當(dāng)?shù)貢r間 10 月 15 日，美國麻省理工學(xué)院的垂直氮化鎵芯片衍生公司 Vertical Semiconductor 獲得 1,100 萬美元的種子輪融資，清華大學(xué)蘇世民學(xué)院校友、前英國駐華大使館氣候變化與環(huán)境事務(wù)副主任 Cynthia Liao 是該公司的聯(lián)合創(chuàng)始人兼 CEO。

她在自己的領(lǐng)英主頁寫道：“（此次融資將被）用于為下一個 AI 計算時代構(gòu)建基礎(chǔ)電力。AI 發(fā)展正在超越當(dāng)今的電力系統(tǒng)。因此，我們正在構(gòu)建下一代產(chǎn)品，包括高密度、高效率、高壓垂直的氮化鎵電力電子設(shè)備。”她還寫道：“我們正在共同地重新定義未來幾十年的電力輸送。重新思考電力傳輸對于解鎖下一代計算至關(guān)重要。隨著 AI 數(shù)據(jù)中心向兆瓦級機(jī)架發(fā)展，瓶頸不再是計算，而是功率。將能量從電網(wǎng)轉(zhuǎn)移到 GPU 的基礎(chǔ)設(shè)施無法再跟上時代步伐。（而）Vertical Semiconductor 將帶來未來 AI 所需的電力傳輸?！?/p>

（來源：https://www.linkedin.com/in/cynthia-liao-61180856/d）

據(jù)了解，該公司首次推出了垂直氮化鎵功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，旨在大幅減少熱量、縮小電源系統(tǒng)占用空間，以及降低 AI 基礎(chǔ)設(shè)施的能源成本。這一方法由該公司聯(lián)合創(chuàng)始人、麻省理工學(xué)院教授托馬斯·帕拉西奧斯（Tomas Palacios）團(tuán)隊研發(fā)而來，并由帕拉西奧斯的學(xué)生、同為該公司聯(lián)合創(chuàng)始人的喬什·佩羅澤克（Josh Perozek）主力開發(fā)。

（來源：https://www.reuters.com/business/energy/mit-spinout）

垂直氮化鎵晶體管的獨(dú)特優(yōu)勢：能將能量轉(zhuǎn)換推向更靠近芯片的位置

垂直氮化鎵功率轉(zhuǎn)換技術(shù)可以將更多晶體管塞進(jìn)一個芯片，并能支持更高的電壓。這種設(shè)計允許電流流過晶體管的更多部分，從而提升其性能。垂直氮化鎵晶體管還擁有較好的熱管理能力，因此可以支持更高的密度。與橫向設(shè)計相比，垂直結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)更好的散熱，同時還能更有效地應(yīng)對電涌，其利用一種名為“雪崩”的自我保護(hù)機(jī)制，能夠幫助晶體管在電壓尖峰期間繼續(xù)工作。該公司的垂直氮化鎵技術(shù)可以將能量轉(zhuǎn)換推向更加靠近芯片的位置，使其能以更少的能量和更少的熱量進(jìn)行更多計算，它不僅可以減少能量損失，還能減少由于電涌導(dǎo)致的突然關(guān)機(jī)，同時讓數(shù)據(jù)中心的運(yùn)行溫度更低，并能將功耗降低一半。

據(jù)了解，該公司的垂直氮化鎵晶體管通過將能量轉(zhuǎn)換推向更靠近芯片的位置，從而能夠降低功耗和發(fā)熱量，這對于驅(qū)動未來的計算至關(guān)重要。其技術(shù)可以減少能量損耗、降低發(fā)熱量并簡化基礎(chǔ)設(shè)施，能將效率提高 30%，并能使 AI 數(shù)據(jù)中心的功耗降低 50%。該公司的晶體管基于帕拉西奧斯教授在麻省理工學(xué)院的團(tuán)隊在過去十年間的一系列研究成果，這些成果使用了氮化鎵材料，故能比硅材料帶來更高的效率以及更高的功率密度。結(jié)合新穎的垂直架構(gòu)，Vertical Semiconductor 的技術(shù)能夠更容易、更快速、更高效地將電源傳輸給芯片。

（來源：https://www.verticalsemi.com/）

“極端材料”氮化鎵：十幾年前便被美國能源部“盯上”

