前言

傳統(tǒng)分立器件組合的電路方案往往存在外圍器件多、驅動設計復雜、PCB面積占用大等問題。隨著氮化鎵功率器件的不斷成熟，廠商們逐漸將驅動與功率管集成，推出半橋氮化鎵芯片。這類產(chǎn)品通過高度集成化的設計，有效簡化了系統(tǒng)架構，同時還在效率、開關速度以及功率密度方面展現(xiàn)出優(yōu)勢，非常適合應用于電機驅動、開關電源、快充、光伏逆變器及車載電源等高性能場景。

目前，已有多家國內外廠商在650V等高壓半橋GaN領域推出產(chǎn)品，并在不斷豐富其型號和應用。本文將梳理十大廠商的代表性半橋GaN芯片，結合其主要參數(shù)與技術特點，為讀者提供一個系統(tǒng)性的參考。

半橋氮化鎵芯片

充電頭網(wǎng)總結了十大廠商推出的多款高壓氮化鎵芯片，并匯總如上表所示。

文中排名不分先后，按企業(yè)首字母順序排列。

Fantastichip梵塔

梵塔FCG65N150QF

梵塔FCG65N150QF氮化鎵合封器件創(chuàng)新性地集成了半橋驅動器、兩個對稱半橋配置的650V耐壓、150mΩ導阻的GaN晶體管，同時將自舉二極管一并內置，外圍精簡，大幅削減了占板空間，并從根源上削弱了寄生效應對電路性能的影響。

FCG65N150QF具備無反向恢復損耗的優(yōu)良特性，且開關延遲短，匹配誤差小。芯片內置穩(wěn)壓器，低高兩側均配備UVLO保護功能，助力芯片的穩(wěn)定工作，提升內置GaN工作效率，確保系統(tǒng)安全、高效運轉。此外，該芯片支持可編程死區(qū)時間，用戶能夠依據(jù)實際產(chǎn)品需求精準、靈活配置，有效提升了使用的便利性與適配性。

該芯片擁有工業(yè)級別的-40~125℃的耐受區(qū)間，搭配緊湊的QFN 9×9mm封裝，結構緊湊且受惡劣環(huán)境影響小。憑借此優(yōu)勢，該產(chǎn)品能廣泛且適配地應用于半橋、全橋、LLC以及AHB電路，以及對體積要求苛刻的高功率密度PD適配器、筆電適配器等多種場景。

1、GaN功率器件領域再添一員，梵塔推出全新半橋GaN

Infineon 英飛凌

英飛凌IGI60L1111B1M

IGI60L1111B1M 集成了一個半橋功率級，由兩個110 mΩ/600 V增強型 CoolGaN開關 和集成柵極驅動器組成，封裝在緊湊的6 x 8 mm TFLGA-27封裝內。在低至中功率應用場景下，該器件非常適合用于支持高功率密度電機驅動和開關電源的設計，充分利用 CoolGaN功率開關優(yōu)異的開關特性。

英飛凌的 CoolGaN及相關功率開關 具備非常堅固的柵極結構。當在導通狀態(tài)下由數(shù) mA 的連續(xù)柵極電流驅動時，總能保證實現(xiàn)最低導通電阻 Rdson。

英飛凌IGI60F1414A1L

英飛凌推出的半橋氮化鎵集成功率級芯片 IGI60F1414A1L，適合低功率至中功率范圍、小型輕量化的設計應用。外觀為8x8 QFN-28封裝型式，針對散熱效能進行強化，可為系統(tǒng)提供極高的功率密度。此產(chǎn)品包含兩個 140 mΩ / 600 V CoolGaN 增強型 （e-mode） HEMT 開關以及英飛凌 EiceDRIVER系列中的電氣隔離專用高低側柵極驅動器。

隔離柵極驅動器擁有兩個數(shù)字 PWM 輸入，讓 IGI60F1414A1L 更易于控制。為了達到縮短開發(fā)時間、減少系統(tǒng)物料清單項目和降低總成本等目標，利用集成隔離功能、明確分隔數(shù)字和電源接地以及簡化PCB配置等，皆是不可或缺的要素。

