提到氮化鎵（GaN），多數(shù)人會想到650V以下的快充等消費場景。即便部分GaN HEMT能達到1200V、10kW開關功率，商用橫向GaN的擊穿電壓仍有局限。為讓GaN突破 650V領域，在10kW~10MW高功率場景發(fā)揮作用，垂直結(jié)構應運而生——它能在不擴大芯片尺寸的前提下提升擊穿電壓，還能通過將峰值電場與熱量轉(zhuǎn)移到體襯底，優(yōu)化可靠性與熱管理。

但vGaN過去的痛點一直是成本，氮化鎵晶圓價格高昂，制約了經(jīng)濟可行性。不過這一局面似乎正被打破。安森美（ONsemi）近期推出劃時代的垂直GaN（Vertical GaN，vGaN），已向早期客戶提供700V和1200V樣品，目標直指AI數(shù)據(jù)中心800V系統(tǒng)、電動汽車、儲能等原本獨屬于SiC的領域，GaN的發(fā)展軌跡正在被改寫。

vGaN，即將規(guī)?；?/b>

回顧前幾年，專注于vGaN的NexGen曾在2023年圣誕節(jié)前夕宣布破產(chǎn)，工廠隨之關閉，工人也被解雇。2025年1月，安森美（ONsemi）以2000萬美元的價格購買了位于紐約州德威特的原NexGen Power Systems氮化鎵晶圓制造廠，包含NexGen的知識產(chǎn)權以及 NexGen所擁有的DeWitt工廠的設備。

NexGen此前在vGaN領域頗有進展：2023年2月，NexGen宣布將提供700V和1200V的GaN樣品；2023年7月，NexGen還宣布與通用汽車合作的GaN主驅(qū)項目已獲得美國能源部(DoE) 的資助——使用NexGen的vGaN器件來開發(fā)的電力驅(qū)動系統(tǒng)。但故事隨著破產(chǎn)戛然而止。

而現(xiàn)在，安森美（ONsemi）在收購NexGen后，重新將vGaN發(fā)揚光大，并成為率先將vGaN規(guī)?；钠髽I(yè)。在其官網(wǎng)上，安森美充分介紹了在吸納了這家公司后，vGaN的最新進展。

首先，對于vGaN來說，穩(wěn)定的制造和供應是最重要。從PPT中，我們看到了安森美的野心：其研究人員研究這項技術已超過15 年，擁有130+項專利，研發(fā)工作在一座面積達66,000平方英尺的潔凈室設施內(nèi)進行，該設施配備了用于vGaN生產(chǎn)的專用設備。下一代GaN-on-GaN將在安森美位于紐約州錫拉丘茲的晶圓廠開發(fā)和制造。

平面/橫向GaN器件通?；诜潜菊?異質(zhì)襯底，如Si、SiC、藍寶石，或者說GaN-on-Si /SiC/藍寶石，但vGaN器件峰值電場往往出現(xiàn)在遠離表面的位置，所以主流采用同質(zhì)襯底，即GaN自支撐，也就是GaN-on-GaN。一直以來，GaN-on-GaN成本較高，所以有些企業(yè)/團隊選擇研究GaN-on-Si。

安森美vGaN選擇采用了GaN-on-GaN 同質(zhì)外延結(jié)構。安森美還放出了一張PPT，展示了GaN-on-GaN的優(yōu)勢：

核心工藝采用安森美專有GaN生長工藝，直接在GaN晶圓上生長厚且無缺陷的GaN層，需高精度外延技術與創(chuàng)新制造方法。pGaN和nGaN通過外延生長。值得注意的是，安森美解決了一個關鍵難題：掌握圖案化表面上pGaN再生長技術（GaN摻雜需在外延生長中原位進行，pGaN再生長難度極高），并擁有該技術的多項專利。

晶體結(jié)構上，具有六方纖鋅礦結(jié)構，具備獨特的電子與光學特性，高鍵合強度、低本征缺陷，穩(wěn)定性與可靠性優(yōu)于傳統(tǒng)材料（Si、SiC、橫向GaN）。生長在極高溫度下生長，進一步提升vGaN器件的穩(wěn)定性與性能。

