全球存儲芯片市場正迎來一輪強勁的漲價潮,AI算力需求成為核心驅(qū)動力。
全球存儲芯片市場正迎來一輪強勁的漲價潮。9月30日,A股存儲器指數(shù)上漲 5.46%,江波龍、德明利、深科技等多只個股漲停,板塊成交金額突破130億元。
本輪漲價潮始于9月初,當(dāng)時閃迪宣布面向所有渠道和消費者客戶的產(chǎn)品價格上調(diào) 10%以上,隨后美光科技通知渠道商其存儲產(chǎn)品價格將上漲 20%-30%。這已是今年存儲芯片市場的第二輪漲價,早在4月份就已開始。
一、漲價潮席卷全球,市場反應(yīng)強烈
存儲芯片市場的漲價潮來勢洶洶。 美光、三星等國際巨頭相繼調(diào)價,帶動A股存儲板塊全線走強。
截至9月30日收盤,江波龍漲停,漲幅20%,華虹公司漲超15%,兆易創(chuàng)新漲超8%。存儲器板塊主力資金凈流入高達 35.27億元,市場排名第一,顯示出資金對該領(lǐng)域的強烈看好。
漲價潮覆蓋了從DRAM到NAND Flash的全產(chǎn)品線。第三方機構(gòu)閃存市場數(shù)據(jù)顯示,在過去不到半年時間里,DRAM價格指數(shù)上漲約 72%。
市場調(diào)研顯示,消費級SSD在一個半月內(nèi)價格飆升 40%,企業(yè)級大容量SSD漲幅超過 50%。華強北市場上,16G以上內(nèi)存條一度難以拿貨,部分熱門存儲芯片價格相比年初翻了三倍。
二、供需失衡,AI算力需求成核心驅(qū)動力
本輪存儲芯片漲價的根本原因在于 供需關(guān)系的結(jié)構(gòu)性變化。
在供應(yīng)端,三星、SK海力士、美光等頭部廠商自2025年4月起將產(chǎn)能從DDR4轉(zhuǎn)向DDR5、LPDDR5及HBM高帶寬內(nèi)存,導(dǎo)致DDR4供應(yīng)缺口擴大。
甚至出現(xiàn)了價格倒掛現(xiàn)象——前代產(chǎn)品價格反超新一代產(chǎn)品。2025年6月,DDR4 16Gb現(xiàn)貨價格飆升至 12.3美元,而同容量DDR5價格僅為 6.05美元。
在需求端, AI算力需求呈指數(shù)級增長。AI服務(wù)器對存儲芯片的需求遠超傳統(tǒng)服務(wù)器,單臺AI服務(wù)器需配備3TB以上內(nèi)存和PB級存儲。
全球云廠商資本支出同比增長超過 50%,加劇了供需緊張。
國內(nèi)外科技巨頭的大規(guī)模資本投入進一步加劇了存儲芯片的供需緊張。阿里宣布未來三年投入超過 3800億元建設(shè)云和AI基礎(chǔ)設(shè)施;騰訊2025年AI資本支出可能接近千億元。這些投入直接拉動了企業(yè)級存儲需求。
三、國產(chǎn)替代機遇,國內(nèi)企業(yè)嶄露頭角
海外巨頭收縮產(chǎn)品線,為 中國存儲企業(yè)打開了歷史性的發(fā)展窗口。根據(jù)Omdia預(yù)測,2025年全球DDR5市場規(guī)模將高達 620億美元,中國廠商有望在此市場中占據(jù)30%以上的份額。
國內(nèi)存儲企業(yè)正迎來雙重利好:一方面可以跟隨行業(yè)趨勢提升產(chǎn)品價格;另一方面憑借性價比優(yōu)勢搶占市場份額。9月以來,香農(nóng)芯創(chuàng)股價已累計上漲 115.95%,德明利累計上漲 117.02%,市場看好其業(yè)績彈性。
多家國內(nèi)上市公司在存儲芯片領(lǐng)域已取得實質(zhì)性突破:
兆易創(chuàng)新作為全球唯一在NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM和MCU領(lǐng)域均排名全球前十的集成電路設(shè)計公司,其NOR Flash全球市占率 18.5%,國內(nèi)排第一。
香農(nóng)芯創(chuàng)自主品牌“海普存儲”已完成企業(yè)級DDR4、DDR5、Gen4 eSSD的研發(fā)試產(chǎn)。作為SK海力士的核心代理商,在HBM資源稀缺的當(dāng)下,地位關(guān)鍵。
深科技是國內(nèi)存儲封測龍頭,也是HBM國產(chǎn)替代的關(guān)鍵角色,其HBM3專用產(chǎn)線已完成樣品驗證,良率追平三星的 98.2%,有望切入英偉達的AI服務(wù)器供應(yīng)鏈。
四、未來展望,存儲行業(yè)進入新上行周期
機構(gòu)普遍認為, 存儲芯片的漲價趨勢將持續(xù)到明年。TrendForce預(yù)計,2025年四季度舊制程DRAM價格漲幅依舊可觀,若加計HBM產(chǎn)品,季度環(huán)比漲幅將擴大至 13%-18%。
CFM閃存市場的最新預(yù)測顯示,2025年存儲市場規(guī)模將高達 1932億美元,創(chuàng)歷史新高。AI服務(wù)器出貨規(guī)模持續(xù)擴大,手機新品發(fā)布將催生新一輪換機需求,疊加存儲晶圓原廠兼顧投入產(chǎn)出比的供應(yīng)策略影響,四季度存儲市場價格將迎來全面上漲。
技術(shù)迭代也在加速進行。 HBM3e已成為當(dāng)前主流,位元份額超過 75%,而HBM4預(yù)計將在2025年底推出。AI不僅推高了存儲用量,更重塑了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)——高性能QLC NAND和LPDDR5X成為新寵。
對于投資者而言,存儲行業(yè)正迎來周期回暖與國產(chǎn)替代的雙重機遇。隨著AI算力、數(shù)據(jù)中心等新興需求爆發(fā),存儲行業(yè)有望成為2025年半導(dǎo)體市場的核心賽道之一。
隨著全球宏觀經(jīng)濟復(fù)蘇,智能手機、PC、智能家居等消費電子終端需求逐步回暖,疊加“AI手機、AI PC”概念普及,終端設(shè)備存儲容量升級進一步拉動存儲芯片的需求。
業(yè)內(nèi)專家指出,存儲芯片行業(yè)正經(jīng)歷從 周期波動向技術(shù)驅(qū)動的歷史性轉(zhuǎn)型。AI爆發(fā)性需求推動存儲性能與容量要求呈指數(shù)級增長,這場由AI驅(qū)動的存儲芯片漲價潮,才剛剛開始。
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