柵極驅動器采用英飛凌的單芯片無磁芯變壓器（CT）技術，將輸入與輸出有效隔離。即便在電壓上升或下降速率超過150 V/ns的超快速切換瞬時下，仍可確保高速特性和杰出的穩(wěn)定性。

英飛凌 IGI60F1414A1L的切換特性可以簡易地根據(jù)不同的應用借由一些柵極路徑的被動元件諸如阻容器件實現(xiàn)。例如，此特性可使電流或電壓速率優(yōu)化，以降低電磁干擾（EMI）效應、穩(wěn)態(tài)柵極電流調整和負柵極電壓驅動，在硬切換開關應用中穩(wěn)定運行。

1、英飛凌推出30W-500W快充應用CoolGaN氮化鎵產(chǎn)品

應用案例：

1、拆解報告：Anker安克全氮化鎵120W充電器

2、拆解報告：安克140W USB PD3.1氮化鎵充電器

英飛凌IGI60L1414B1M

IGI60L1414B1M 集成了一個半橋功率級，該功率級由兩個140 mΩ/600 V增強型CoolGaN開關與集成柵極驅動器組成，封裝于小巧的 6 x 8 mm TFLGA-27 封裝中。在低到中功率應用領域，它非常適合用于支持高功率密度的電機驅動和開關電源的設計，充分利用CoolGaN功率開關優(yōu)異的開關特性。

英飛凌的CoolGaN及相關功率開關 提供了非常穩(wěn)健的柵極結構。當其在“導通”狀態(tài)下由幾 mA 的連續(xù)柵極電流驅動時，總能保證最小的導通電阻 Rdson。

英飛凌IGI60L2727B1M

IGI60L2727B1M 集成了一個半橋功率級，該功率級由兩顆600 V / 270 mΩ增強型 CoolGaN開關與集成柵極驅動器組成，封裝為小尺寸 6 x 8 mm TFLGA-27。在低到中等功率應用領域，它非常適合用于高功率密度電機驅動和開關電源的設計，充分發(fā)揮CoolGaN功率開關卓越的開關特性。

英飛凌的CoolGaN及相關功率開關提供了非常穩(wěn)健的柵極結構。當在“導通”狀態(tài)下由連續(xù)的毫安級柵極電流驅動時，器件始終能夠保證最小導通電阻 Rdson。

英飛凌IGI60L5050B1M

IGI60L5050B1M 集成了一個半橋功率級，該功率級由兩個500mΩ/600V增強型CoolGaN開關與集成柵極驅動器組成，封裝在緊湊的6 x 8 mm TFLGA-27封裝中。在低到中功率應用領域，該器件非常適合用于設計 高功率密度的電機驅動和開關電源，充分利用 CoolGaN功率開關優(yōu)異的開關性能。

英飛凌的CoolGaN及相關功率開關提供了非常堅固的柵極結構。在“導通”狀態(tài)下，當以數(shù) mA的連續(xù)柵極電流驅動時，始終可以保證其具備最小的導通電阻Rdson。

Innoscience 英諾賽科

英諾賽科ISG6102

ISG6102是一款耐壓700V，導阻150mΩ的半橋氮化鎵功率芯片，支持9-80V的輸入電壓而無需額外的低壓差線性穩(wěn)壓器，能夠維持6V柵極驅動電壓，集成的智能柵極驅動器提供可編程的一級開啟速度以控制轉換速率，并延遲二級開啟增強，從而實現(xiàn)高頻率、高效率和低EMI性能。內部集成無損電流感應，具有可編程的開關啟動斜率，支持零反向恢復電壓，采用QFN6x8封裝。

英諾賽科ISG6103

ISG6103是一款耐壓700V，導阻230mΩ的半橋氮化鎵功率芯片，內置高壓線性穩(wěn)壓器、智能柵極驅動器和無損電流檢測電路，支持9-80V的輸入電壓而無需額外的低壓差線性穩(wěn)壓器，能夠維持6V柵極驅動電壓。集成的智能柵極驅動器提供可編程的一級開啟速度以控制轉換速率，并延遲二級開啟增強，從而實現(xiàn)高頻、高效率和低EMI性能，采用QFN6x8封裝。