其次，器件的實現(xiàn)也是vGaN的重要課題。根據(jù)其PPT顯示，安森美選擇采用e-JFET（結(jié)型場效應晶體管）的器件形式，提供可擴展、高導電功率開關，實現(xiàn)了較低的整體導通電阻 RDS (ON)，具備完整的雪崩能力。

目前，根據(jù)安森美的披露，其已向早期客戶提供700V和1200V器件樣品，通過技術演示可實現(xiàn)最高3300V的電壓等級。

在效率和尺寸上，其vGaN也實現(xiàn)了能降低能量損耗、減少熱量產(chǎn)生，使功率轉(zhuǎn)換器縮小至平裝書大小，實現(xiàn)系統(tǒng)小型化與高集成度。

最后，應用也相當重要。安森美認為vGaN可以充分滿足當前市場需求，能夠滿足AI數(shù)據(jù)中心對于提升計算密度的需求、滿足EV延長續(xù)航和快充的需求、滿足可再生能源降本增效的需求，并解決傳統(tǒng)材料（Si、SiC）在效率與尺寸上的瓶頸，通過對比來看，GaN本身的材料屬性，便可天生應對高頻的應用：

當然，隨著GaN能夠逐漸應對一些大功率的場景，那么它該和SiC怎么分配。安森美作為一家深耕SiC的公司也給出了答案——IGBT、SiC、SJ、vGaN這些技術有重合，但也有屬于自己的擅長領域：

從橫向到垂直，怎么就更好了

可能有些人有疑問，為什么電流從橫向變成垂直，器件的擊穿電壓就更高了，GaN為什么就能應對650V以上甚至是3300V場景了？

垂直結(jié)構之所以具備優(yōu)勢，核心在于它更容易觸發(fā)雪崩效應。當電壓超過擊穿值時，雪崩現(xiàn)象會先通過反向極化的柵源二極管發(fā)生。隨著雪崩電流逐漸增大，柵源電壓會隨之升高，進而讓器件的溝道打開并實現(xiàn)導通。這種雪崩特性是器件自我保護的關鍵：一旦器件兩端電壓或?qū)娏鞒霈F(xiàn)峰值，具備該特性的器件就能吸收這些電涌，確保自身保持正常運行狀態(tài)。

此外，vGaN半導體的電流垂直流經(jīng)材料層，從而大幅降低了單位面積電阻，能夠提高能效，減少功率轉(zhuǎn)換損耗，特別適用于電動汽車的逆變器和其他高頻、高效能的應用。

vGaN器件在結(jié)構上還自帶獨特優(yōu)勢。一方面，在器件面積相同的前提下，它可以通過增加晶體管內(nèi)部漂移層（主要作用是傳導電流）的厚度，來提升自身的電壓等級，從而適配更高電壓的應用場景。另一方面，它的電流導通路徑面積更大，這使得它能夠承受更高的電流密度，在高電流工況下也能穩(wěn)定工作。

怎么判斷一個器件是vGaN還是橫向GaN？事實上，我們要反推到晶圓上，晶圓雖然是薄薄的一片，但也分正反面。柵極（G）、源極（S）、漏極（D）都在正面的，但通過某種方式，讓電子移動路徑變?yōu)椤霸礃O→垂直向下→橫向流過外延層→再垂直向上到達漏極”的叫做準垂直型（Quasi-vertical）GaN，G、S在正面而D在背面的則為全垂直型（Full-Vertical）GaN。

從器件實現(xiàn)上來看，橫向GaN中大多采用高電子遷移率晶體管（HEMT）設計，GaN HEMT與傳統(tǒng)硅基功率晶體管相比，具有顯著的性能優(yōu)勢，且成本越來越低。橫向結(jié)構的另一個優(yōu)點是有潛力在氮化鎵功率HEMT芯片上集成有源或無源器件，實現(xiàn)諸如柵極驅(qū)動器、傳感或保護電路等功能，這就是所謂的氮化鎵功率集成電路或氮化鎵功率集成。

