11月3日，在韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會(huì)上，韓國存儲(chǔ)芯片大廠SK 海力士（SK hynix）CEO Kwak Noh-Jung 正式宣布轉(zhuǎn)型“全線AI存儲(chǔ)創(chuàng)造者”（Full Stack AI Memory Creator）的新愿景，并公布了公司最新的產(chǎn)品路線圖，以期在迎接下一個(gè)AI時(shí)代之前，SK 海力士能深化其存儲(chǔ)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。

SK海力士轉(zhuǎn)型“全棧AI存儲(chǔ)創(chuàng)造者”

Kwak Noh-Jung 指出，盡管AI 的采用正在加速，導(dǎo)致信息流量爆炸性增長，但支持這些增長的硬件技術(shù)，尤其是存儲(chǔ)性能，未能與處理器的進(jìn)步保持同步，形成了所謂的“存儲(chǔ)墻高墻”（Memory Wall）的障礙。為了解決這一難題，存儲(chǔ)芯片不再只是一個(gè)普通元件，而是正在演變成AI 產(chǎn)業(yè)中的核心價(jià)值產(chǎn)品。

對(duì)此，SK 海力士迄今為止一直扮演著“全棧存儲(chǔ)供應(yīng)商”（Full Stack Memory Provider）的角色，專注于及時(shí)提供符合客戶需求的產(chǎn)品。然而，隨著存儲(chǔ)重要性的增加，SK海力士公司認(rèn)為單純的“供應(yīng)商”角色已不足以滿足市場需求。因此，新的目標(biāo)是轉(zhuǎn)型成為“全線AI存儲(chǔ)創(chuàng)造者”，代表著SK海力士將做為共同架構(gòu)師、合作伙伴和生態(tài)貢獻(xiàn)者（co-architect，partner，and eco-contributor），在AI 計(jì)算領(lǐng)域超越客戶的期望，通過在生態(tài)系統(tǒng)中積極合作，共同解決客戶面臨的挑戰(zhàn)。

為了實(shí)現(xiàn)新的愿景，Kwak Noh-Jung 也揭示了SK 海力士最新的產(chǎn)品陣容，包括定制化HBM（Custom HBM）、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）。這樣的布局將取代傳統(tǒng)存儲(chǔ)解決方案多半以計(jì)算為中心的情況，改為朝向多元化和擴(kuò)展存儲(chǔ)功能的方向發(fā)展，目標(biāo)是達(dá)成更高效的計(jì)算資源使用，并從結(jié)構(gòu)上解決AI 推理瓶頸。

在定制化HBM (Custom HBM)方面，SK 海力士強(qiáng)調(diào)，AI 市場正在從商品化擴(kuò)展到推理效率和優(yōu)化。因此，HBM 也從傳統(tǒng)產(chǎn)品演變?yōu)槎ㄖ苹a(chǎn)品。定制化HBM 是將GPU 和ASIC 的特定功能整合到HBM的邏輯Base die上的產(chǎn)品，以反映客戶定制化需求。這項(xiàng)技術(shù)能夠最大化GPU 和ASIC 的性能，同時(shí)通過HBM 減少數(shù)據(jù)傳輸功耗，進(jìn)而顯著提高系統(tǒng)效率。

1、全新AI DRAM解決方案

為應(yīng)對(duì)市場需求，SK 海力士也針對(duì)AI DRAM (AI-D)進(jìn)一步的細(xì)分，準(zhǔn)備提供最適合每個(gè)領(lǐng)域需求的內(nèi)存解決方案。

1. AI-D O（Optimization）的優(yōu)化：這是一種低功耗、高性能的DRAM，目的在降低總體擁有成本（TCO）并提高營運(yùn)效率。該解決方案包括MRDIMM（Multiplexed Rank DIMM，多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊）、SOCAMM（小型外形壓縮附著內(nèi)存模塊，用于AI 服務(wù)器的低功耗DRAM 內(nèi)存模塊）以及LPDDR5R（用于移動(dòng)產(chǎn)品，具備可靠性、可用性、可服務(wù)性（RAS）特性的低電壓DRAM）。

2. AI-D B（Breakthrough）的突破，這封面克服“內(nèi)存墻”的解決方案產(chǎn)品。其特點(diǎn)是超高容量內(nèi)存和靈活的內(nèi)存分配。該類別包含CMM（Compute eXpress Link Memory Module，一種高效連接CPU、GPU、內(nèi)存和其他元件的下一代界面）和PIM（Processing-In-Memory，一種將計(jì)算能力整合到內(nèi)存中的下一代技術(shù)，用于解決AI 和大數(shù)據(jù)處理中的數(shù)據(jù)移動(dòng)瓶頸）。