英諾賽科ISG6106QA

英諾賽科ISG6106是一款耐壓700V，導阻100mΩ的半橋氮化鎵功率芯片，內部集成了高壓線性穩(wěn)壓器、智能棚極驅動器和無損電流檢測電路，支持最高80V輸入而無需額外的LDO需求，并可保持6.5V的柵極驅動電壓。

ISG6106可耐受700V連續(xù)電壓，800V的瞬時電壓，靜態(tài)電流僅有115μA，支持自動待機模式，支持零反向恢復電荷，高頻操作可達2MHz，集成5V LDO用于供電數(shù)字隔離器，內置的智能柵極驅動器提供可編程開關以控制轉換速率，采用QFN6x8封裝。

英諾賽科ISG6107QA

英諾賽科ISG6107是一款耐壓700V，導阻150mΩ的半橋氮化鎵功率芯片，內部集成了高壓線性穩(wěn)壓器、智能棚極驅動器和無損電流檢測電路，支持最高80V輸入而無需額外的LDO需求，并可保持6.5V的柵極驅動電壓。

ISG6107可耐受700V連續(xù)電壓，800V的瞬時電壓，靜態(tài)電流僅有115μA，支持自動待機模式，支持零反向恢復電荷，高頻操作可達2MHz，集成5V LDO用于供電數(shù)字隔離器，內置的智能柵極驅動器提供可編程開關以控制轉換速率，采用QFN6x8封裝。

英諾賽科ISG6108QA

英諾賽科ISG6108是一款耐壓700V，導阻230mΩ的半橋氮化鎵功率芯片，內部集成了高壓線性穩(wěn)壓器、智能棚極驅動器和無損電流檢測電路，支持最高80V輸入而無需額外的LDO需求，并可保持6.5V的柵極驅動電壓。

ISG6108可耐受700V連續(xù)電壓，800V的瞬時電壓，靜態(tài)電流僅有115μA，支持自動待機模式，支持零反向恢復電荷，高頻操作可達2MHz，集成5V LDO用于供電數(shù)字隔離器，內置的智能柵極驅動器提供可編程開關以控制轉換速率，采用QFN6x8封裝。

英諾賽科ISG6109QA

英諾賽科ISG6109是一款耐壓700V，導阻320mΩ的半橋氮化鎵功率芯片，內部集成了高壓線性穩(wěn)壓器、智能棚極驅動器和無損電流檢測電路，支持最高80V輸入而無需額外的LDO需求，并可保持6.5V的柵極驅動電壓。

ISG6109可耐受700V連續(xù)電壓，800V的瞬時電壓，靜態(tài)電流僅有115μA，支持自動待機模式，支持零反向恢復電荷，高頻操作可達2MHz，集成5V LDO用于供電數(shù)字隔離器，內置的智能柵極驅動器提供可編程開關以控制轉換速率，采用QFN6x8封裝。

JOULWATT 杰華特

杰華特JW1568K

JW1568K集成了一個門極驅動器和兩個增強模式的GaN晶體管，采用半橋配置。集成的功率GaN器件具有220 m?的導通電阻（RDS(ON)）和650 V的漏極-源極擊穿電壓，而嵌入式門極驅動器的高側可以輕松地由集成的bootstrap二極管供電。

JW1568K具有下部和上部驅動部分的欠壓鎖定保護，可防止功率開關在低效率或危險條件下運行。JW1568K提供6mm*8mm的QFN封裝。高度集成化使其成為一種簡單易用、元件數(shù)量少且高效的隔離電源傳遞應用解決方案。

應用案例：

1、拆解報告：機械革命140W USB-C氮化鎵快充充電器

2、拆解報告：Aohi 140W 2C1A氮化鎵充電器（青春版）

3、拆解報告：倍思100W伸縮線桌面充

4、拆解報告：機械革命140W USB-C氮化鎵快充充電器

Navitas 納微

納微NV624X

NV624X是一款采用了Navitas 納微半導體最新GaNSense技術的新一代半橋氮化鎵功率芯片系列產(chǎn)品，相比于現(xiàn)有的分立式方案，納微半橋功率芯片可實現(xiàn)MHz級的開關頻率，將有效降低系統(tǒng)損耗和復雜度。