不過，HEMT結(jié)構缺點是在另一襯底上外延生長（異質(zhì)外延生長）時，在晶體層中會出現(xiàn)許多晶格缺陷。對于硅上生長的氮化鎵，缺陷密度108至1010cm?2。這些缺陷會影響部件在高壓下的可靠性。因此，目前市場上沒有額定電壓超過900V的GaN HEMT，大多數(shù)端電壓最高為650V。

GaN-on-Si HMET結(jié)構代表原理圖，圖源丨NexGen

實現(xiàn)vGaN器件主要有五種方法：

• 溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管（Trench MOSFET）；

• 鰭式場效應晶體管（FinFET）；

• 結(jié)型場效應晶體管（JFET）；

• 垂直結(jié)構肖特基二極管（SBD）；

• 電流孔徑垂直電子晶體管（CAVET）。

不同廠商采用了不同的路線：桑迪亞國家實驗室、山大/華為采用溝槽柵極垂直MOSFET、安森美（NexGen）采用JFET、Odyssey采用平面柵極MOSFET和FinFET、中鎵科技采用垂直GaN-on-GaN SBD。

CAVET比較特殊，具有與傳統(tǒng)HEMT相同的異質(zhì)結(jié)構和相同的柵極模塊。在CAVEAT中，源區(qū)域由在AlGaN/GaN界面附近的GaN通道中形成的二維電子氣體（2DEG）組成，如 HEMT中。溝槽孔將2DEG連接到孔徑下方的n-GaN區(qū)域中形成的漏極。位于孔徑上方的肖特基柵極調(diào)節(jié)器件的電流。如下圖：

廠商不斷加碼

除了安森美，其實vGaN的市場還是很熱鬧的，很多廠商都在不斷推進vGaN的規(guī)?；涞?。

PI

2024年5月，Power Integrations（PI）宣布收購Odyssey資產(chǎn)，而Odyssey恰好是一家vGaN公司。Odyssey不止一次強調(diào)，其650V和1200VvGaN器件提供更低的導通電阻和更高的品質(zhì)因數(shù)，其導通電阻僅為碳化硅(SiC) 的十分之一，并且工作頻率顯著提高。2022年，Odyssey表示已獲得三個客戶的承諾來評估這些第一代產(chǎn)品樣品。2023年，Odyssey表示正在美國制造工作電壓為650V和1200V的vGaN FET晶體管樣品。

信越化學

信越化學主要掌握兩個關鍵技術，有望將材料成本降低90%：一是用GaN工程襯底實現(xiàn)了1800V耐壓，2019年信越化學獲得了美國QROMIS的(QST)工程襯底專利許可；二是襯底剝離技術，QST襯底至今未被大規(guī)模商用的原因在于缺乏高效剝離技術，信越化學聯(lián)合日本沖電氣工業(yè)（OKI）開發(fā)了CFB（晶體膜鍵合）技術，實現(xiàn)了GaN功能層與QST襯底的分離，同時還很好地解決缺陷問題，從而使高質(zhì)量的QST襯底得到極大的改進。

博世

博世對vGaN也躍躍欲試。2022年，消息稱博世在采用一家GaN初創(chuàng)公司的外延技術開發(fā)垂直氮化鎵器件。

此外，博世在歐洲還參與了由公共資金支持的“YESvGAN”項目，旨在與超過20家工業(yè)伙伴共同推動vGaN半導體技術的突破。

Hexagem

2022年報道顯示，隆德大學的衍生公司Hexagem正在開創(chuàng)一種垂直納米線生長工藝，與現(xiàn)今典型的橫向GaN器件相比，這些vGaN器件每平方厘米包含的缺陷要少得多。Hexage在2015年從隆德大學分立而出，Hexagem的路線是獨一無二的。其正在使用硅襯底并結(jié)合獨特的納米線聚結(jié)技術。

Vertical Semiconductor

一家新成立的公司，在近期剛剛拿到1100 萬美元種子輪融資，由Playground Global領投，信越化學（Shin-Etsu Chemical）、JIMCO Technology Ventures與milemark?capital共同參與。該公司用一項源自MIT實驗室的vGaN結(jié)構，挑戰(zhàn)數(shù)據(jù)中心電力路徑的密度極限。