事實上，氮化鎵是一種“極端材料”，它所能承受的電壓是硅的 10 倍之多，因此氮化鎵也是新型電力電子設(shè)備富有潛力的候選材料。早在 2013 年，美國能源部就宣布成立一個耗資 1.4 億美元的研究機(jī)構(gòu)，聚焦于研究電力電子技術(shù)，其中大約一半資金被用于氮化鎵研究。當(dāng)時，美國能源部在相關(guān)聲明文件中引用了一項研究，該研究表明在照明領(lǐng)域和電力電子領(lǐng)域使用氮化鎵可以將全球能源消耗降低 25%。

Vertical Semiconductor 公司也在官網(wǎng)寫道，氮化鎵是固態(tài)電力電子領(lǐng)域的明確發(fā)展方向，它具有更高的帶隙因此可以提高效率，具有更高的頻率因此可以提高功率密度，具有 40V-2.3kV 的可調(diào)電壓，還具有冷卻器動力系統(tǒng)因此擁有更低的熱阻。橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管難以突破 700V，而該公司的垂直氮化鎵基于可拓展的平臺能夠應(yīng)對更高電壓之下的應(yīng)用。氮化鎵有著更出色的開關(guān)頻率，能夠允許更加緊湊的系統(tǒng)設(shè)計，從而為電力輸送帶來幫助。氮化鎵晶體管還有著較高的效率，開關(guān)速度更快，并且可以在比傳統(tǒng)硅晶體管更高的溫度和電壓之下工作，這使得它在電力電子、電動汽車和電信等領(lǐng)域非常具有應(yīng)用前景。

雖然此前已經(jīng)存在標(biāo)準(zhǔn)型氮化鎵晶體管，但是該公司的垂直技術(shù)革新了這一概念，并設(shè)計出了基于氮化鎵的芯片，其中的晶體管采用垂直堆疊而非橫向堆疊的方式。盡管氮化鎵在性能上強(qiáng)于硅，但是它的儲量遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有硅那么豐富，價格也沒有硅那么親民，正因此帕拉西奧斯早在十多年前就開始在麻省理工學(xué)院研究如何將氮化鎵電路集成到硅芯片之中，以便讓硅能夠處理普通的信號切換。

目前，該公司已經(jīng)使用標(biāo)準(zhǔn)硅互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS，Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）半導(dǎo)體制造工藝在 8 英寸晶圓上演示了這一技術(shù)，演示結(jié)果顯示能夠?qū)崿F(xiàn)與現(xiàn)有工藝技術(shù)的無縫集成。與此同時，該公司已準(zhǔn)備在 100V 至 1.2KV 的器件上進(jìn)行實際部署。屆時，這將解決困擾該行業(yè)多年的難題，即通過可拓展、可制造的解決方案提供高壓、高效的電力電子設(shè)備。

（來源：https://www.verticalsemi.com/）

氮化鎵能為 AI 帶來什么？

那么，氮化鎵和 AI 的具體關(guān)系是什么？眾所周知，AI 工作負(fù)載的激增給 AI 數(shù)據(jù)中心帶來了巨大壓力。在美國，電力輸送已經(jīng)成為 AI 發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸。在美國，有的 AI 數(shù)據(jù)中心的耗電量與一整個城市的耗電量相當(dāng)。在將發(fā)電站的高電壓轉(zhuǎn)換為微芯片所需要的低電壓的時候，大部分電力都只會產(chǎn)生熱量。這些電力并沒有用于 AI 計算任務(wù)，而是變成了熱量。因此，不僅要提高效率，還要通過大規(guī)模改寫數(shù)據(jù)中心的電力輸送方式。

該公司的 CEO Cynthia Liao 告訴媒體，垂直氮化鎵晶體管正是當(dāng)前的 AI 數(shù)據(jù)中心所需要的。由于電力輸送瓶頸導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心一直面臨壓力，而此前的芯片設(shè)計無法提供足夠的功率來維持更先進(jìn)的 AI 工作負(fù)載，但這正是該公司希望提供幫助的地方。其技術(shù)不僅能夠提高效率，還能通過大規(guī)模改寫數(shù)據(jù)中心的電力輸送方式來推動下一波創(chuàng)新。