納微NV624X系列目前已有 NV6245C、NV6247兩款產(chǎn)品，額定電壓均為 650V，均采用工業(yè)標準、薄型、低電感的 6x8mm PQFN 封裝。納微 NV6245C 內置2顆 275mΩ GaN FETs 和對應驅動器，可用于 65W ACF 拓撲快充電源、100W AHB 拓撲快充電源等產(chǎn)品中。

納微NV6247內置2顆160mΩ GaN FETs和對應驅動器，實現(xiàn)橋式電源拓撲在 MHz 頻率下運行。不僅如此，芯片同時還完美適配圖騰柱PFC以及三相電機驅動等應用場景。

納微NV624X 半橋氮化鎵功率芯片為電子元件創(chuàng)建了一個易于使用的系統(tǒng)構建塊。相較分立式方案，革命性的單片集成方案能有效減少 60% 的元件數(shù)量及布局結構，進而減少系統(tǒng)成本、尺寸、重量與復雜性。

納微NV624X半橋氮化鎵功率芯片集成的 GaNSense 技術實現(xiàn)了前所未有的自動保護，提升了系統(tǒng)可靠性和穩(wěn)定性，并結合了無損電流感測，達到更高層級的效率和節(jié)能水平。

1、邁向MHz時代，納微重磅推出新型半橋氮化鎵功率芯片NV624x系列

2、納微半導體發(fā)布GaNSense半橋氮化鎵功率芯片NV624x應用手冊

novosns 納芯微

納芯微NSG65N15K

為進一步發(fā)揮GaN高頻、高速的特性優(yōu)勢，納芯微同時推出了集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K，內部集成了半橋驅動器NSD2621和兩顆耐壓650V、導阻電阻150mΩ的GaN開關管，工作電流可達20A。NSG65N15K內部還集成了自舉二極管，并且內置可調死區(qū)時間、欠壓保護、過溫保護功能，可以用于圖騰柱PFC、ACF和LLC等半橋或全橋拓撲。

NSG65N15K用一顆器件取代驅動器和兩顆開關管組成的半橋，有效減少元件數(shù)量和布板面積。NSG65N15K是9*9mm的QFN封裝，相比傳統(tǒng)分立方案的兩顆5*6mm DFN封裝的GaN開關管加上一顆4*4mm QFN封裝的高壓半橋驅動，加上外圍元件，總布板面積可以減小40%以上，從而有效提高電源的功率密度。同時，NSG65N15K的走線更方便PCB布局，有利于實現(xiàn)簡潔快速的方案設計。

NSG65N15K的合封設計有助于減小驅動和開關管之間的寄生電感，簡化系統(tǒng)設計并提高可靠性。如上圖所示，傳統(tǒng)的分立器件方案，會引入由于PCB走線造成的柵極環(huán)路電感Lg_pcb和由于GaN內部打線造成的共源極電感Lcs。

其中，柵極環(huán)路電感Lg_pcb會在柵極電壓開通或關斷過程產(chǎn)生振鈴，如果振鈴超出GaN的柵源電壓范圍，容易造成柵極擊穿；并且在上管開通過程中，高dv/dt產(chǎn)生的米勒電流會在下管的Lg_pcb上產(chǎn)生正向壓降，有可能造成GaN的柵極電壓大于開啟電壓，從而誤導通。而共源極電感Lcs造成的影響，主要是會限制GaN電流的di/dt，增加額外的開關損耗；此外，在GaN開通過程電流增大，由于di/dt會在Lcs上產(chǎn)生正向壓降，降低了GaN的實際柵極電壓，增大了開通損耗。

1、納芯微進軍第三代半導體市場，推出半橋氮化鎵芯片

PRIMECHIP 元芯半導體

元芯半導體YX45132

YX45132將導阻400mΩ的高性能增強型700V GaN HEMT與全功能柵極驅動器集成在一起，實現(xiàn)了高頻率和高效率運行。該器件采用了一種新穎的電流檢測方法，該方法不受GaN動態(tài)導通電阻影響，可實現(xiàn)精準電流檢測，從而進一步提升系統(tǒng)性能和可靠性，這是分立GaN器件無法實現(xiàn)的。