山大與華為

山東大學和華為前陣子發(fā)布了一個論文，宣布在中國使用氟（F）離子注入終端（FIT）在全垂直氮化鎵（GaN）硅基硅（Si）溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）中實現(xiàn)了1200V擊穿性能。

該團隊創(chuàng)新地應用氟注入終端結(jié)構的1200V全垂直Si基GaN溝槽MOSFET（FIT-MOS），氟注入終端FIT區(qū)域固有的具有負性電荷成為阻性區(qū)域，天然的隔離器件，取代了傳統(tǒng)的mesa刻蝕終端（MET），消除了mesa邊緣的電場集中效應，從而將FIT-MOS的BV從MET-MOS的567V提升到1277V。此外，所制造的FIT-MOS表現(xiàn)出3.3V的Vth，ON/OFF為達到了1e7，Ron,sp為5.6mΩ·cm2。這些結(jié)果表明，具有很好的性價比的Si基GaN垂直晶體管在kV級應用中具有很大的潛力。通常，電隔離GaN半導體器件都采用了MET，但MET會導致相對尖銳的拐角，電場往往會擁擠，導致過早擊穿。MET-MOS全垂直MOSFET的擊穿電壓約為650V。而改革團隊的FIT-MOS器件的擊穿電壓達到1277V，提升了超125%。

FIT-MOS的vGaN的指標很不錯：比導通電阻（Ron,sp）：5.6mΩ·cm2導通電流密度：8kA/cm2開關電流比：10?閾值電壓（VTH）：3.3V（E-mode）漂移層厚度：7μm

中鎵科技

中鎵科技曾宣布制備的垂直型GaN–on-GaN SBD器件同時實現(xiàn)了較高的擊穿電壓和較低的開啟電壓，以上各項數(shù)據(jù)均達到國際領先水平，與已報道的傳統(tǒng)垂直型GaN SBD相比表現(xiàn)出了優(yōu)異的特性。

此外，在2022年，中鎵科技宣布與北京大學、波蘭國家高壓實驗室開展了合作，使用乙烯氣源制備出了世界最高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯底。此外，在硅襯底上，廣東致能全球首次實現(xiàn)了垂直的GaN/AIGaN結(jié)構生長和垂直的二維電子氣溝道(2DEG)。以此為基礎廣東致能實現(xiàn)了全球首個具有垂直2DEG的常開器件(D-mode HEMT)和垂直常關器件(E-mode HEMT)。

總結(jié)

當前GaN功率技術呈現(xiàn)出兩大發(fā)展趨勢。其一，是將系統(tǒng)外圍設備與功率晶體管進行單片集成，這種方式不僅能降低系統(tǒng)成本與物料清單成本，更關鍵的是可以顯著提升整體性能。其二，便是通過開發(fā)vGaN來提高器件的擊穿電壓，進而實現(xiàn)更高的開關功率。

隨著安森美先一步在vGaN重點布局，一個全新的市場正在被開辟。

參考文獻

[1]ONsemi：https://www.onsemi.com/company/news-media/press-announcements/en/onsemi-unveils-vertical-gan-semiconductors-a-breakthrough-for-ai-and-electrification

[2]Tohru Oka 2019 Jpn. J. Appl. Phys. 58 SB0805.DOI:10.7567/1347-4065/ab02e7

[3]Bodospower：https://www.bodospower.com/pdf/bp_article_2262.pdf

[4]Powerelectronicsnews：https://www.powerelectronicsnews.com/advances-in-the-development-of-vertical-gan-transistor-technology/

[5]EETimes：https://www.eetimes.com/vertical-gan-devices-the-next-generation-of-power-electronics/

[6]宴小北：https://mp.weixin.qq.com/s/PfbRCFENmjPSA3BQ3zCXnQ

[7]未來芯研究：https://mp.weixin.qq.com/s/skiKnkedpYGO35E5kVJL5g

[8]三代半食堂：https://mp.weixin.qq.com/s/jj7WPn-k1cXG9WLdB-6OKA

[9]博世汽車電子事業(yè)部：https://mp.weixin.qq.com/s/W9sGbIqPCdeB0b_vVp_Ibw

[10]雅時化合物半導體：https://mp.weixin.qq.com/s/ccjdr2ZhqGKM8PFvgMScWw

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