碳化硅突然就又火了。
幾個月前剛剛申請破產(chǎn)的Wolfspeed,在重組計劃被美國法院批準之后,于9月11日宣布200mm碳化硅材料產(chǎn)品正式開啟商用。此前該產(chǎn)品僅向少數(shù)客戶試供,如今面向市場全面放開。公司還同步推出可立即進行認證的200mm碳化硅外延片。
9 月 15 日,三星副總裁兼碳化硅業(yè)務(wù)團隊負責人洪錫俊表示,公司正專注于 8 英寸碳化硅功率半導體的研發(fā)。盡管尚未公布商業(yè)化時間表,但他指出,三星正在努力“盡快”實現(xiàn)碳化硅功率半導體的商業(yè)化。
釜山市政府17日宣布,EYEQ實驗室在釜山機張的新總部和生產(chǎn)設(shè)施已竣工。據(jù)報道,該工廠投資1000億韓元,使韓國首次能夠完全實現(xiàn)8英寸SiC功率半導體的本地化生產(chǎn)。
同時,國內(nèi)的碳化硅相關(guān)廠商,也都有各自的進展。
今年上半年的碳化硅市場,還曾深陷在“產(chǎn)能過?!迸c“價格戰(zhàn)”的泥潭。然而,如今的碳化硅似乎找到了新賽道,有望實現(xiàn)“華麗轉(zhuǎn)型”。
碳化硅經(jīng)歷了什么?
01
碳化硅,柳暗花明這半年
進入2025年,碳化硅產(chǎn)業(yè)面臨的核心挑戰(zhàn)是供給增長速度超過了終端需求的增速。在全球廠商的積極投資下,碳化硅襯底產(chǎn)能迅速擴大。據(jù)行業(yè)機構(gòu)預(yù)測,2025年,全球碳化硅襯底年產(chǎn)能預(yù)計將達到400萬片,而同期的市場需求預(yù)測約為250萬片。
顯著的供需失衡直接導致了市場價格的激烈競爭。以主流的6英寸碳化硅襯底為例,其市場價格在2025年內(nèi)下降幅度超過40%,部分報價已逼近許多生產(chǎn)商的成本線。這一輪價格下行反映了行業(yè)在經(jīng)歷前期高速增長后的周期性調(diào)整。
在此市場背景下,相關(guān)企業(yè)的經(jīng)營面臨挑戰(zhàn)。行業(yè)領(lǐng)導者之一的Wolfspeed公司便是一個典型案例。該公司在此前數(shù)年投入數(shù)十億美元進行大規(guī)模產(chǎn)能擴張,特別是向8英寸晶圓技術(shù)進行前瞻性投資。然而,由于歐美市場電動汽車需求增速放緩、8英寸晶圓在提升良率方面遭遇技術(shù)挑戰(zhàn),疊加全球市場激烈的價格競爭,該公司的財務(wù)狀況持續(xù)承壓。2025年6月,Wolfspeed向美國德州南區(qū)破產(chǎn)法院申請第11章破產(chǎn)保護。
類似的企業(yè)經(jīng)營困境與戰(zhàn)略調(diào)整,標志著碳化硅行業(yè)進入了一輪去產(chǎn)能和市場整合的階段,過剩的供給狀況有望逐步得到緩解。
在傳統(tǒng)應(yīng)用市場進入調(diào)整期之際,AI領(lǐng)域為碳化硅帶來了意料之外的新機遇。9月5日,據(jù)報道,為提升性能,英偉達在新一代Rubin處理器的開發(fā)藍圖中,計劃把CoWoS先進封裝環(huán)節(jié)的中間基板材料由硅換成碳化硅。目前臺積電邀請各大廠商共同研發(fā)碳化硅中間基板的制造技術(shù)。英偉達第一代Rubin GPU仍會采用硅中間基板,不過據(jù)該公司計劃,最晚2027年,碳化硅就會進入先進封裝。
碳化硅還被發(fā)現(xiàn)可以應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心中。5月20日,英偉達宣布,該公司將率先向800V HVDC 數(shù)據(jù)中心電力基礎(chǔ)設(shè)施過渡,并與英飛凌和納微達成了相關(guān)合作,意圖進一步降低數(shù)據(jù)中心電源能耗。據(jù)報道,這次電源架構(gòu)的革新將需要采用大量的碳化硅和氮化鎵器件。
此外,碳化硅材料在AR眼鏡領(lǐng)域的應(yīng)用也在逐漸被市場所發(fā)掘。
可是,為什么是碳化硅?