YX45132內部集成了一個從40V VCC降壓的5V LDO，支持帶遲滯的TTL和CMOS邏輯輸入。同時還具備欠壓鎖定（UVLO）和過溫保護（OTP）功能，以提高系統(tǒng)的魯棒性；低待機電流設計可改善空載效率。

元芯半導體YX45134

YX45134 集成了一顆700V 300mΩ增強型GaN HEMT與全功能柵極驅動器，可實現(xiàn)高頻率和高效率運行。YX45134采用了一種新型電流檢測方法，該方法獨立于 GaN 的動態(tài) Rdson，可實現(xiàn)高精度的電流檢測，從而進一步提升系統(tǒng)性能與可靠性，這是分立式 GaN 器件所無法實現(xiàn)的。

YX45134內置從 40V VCC 轉換的 5V LDO，支持帶遲滯的 TTL 與 CMOS 邏輯輸入。同時具備欠壓鎖定（UVLO）與過溫保護功能，以增強系統(tǒng)的可靠性；其超低待機電流有助于提高空載效率。YX45134 可支持多種拓撲結構，包括反激（Flyback）、半橋（Half-Bridge）、降壓/升壓（Buck/Boost）、LLC 以及其他諧振變換器，在 MHz 級開關頻率下實現(xiàn)高效率和低 EMI，并以低成本實現(xiàn)前所未有的功率密度。

元芯半導體YX45136

YX45136將高性能增強型700V GaN HEMT與全功能柵極驅動器集成，實現(xiàn)了前所未有的高頻率與高效率運行。YX45136采用一種新型電流檢測方法，該方法不依賴GaN 動態(tài) Rdson，可實現(xiàn)精確電流檢測，進一步提升系統(tǒng)性能和魯棒性，而這在分立式 GaN FET 中是無法實現(xiàn)的。

YX45136 集成了從 40V VCC 降壓的 5V LDO，并支持帶遲滯的 TTL 與 CMOS 輸入邏輯。同時具備欠壓鎖定（UVLO）和過溫保護，提高系統(tǒng)可靠性；低待機電流則改善了空載效率。

YX45136 可支持多種拓撲結構，如反激、半橋、Buck/Boost、LLC 以及其他諧振變換器，實現(xiàn) MHz 級開關頻率，具備高效率和低 EMI，同時在低成本下實現(xiàn)前所未有的功率密度。

ST 意法半導體

ST意法半導體目前已推出至少5款MasterGaN半橋器件，MasterGaN器件內部集成了兩顆 650V耐壓的GaN開關管及驅動器，組成半橋器件，是一款先進的系統(tǒng)級功率封裝，可輸入邏輯電壓信號輕松控制器件，支持零下40到125攝氏度工作溫度范圍。

意法MasterGaN1

ST意法半導體MasterGaN1內部集成半橋驅動器和兩顆耐壓650V，導阻150mΩ的高壓GaN開關管，集成在9*9*1mm的QFN封裝內，工作電流10A，低側和高側均具有欠壓關閉保護。驅動器內置自舉二極管，內置互鎖功能，且具有準確的內部定時匹配。

圖為ST MasterGaN1的評估板，連接為半橋輸出，左側為驅動信號輸入，右側為半橋輸出，左側下方是一顆穩(wěn)壓器，為MasterGaN1提供穩(wěn)壓供電。通過評估板圖片可以看出，MasterGaN1器件將控制信號和功率走線分開，便于走線布局設計。

ST意法半導體 MasterGaN1 通過內部集成半橋驅動器和GaN開關管來減少元件數(shù)量，同時其走線方便布局設置，可實現(xiàn)靈活簡潔快速的設計。

