截至10點(diǎn)31分，上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌0.79%。成分股漲跌互現(xiàn)，天岳先進(jìn)領(lǐng)漲2.92%，和林微納上漲2.55%，拓荊科技上漲1.63%；先鋒精科領(lǐng)跌4.42%，安集科技下跌3.92%，富創(chuàng)精密下跌3.22%?？苿?chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）下跌0.85%，最新報(bào)價(jià)1.41元。

流動(dòng)性方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）盤中換手5.46%，成交1.80億元。拉長(zhǎng)時(shí)間看，截至12月11日，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）近1周日均成交4.16億元，領(lǐng)先同類。

規(guī)模方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）近3月規(guī)模增長(zhǎng)27.22億元，實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)。

瑞銀預(yù)計(jì)，DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）供應(yīng)短缺預(yù)計(jì)將持續(xù)至2027年第一季度，其中DDR內(nèi)存的需求料增長(zhǎng)20.7%，遠(yuǎn)超供應(yīng)增速。NAND閃存的短缺態(tài)勢(shì)則預(yù)計(jì)將持續(xù)至2026年第三季度。這一短缺局面引發(fā)了近30年來(lái)最猛烈的一輪價(jià)格上漲周期。瑞銀預(yù)計(jì)，今年第四季度，DDR 合約定價(jià)環(huán)比上漲35%，NAND閃存價(jià)格上漲 20%，漲幅均超出此前預(yù)期。2026年第一季度，DDR合約定價(jià)將進(jìn)一步上漲30%，NAND價(jià)格上漲20%。

中泰證券指出，存儲(chǔ)芯片為AI時(shí)代戰(zhàn)略關(guān)鍵環(huán)節(jié)，既有明確政策支持，又具備持續(xù)產(chǎn)業(yè)需求，是科技板塊中期核心關(guān)注的細(xì)分賽道。隨著AI產(chǎn)業(yè)爆發(fā)，存儲(chǔ)芯片需求大幅增長(zhǎng)，價(jià)格出現(xiàn)明顯上漲趨勢(shì)。

相關(guān)ETF：公開(kāi)信息顯示， 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中 半導(dǎo)體設(shè)備（61%）和半導(dǎo)體材料（23%）細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國(guó)產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國(guó)產(chǎn)化率較低、國(guó)產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求，擴(kuò)張、科技重組并購(gòu)浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。

半導(dǎo)體材料ETF（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356、C類：020357），指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（61%）、半導(dǎo)體材料（21%）占比靠前，充分聚焦半導(dǎo)體上游。