《科創(chuàng)板日報》10月18日訊（編輯 宋子喬） 當?shù)貢r間10月17日，黃仁勛到訪臺積電位于美國亞利桑那州鳳凰城的半導體制造工廠，共同慶賀首片在美國本土生產(chǎn)的Blackwell晶圓正式下線。在慶典現(xiàn)場，黃仁勛與臺積電運營副總裁王永利共同在這片晶圓上簽名，意味著英偉達最新一代AI核心芯片正式在美國本土進入量產(chǎn)階段。

Blackwell是英偉達迄今為止最先進的AI芯片與超級計算平臺，采用臺積電4NP工藝制造，由Blackwell GPU、Grace CPU、NVLink交換機等構(gòu)成，擁有2080億個晶體管，是其前代Hopper芯片（800億個晶體管）的2.5倍以上，其配備192GB HBM3E顯存并支持第五代NVLink技術（1.8TB/s雙向帶寬），引入了多項突破性創(chuàng)新，包括用于提升性能和精度的FP4精度、用于更快大型語言模型推理的第二代Transformer引擎，以及用于加速數(shù)據(jù)處理的專用解壓引擎。

當?shù)貢r間2024年3月18日，英偉達在加州圣何塞舉行的GTC大會上首次展示Blackwell處理器，其GB200超級芯片可為大模型推理負載提供30倍性能提升，同時成本和能耗降低25倍；2024年6月，黃仁勛宣布該平臺的芯片投產(chǎn)，并在當年四季度確認量產(chǎn)與發(fā)貨。

黃仁勛在今年年初的演講中稱，Blackwell在推理模型中的表現(xiàn)是Hopper的40倍，自Blackwell芯片推出一年來，AI行業(yè)取得了巨大進展，AI功能越來越強大了。2024年全球前四云服務提供商共采購130萬片Hopper架構(gòu)芯片，2025年，它們又購買了360萬Blackwell芯片。預計到2028年數(shù)據(jù)中心建設支出將達1萬億美元。黃仁勛還提到，公司正在全力生產(chǎn)Blackwell，下半年過渡到Blackwell Ultra。

根據(jù)黃仁勛公布的產(chǎn)品路線圖，英偉達計劃以“一年一更”的節(jié)奏快速迭代其AI芯片架構(gòu)，計劃于2025年推出Blackwell Ultra，作為Blackwell的增強版本。

臺積電在亞利桑那州鳳凰城建設的半導體制造基地（官方名稱為Fab 21）于2022年12月舉行移機典禮。該基地計劃建設六座先進制程晶圓廠和兩座先進封裝廠，共同構(gòu)成一個超大型晶圓廠（Gigafab）聚落。短期看，臺積電亞利桑那工廠經(jīng)歷三個開發(fā)階段：

第一個階段是使用其4nm/5nm制造技術為蘋果制造處理器，其預計將在2025年正式投產(chǎn)。

第二階段的建設則已經(jīng)接近完成，內(nèi)容為在2027年或2028年生產(chǎn)3nm或2nm級芯片。

第三階段則計劃在本世紀末或下一十年初完工。臺積電預計將為此三個開發(fā)階段總計投入約650億美元。

根據(jù)規(guī)劃，臺積電亞利桑那州工廠未來將負責生產(chǎn)包括2納米、3納米、4納米制程的芯片以及A16芯片，這些先進技術對于人工智能、電信和高性能計算等前沿應用的發(fā)展至關重要。