1、ST意法半導體發(fā)布GaN半橋器件：內置驅動器和兩顆氮化鎵

2、ST意法半導體推出三款半橋氮化鎵單芯片

應用案例：

1、拆解報告：華為66W氮化鎵超薄充電器

2、拆解報告：華為66Ｗ多口超級快充拆解

意法MasterGaN1L

意法MASTERGAN1L是一款先進的系統(tǒng)級功率封裝器件，在半橋配置中集成了柵極驅動器和兩個增強模式GaN晶體管。集成的功率GaN具有150 mΩ的RDS(ON)和650 V漏源閉鎖電壓，而嵌入式柵極驅動器的高側可由集成式自舉二極管輕松提供。

MASTERGAN1L在VCC上具有UVLO保護，可防止電源開關在低效率或危險條件下運行，并且互鎖功能可避免出現(xiàn)交叉?zhèn)鲗У那闆r。輸入引腳的范圍經(jīng)過擴展，可與模擬控制器、微控制器和DSP單元輕松連接。MASTERGAN1L的工作溫度范圍為-40°C至125°C，采用緊湊型9x9 mm QFN封裝。

意法MasterGaN2

ST意法半導體MasterGaN2內部集成了半橋驅動器和兩顆耐壓650V的高壓GaN開關管組成非對稱半橋，上管為225mΩ，下管為150mΩ，集成在9*9*1mm的QFN封裝內，工作電流最高10A，低側和高側均具有欠壓關閉保護，可用于ACF拓撲。

MASTERGAN2為非對稱設計的半橋結構，上管為225mΩ，下管為150mΩ，其余功能與MASTERGAN1一致，可用于ACF拓撲。

ST意法半導體 MasterGaN2 集成的驅動器內置自舉二極管，內置互鎖功能，且具有準確的內部定時匹配。

1、ST意法半導體推出三款半橋氮化鎵單芯片

意法MasterGaN3

MASTERGAN3是一款先進的功率系統(tǒng)封裝集成，采用門極驅動器和兩個增強模式GaN晶體管的非對稱半橋配置。集成的功率GaN具有650 V的擊穿電壓，同時嵌入式門極驅動器的高側可以通過集成的自舉二極管輕松供電。

ST意法半導體MasterGaN3 內部集成了半橋驅動器和兩顆耐壓650V的高壓GaN開關管組成非對稱半橋，上管為450mΩ，下管為225mΩ，集成在 9*9*1mm 的QFN封裝內，工作電流最高6.5A，低側和高側均具有欠壓關閉保護。

MASTERGAN3在上下驅動部分都具有UVLO保護，防止電源開關在低效率或危險條件下工作，互鎖功能可以避免交叉?zhèn)鲗l件。MASTERGAN3的工作溫度范圍為-40°C至125°C，適用于工業(yè)環(huán)境，采用9x9 mm QFN封裝。

1、四大功率器件廠商推出半橋氮化鎵合封芯片

意法MasterGaN4

ST意法半導體MasterGaN4 內部集成半橋驅動器和兩顆耐壓650V，導阻225mΩ的高壓GaN開關管，集成在9*9*1mm的QFN封裝內，工作電流6.5A，低側和高側均具有欠壓關閉保護。驅動器內置自舉二極管，內置互鎖功能，且具有準確的內部定時匹配。

MasterGaN4為對稱半橋結構，內置兩顆225mΩ導阻的高壓GaN開關管。

ST意法半導體MasterGaN4通過內部集成半橋驅動器和GaN開關管來減少元件數(shù)量，同時其走線方便布局設置，可實現(xiàn)靈活簡潔快速的設計。

1、ST意法半導體推出三款半橋氮化鎵單芯片

應用案例：

1、古石 x 意法188W多口桌面充電器參考設計解析

意法MasterGaN4L

意法MASTERGAN4L是一款先進的系統(tǒng)級功率封裝器件，在半橋配置中集成了柵極驅動器和兩個增強模式GaN晶體管。集成的功率GaN分別具有225 mΩ的RDS(ON)和650 V漏源阻斷電壓，而嵌入式柵極驅動器的高側可由集成式自舉二極管輕松提供。