資料顯示，Cynthia Liao 本科畢業(yè)于加拿大西安大略大學(xué)，后在清華大學(xué)蘇世民學(xué)院獲得國際/全球碩士學(xué)位，以及擁有麻省理工學(xué)院斯隆管理學(xué)院的工商管理碩士學(xué)位。目前，她擔(dān)任該公司的 CEO 兼聯(lián)合創(chuàng)始人。Cynthia Liao 主要負(fù)責(zé)公司經(jīng)營，公司技術(shù)則主要基于另兩位聯(lián)合創(chuàng)始人的研究成果。

聯(lián)合創(chuàng)始人托馬斯·帕拉西奧斯（Tomas Palacios）目前在麻省理工學(xué)院擔(dān)任全職教授，他擁有美國加州大學(xué)圣芭芭拉分校博士學(xué)位和西班牙馬德里理工大學(xué)學(xué)士學(xué)位，盡管他是該公司的聯(lián)合創(chuàng)始人但只擔(dān)任兼職。自 2006 年以來，他一直在努力突破微電子技術(shù)的極限，他和麻省理工學(xué)院的團(tuán)隊成員曾兩次獲得 IEEE George Smith 最佳論文獎，一次是表彰他和團(tuán)隊發(fā)明的三柵極氮化鎵晶體管，另一次是表彰他和團(tuán)隊發(fā)明的垂直 FinFET 功率器件。此外，他和團(tuán)隊還曾創(chuàng)下氮化鎵晶體管的最高工作頻率紀(jì)錄，并曾打造了當(dāng)時領(lǐng)域內(nèi)的首個 MoS? 電子電路。

帕拉西奧斯的學(xué)生喬什·佩羅澤克（Josh Perozek）是該公司的 CTO 兼聯(lián)合創(chuàng)始人，早年其本科畢業(yè)于美國伊利諾伊大學(xué)香檳分校，碩士和博士畢業(yè)于麻省理工學(xué)院。此前他先后于 2016 年和 2017 年發(fā)表過題為《采用不同緩沖層配置的 200 毫米硅（111）襯底上的 AlGaN/GaN 高電子遷移率晶體管結(jié)構(gòu)研究》和《研究 200 毫米 Si（111）襯底上 AlGaN / GaN 高電子遷移率晶體管的結(jié)構(gòu)、光學(xué)和電學(xué)特性》的論文。

圖 | 喬什·佩羅澤克（Josh Perozek）（來源：https://www.linkedin.com/in/josh-perozek-05a02ba5/）

如前所述，該公司此次融資 1,100 萬美元，旨在為 AI 芯片和數(shù)據(jù)中心提供新一代電源，本次融資由 Playground Global 領(lǐng)投，其他投資者包括 JIMCO Technology Ventures、milemark?capital 和 Shin-Etsu Chemical。Cynthia Liao 告訴媒體：“我們確實相信我們提供了一個引人注目的下一代解決方案，它不僅僅是幾個百分點(diǎn)的提升，而是一個逐步的轉(zhuǎn)變?！蹦壳?，該公司正在開發(fā)產(chǎn)品原型，預(yù)計在 2025 年底開始對首批原型封裝設(shè)備進(jìn)行早期取樣，并將在 2026 年推出完全集成的解決方案。

參考資料：

公司官網(wǎng) https://www.verticalsemi.com/

Cynthia Liao 的領(lǐng)英主頁 https://www.linkedin.com/in/cynthia-liao-61180856/details/education/

馬斯·帕拉西奧斯（Tomas Palacios）的個人主頁 https://www.tpalacios.mit.edu/

喬什·佩羅澤克（Josh Perozek）的個人主頁 https://www.linkedin.com/in/josh-perozek-05a02ba5/

公司官方博客 https://www.verticalsemi.com/news/vertical-semiconductor-raises-11-million-to-deliver-the-next-wave-of-power-for-ai-chips-and-data-centers

https://siliconangle.com/2025/10/15/mit-spinoff-vertical-semiconductor-gets-11m-build-power-efficient-ai-chips/

https://www.semiconductor-digest.com/vertical-semiconductor-raises-11-million-to-deliver-the-next-wave-of-power-for-ai-chips-and-data-centers/

https://www.startuphub.ai/ai-news/funding-round/2025/vertical-semiconductor-raises-11m-to-build-power-efficient-ai-chips-platform/

https://www.reuters.com/business/energy/mit-spinout-vertical-semiconductor-raises-11-million-ai-power-chip-tech-2025-10-15/

https://news.mit.edu/2013/faculty-profile-tomas-palacios-0703

運(yùn)營/排版：何晨龍