3. AI-D E（Expansion）的擴(kuò)展：目的為擴(kuò)展DRAM 的使用案例，不僅限于數(shù)據(jù)中心，還擴(kuò)展至機(jī)器人、移動(dòng)性（mobility）和工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域。該解決方案包含LPDDR和HBM。

2、全新AI NAND解決方案

除了DRAM 之外，在AI NAND (AI-N) 方面SK 海力士也正在準(zhǔn)備三種下一代儲(chǔ)存解決方案：

1. AI-N P（Performance）提高性能，強(qiáng)調(diào)超高性能。該解決方案目的在有效處理大規(guī)模AI 推理工作執(zhí)行產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù)。通過將儲(chǔ)存與AI 操作之間的瓶頸降至最低，顯著提高了處理速度和能源效率。SK 海力士計(jì)劃設(shè)計(jì)具有新結(jié)構(gòu)的NAND 和控制器，并目標(biāo)在2026年底前發(fā)布樣品。

2. AI-N B（Bandwidth）加大帶寬。通過垂直堆疊NAND芯粒來擴(kuò)大帶寬，做為彌補(bǔ)HBM 容量增長限制的解決方案。其關(guān)鍵在于將HBM 的堆疊結(jié)構(gòu)與高密度且具成本效益的NAND Flash閃存結(jié)合，例如HBF。

HBF 的設(shè)計(jì)概念與 HBM 相似，均通過硅通孔（TSV）技術(shù)將多層芯片堆疊連接。 差別在于HBM以DRAM為核心，而HBF則采用NAND Flash閃存進(jìn)行堆棧，具備“容量更大、成本更具優(yōu)勢(shì)”的特點(diǎn)。

3. AI-N D（Density）發(fā)展密度：借由達(dá)成超高容量來增強(qiáng)成本競爭力。這是一種高密度解決方案，適用于以低功耗和低成本儲(chǔ)存大量AI數(shù)據(jù)。SK 海力士的目標(biāo)是將存儲(chǔ)密度從目前基于QLC 的固態(tài)硬盤（SSD）的太字節(jié)（TB）級(jí)別提高到拍字節(jié)（PB）級(jí)別，并實(shí)現(xiàn)一種結(jié)合SSD 速度和HDD 成本效益的中階儲(chǔ)存解決方案。

3、攜手合作伙伴

Kwak Noh-Jung 強(qiáng)調(diào)，在AI 時(shí)代，預(yù)計(jì)那些通過與客戶和合作伙伴合作，創(chuàng)造更強(qiáng)大協(xié)同效應(yīng)和卓越產(chǎn)品的公司將會(huì)取得成功。而做為與全球領(lǐng)導(dǎo)者合作的一部分，SK 海力士不僅與英偉達(dá)（NVIDIA）在HBM 方面進(jìn)行合作，還利用NVIDIA Omniverse 通過“晶圓廠數(shù)字孿生”（fab digital twins）技術(shù)來提升晶圓廠生產(chǎn)力。SK海力士還與OpenAI 進(jìn)行長期合作，供應(yīng)高性能內(nèi)存。此外，SK 海力士正與臺(tái)積電（TSMC）就下一代HBM所需的邏輯制程基底芯粒（base dies）進(jìn)行密切合作。

此外，在儲(chǔ)存技術(shù)方面，SK海力士還與Sandisk 合作，共同制定HBF（高帶寬閃存）的全球標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)，SK 海力士也與NAVER Cloud 合作，優(yōu)化下一代AI內(nèi)存和儲(chǔ)存產(chǎn)品，使其適用于真實(shí)的數(shù)據(jù)中心環(huán)境。展望未來，SK 海力士將繼續(xù)優(yōu)先考慮客戶滿意度，與合作伙伴共同克服限制，開創(chuàng)未來。

SK集團(tuán)董事長崔泰元（Chey Tae-won）在“SK AI Summit 2025”峰會(huì)上也指出，SK集團(tuán)的AI愿景無法單憑一己之力實(shí)現(xiàn)。他強(qiáng)調(diào)，與英偉達(dá)、OpenAI、AWS等科技巨頭建立深度合作關(guān)系是其戰(zhàn)略的核心。

OpenAI 首席執(zhí)行官 Sam Altman 也通過視頻連線表示，與 SK 集團(tuán)的合作對(duì)于打造強(qiáng)大的 AI 模型和普及先進(jìn)的智能至關(guān)重要。

崔泰元還非常自信地表示：“SK海力士的技術(shù)能力已經(jīng)在業(yè)內(nèi)得到了充分的證明”，就連英偉達(dá)CEO黃仁勛“也不再詢問我們的開發(fā)速度了?！?/p>