MASTERGAN4L在VCC上具有UVLO保護，可防止電源開關在低效率或危險條件下運行，并且互鎖功能可避免出現(xiàn)交叉?zhèn)鲗У那闆r。輸入引腳的范圍經(jīng)過擴展，可與模擬控制器、微控制器和DSP單元輕松連接。MASTERGAN4L的工作溫度范圍為-40°C至125°C，采用緊湊型9x9 mm QFN封裝。

意法MasterGaN5

MASTERGAN5是一款先進的功率系統(tǒng)封裝集成，采用門極驅動器和兩個增強模式GaN功率晶體管的半橋配置。集成的功率GaNs具有650V的擊穿電壓，同時嵌入式門極驅動器的高側可以通過集成的二極管輕松供電。

ST意法半導體MasterGaN5內部集成半橋驅動器和兩顆耐壓650V，導阻450mΩ的高壓GaN開關管，集成在9*9*1mm的QFN封裝內，工作電流4A，低側和高側均具有欠壓關閉保護。驅動器內置自舉二極管，內置互鎖功能，且具有準確的內部定時匹配。

1、華為發(fā)力大功率快充，90W氮化鎵充電器拆解，首發(fā)ACF+雙GaN架構

Tagore泰高技術

泰高技術TTHB100NM

泰高技術推出氮化鎵半橋芯片TTHB100NM，這是一款集成2顆增強型氮化鎵650V 100mΩ 氮化鎵開關管及對應的驅動器的半橋功率芯片，用于高側、低側和電平轉換。它內置了UVLO（欠壓鎖定）、過溫和帶故障輸出信號的過電流保護，芯片內集成了用于高側的啟動電源。

泰高技術 TTHB100NM 具有12V~20V的寬電源工作范圍，可應用在DC–DC轉換、逆變器、手機/筆記本充電器、LED/電機驅動、圖騰柱無橋PFC 應用、高頻LLC轉換器、服務器/AC-DC電源、有源鉗位反激等場景中。

泰高技術 TTHB100NM 芯片采用低電感 8mm×10mm QFN 封裝，低電感封裝的集成驅動器允許在高壓和高頻中安全運行。開關頻率高達2MHz，傳輸延遲低至 50ns，支持 50V/ns dV/dT 抗擾度, 外圍元器件精簡，具有非常緊湊和簡便的布局，可實現(xiàn)靈活快捷的設計。

泰高技術 TTHB100NM 芯片 8mm×10mm QFN 封裝看起來比較大，但是比起兩顆8mm*8mm的GaN開關管加上獨立的驅動器，占板面積大大縮小。同時合封器件也大大減小了寄生效應對效率的影響，提高電源產(chǎn)品的效率和可靠性。

1、又一家第三代半導體企業(yè)宣布進軍合封GaN半橋市場

TI德州儀器

德州儀器LMG2610

LMG2610是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關模式電源應用中 < 75W 的有源鉗位反激式 (ACF) 轉換器。LMG2610 通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器，簡化了設計、減少了元件數(shù)量并減小了布板空間。

非對稱GaN FET電阻針對 ACF 工作條件進行了優(yōu)化?？删幊虒▔簲[率可提供 EMI 和振鈴控制。與傳統(tǒng)的電流檢測電阻相比，低側電流檢測仿真可降低功耗，并允許將低側散熱焊盤連接到冷卻 PCB 電源接地。

高側柵極驅動信號電平轉換器消除了外部解決方案中出現(xiàn)的噪聲和突發(fā)模式功率耗散問題。智能開關 GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降，可避免高側電源過充，并且反向恢復電荷為零。

LMG2610 具有低靜態(tài)電流和快速啟動時間，支持轉換器輕負載效率要求和突發(fā)模式運行。保護特性包括 FET 導通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱關斷。

德州儀器LMG2640

LMG2640 是一款 650V GaN功率FET半橋，適用于開關模式電源應用中。LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器，可簡化設計、減少元件數(shù)量并縮減布板空間。

與傳統(tǒng)的電流檢測電阻相比，低側電流檢測仿真可降低功耗，并允許將低側散熱焊盤連接到 PCB 電源地進行冷卻。高側柵極驅動信號電平轉換器消除了外部解決方案中出現(xiàn)的噪聲和突發(fā)模式功率耗散問題。智能開關 GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降，可避免高側電源過充，并且反向恢復電荷為零。

