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據(jù)臺灣地區(qū)科技媒體technews報道，臺積電（TSMC）提升ASML極紫外光（EUV）光刻機(jī)效率取得重大進(jìn)展，2019年以來，臺積電以系統(tǒng)級優(yōu)化及自研薄膜材料，使EUV生產(chǎn)晶圓產(chǎn)量增加30倍，同時電力消耗減少24%。 身為全球最大EUV用戶，臺積電有約200臺機(jī)臺，2024~2025年再新增60多臺，支撐先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)需要。
臺積電核心優(yōu)勢來自硬件設(shè)備及材料供應(yīng)鏈掌控力，甚至計劃改造一座200毫米工廠專門生產(chǎn)自研EUV薄膜，性能超過ASML原廠，展現(xiàn)臺積電制程與材料整合實(shí)力。 薄膜壽命增加四倍，單片晶圓產(chǎn)能提升4.5倍，瑕疵品大幅降低。
2019年首次于華為麒麟9000處理器導(dǎo)入EUV后，臺積電控制全球超過42%~56%的EUV機(jī)臺裝機(jī)量，且持續(xù)投資最佳化制程，包括曝光劑量微調(diào)、曝光材料改良及預(yù)測性維護(hù)，大幅提升每日機(jī)臺利用率與生產(chǎn)效率。 這些成果為即將量產(chǎn)的2納米提供堅實(shí)基礎(chǔ)，持續(xù)鞏固臺積電的全球半導(dǎo)體代工龍頭地位。
將來臺積電聚焦新曝光材料與制程，并配合即將量產(chǎn)的高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV系統(tǒng)，繼續(xù)引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)革新。
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