SK海力士最新產(chǎn)品路線圖公布

在SK海力士宣布轉(zhuǎn)型“全棧AI存儲(chǔ)創(chuàng)造者”的同時(shí)，SK海力士也公布了其最新的產(chǎn)品路線圖，其整體的產(chǎn)品規(guī)劃分為 2026年至2028年、2029年至2031年兩個(gè)時(shí)間段，涵蓋了HBM、DRAM、NAND三大產(chǎn)品線。

1、2026年至2028年：

在HBM方面：SK海力士將會(huì)推出HBM4 16Hi 和 HBM4E 8/12/16Hi等標(biāo)準(zhǔn)解決方案，還有為客戶定制的 HBM 解決方案；

在DRAM方面：SK海力士除了將推出LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)解決方案外，還將推出全新的AI-DRAM解決方案，包括2026年左右推出的LPDDR6X SOCAMM2、MRDIMM Gen2、LPDDR5R，以及2028年左右推出支持第二代CXL標(biāo)準(zhǔn)的LPDDR6-PIM；

在NAND方面：SK海力士將會(huì)推出PCIe Gen6 eSSD（245TB+QLC）/ cSSD、PCIe Gen6 eSSD/cSSD、UFS 5.0 等標(biāo)準(zhǔn)解決方案，還會(huì)推出全新的面向 AI NAND的 AI-N D（Density）解決方案。

2、2029年-2030年

在HBM方面：SK海力士將會(huì)推出HBM5、HBM5E等標(biāo)準(zhǔn)解決方案，還有為客戶定制的 HBM5和HBM5E解決方案；

在DRAM方面：SK海力士將會(huì)推出 GDDR7-next、DDR6、3D DRAM等標(biāo)準(zhǔn)解決方案；

需要指出的是，目前GDDR7的速率為30-32Gbps，三星是第一個(gè)為英偉達(dá)的RTX 50和RTX50 PRO Blackwell GPU提供GDDR7 DRAM的公司，幾個(gè)月后美光和SK海力士也加入了這一行列。不過，GDDR7最高傳輸速率是48Gbps，預(yù)計(jì)該標(biāo)準(zhǔn)至少要到2027年至2028年才能得到充分利用；DDR6則預(yù)計(jì)是在2029-2031年商用；至于3D DRAM，則有點(diǎn)類似HBM，不過成本更低。

SK海力士還將會(huì)推出面向AI的AI DRAM產(chǎn)品，包括2029年左右推出的LPDDR6 SOCAMM2 、Al-D Expansion，以及2030年左右推出的第三代CXL標(biāo)準(zhǔn)的PIM-next。

在NAND方面：SK海力士將會(huì)推出PCIe Gen7 eSSD/cSSD、UFS6.0、400層以上堆疊的4D NAND等標(biāo)準(zhǔn)解決方案，以及面向AI的AI-N P（Performance）和AI-N B（Bandwidth）解決方案（比如HBF）。

SK海力士如何應(yīng)對(duì)供應(yīng)瓶頸

針對(duì)全球AI需求持續(xù)激增導(dǎo)致的存儲(chǔ)芯片供不應(yīng)求的問題，SK集團(tuán)董事長崔泰元也指出，追求效率，提供最高效的AI存儲(chǔ)解決方案將是關(guān)鍵。

崔泰元表示，“人工智能的競爭應(yīng)該從規(guī)模之爭轉(zhuǎn)向效率之爭，如果我們繼續(xù)只關(guān)注規(guī)模，將會(huì)耗費(fèi)巨資并造成效率低下。我們需要找到更有效地利用資源的方法?！?/p>

此外，擴(kuò)大存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)能供應(yīng)也是必須的。崔泰元解釋稱，雖然AI芯片（如圖形處理單元）的性能不斷提高，但存儲(chǔ)芯片供應(yīng)卻難以跟上步伐?！叭缃?，我們收到了許多公司對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求，我非常擔(dān)心如何滿足所有這些需求。他還舉例稱，OpenAI最近向SK海力士提出每月提供90萬片HBM晶圓的需求，用于其超大規(guī)模人工智能基礎(chǔ)設(shè)施項(xiàng)目“星際之門”（Stargate）。這大約是全球所有公司HBM每月總產(chǎn)能的兩倍。

為了解決這一瓶頸問題，崔泰元表示，SK集團(tuán)將擴(kuò)大存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能并提升技術(shù)。預(yù)計(jì)于 2027 年投產(chǎn)的全新 Yongin 半導(dǎo)體集群，其產(chǎn)能相當(dāng)于 24 座M15X 晶圓廠——這是SK海力士最大的HBM芯片工廠。此外，SK海力士還將開發(fā)超高容量的存儲(chǔ)芯片，以更低的成本提供更高的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)效率。

編輯：芯智訊-浪客劍