LMG2640 具有低靜態(tài)電流和快速啟動時間，支持轉換器輕負載效率要求和突發(fā)模式運行。保護特性包括FET 導通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱關斷。

德州儀器LMG2650

LMG2650 是一款 650V、95mΩ 氮化鎵（GaN）功率 FET 半橋器件。它通過在 6mm × 8mm QFN 封裝內集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平移位器，簡化了設計，減少了元件數(shù)量，并節(jié)省了電路板空間。

器件支持 可編程的上升沿開啟速率，用于 抑制 EMI 和振鈴。低側電流檢測仿真功能相比傳統(tǒng)電流檢測電阻能夠降低功耗，并允許低側熱焊盤直接連接到散熱 PCB 電源地。

高側GaN 功率 FET 可通過 低側參考柵極驅動引腳 (INH) 或 高側參考柵極驅動引腳 (GDH) 控制。高側柵極驅動電平移位器能夠在嚴苛的功率開關環(huán)境下，可靠地將 INH 引腳信號傳輸至高側柵極驅動器。

德州儀器LMG2652

LMG2652 是一款650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。LMG2652 通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側柵極驅動電平轉換器，可簡化設計、減少元件數(shù)量并縮減布板空間。

與傳統(tǒng)的電流檢測電阻相比，低側電流檢測仿真可降低功耗，并允許將低側散熱焊盤連接到 PCB 電源地進行冷卻。

高側GaN功率FET可通過低側參考柵極驅動引腳(INH) 或高側參考柵極驅動引腳 (GDH) 進行控制。在具有挑戰(zhàn)性的電源開關環(huán)境中，高側柵極驅動信號電平轉換器能夠可靠地將 INH 引腳信號傳輸?shù)礁邆葨艠O驅動器。智能開關 GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降，可避免高側電源過充，并且反向恢復電荷為零。

LMG2652 具有低靜態(tài)電流和快速啟動時間，可滿足轉換器輕負載效率要求，并實現(xiàn)突發(fā)模式運行。保護特性包括 FET 導通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱關斷。

德州儀器LMG2656

LMG2656是一款650V 230mΩ GaN 功率 FET 半橋。LMG2656 通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉 FET 和高側柵極驅動電平轉換器，可簡化設計、減少元件數(shù)量并縮減布板空間。

可編程導通壓擺率可實現(xiàn) EMI 和振鈴控制。與傳統(tǒng)的電流檢測電阻相比，低側電流檢測仿真可降低功耗，并允許將低側散熱焊盤連接到 PCB 電源地。高側 GaN 功率 FET 可通過低側參考柵極驅動引腳(INH) 或高側參考柵極驅動引腳 (GDH) 進行控制。在具有挑戰(zhàn)性的電源開關環(huán)境中，高側柵極驅動信號電平轉換器能夠可靠地將 INH 引腳信號傳輸?shù)礁邆葨艠O驅

動器。

智能開關 GaN 自舉 FET 沒有二極管正向壓降，可避免高側電源過充，并且反向恢復電荷為零。

LMG2656 具有低靜態(tài)電流和快速啟動時間，可滿足轉換器輕負載效率要求，并實現(xiàn)突發(fā)模式運行。保護特性包括 FET 導通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過熱關斷。超低壓擺率設置支持電機驅動應用。

充電頭網(wǎng)總結

文中提及的多家半橋氮化鎵芯片，覆蓋600~700V高壓段電源設計需求，并各具亮點，倍有特色，工程師可根據(jù)產(chǎn)品實際設計需求，選擇適合的產(chǎn)品，以達成性能與成本的平衡點。

綜合來看，半橋氮化鎵芯片已經(jīng)成為業(yè)界重點發(fā)力的方向之一。通過將功率器件與驅動電路深度集成，它們在降低設計復雜度、提升系統(tǒng)性能、提升功率密度展現(xiàn)出強大潛力。無論是在PD快充和DC適配器等消費級市場，還是在車載OBC、儲能、光伏逆變等應用中，高壓半橋GaN方案都加速滲透高功率電源領域。