guān)機(jī)密文件和數(shù)據(jù)，將其拍攝、復(fù)制，用于幫助 TEL 公司改進(jìn)設(shè)備性能。

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