02
先進封裝、數(shù)據(jù)中心與AR眼鏡
先來看碳化硅在先進封裝中的應(yīng)用。
隨著人工智能與高性能計算對算力需求的持續(xù)攀升,芯片設(shè)計正面臨一個嚴峻的物理瓶頸:在2.5D等先進封裝架構(gòu)中,連接處理器核心與高帶寬內(nèi)存的傳統(tǒng)硅基中介層,已逐漸無法滿足下一代芯片在散熱與數(shù)據(jù)傳輸上的雙重需求。
當單顆芯片功耗邁向1000瓦甚至更高時,其產(chǎn)生的巨大熱量和對信號完整性的極致要求,促使業(yè)界必須尋找性能更優(yōu)越的替代材料,而這就到了碳化硅的優(yōu)勢區(qū)間。
碳化硅最核心的優(yōu)勢在于其卓越的的熱管理能力。傳統(tǒng)硅中介層的導熱率僅約150 W/m·K,面對巨大的熱流密度時,散熱效率低下,易導致芯片核心溫度過高,從而引發(fā)性能降頻或影響長期可靠性。相比之下,單晶碳化硅的導熱率高達490 W/m·K,是硅材料的三倍以上。
這意味著,采用碳化硅作為中介層,能夠?qū)⒃摻M件從一個被動的承載平臺,轉(zhuǎn)變?yōu)橐粋€高效的“散熱板”,可以迅速地將芯片產(chǎn)生的集中熱量均勻?qū)С?,顯著降低關(guān)鍵的工作結(jié)溫,為處理器在極限功率下持續(xù)穩(wěn)定運行提供了堅實的物理保障。
除了優(yōu)異的散熱性能,碳化硅在電氣特性和結(jié)構(gòu)設(shè)計上也展現(xiàn)出巨大潛力。高頻信號在密集的電路中傳輸極易受到寄生電感和信號串擾的影響,從而限制數(shù)據(jù)傳輸速度。碳化硅材料不僅具備優(yōu)良的電絕緣性,還允許通過先進的蝕刻工藝制造出深寬比更高的垂直導通孔(Via)結(jié)構(gòu)。
這種結(jié)構(gòu)優(yōu)勢使得內(nèi)部互連路徑可以設(shè)計得更短、更密集,從而大幅削減限制數(shù)據(jù)傳輸速度的寄生電感,保證信號的完整性。這最終轉(zhuǎn)化為處理器與內(nèi)存之間更快、更可靠的數(shù)據(jù)交換通道,是滿足AI應(yīng)用海量數(shù)據(jù)吞吐需求的關(guān)鍵。
而碳化硅的熱管理能力和電氣特性也能應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心供電領(lǐng)域。當前數(shù)據(jù)中心發(fā)展的核心瓶頸在于其中AI服務(wù)器巨大的能源消耗。傳統(tǒng)的48V/54V供電架構(gòu),在從電網(wǎng)到芯片的多級電壓轉(zhuǎn)換過程中存在顯著的能量損耗,導致效率低下且散熱負擔沉重。為應(yīng)對此挑戰(zhàn),業(yè)界正推動一場向800V高壓直流(HVDC)架構(gòu)的革新,旨在簡化供電鏈路、降低損耗。
在其中,碳化硅的優(yōu)勢在于其極高的電力轉(zhuǎn)換效率。800V新架構(gòu)依賴于固態(tài)變壓器(SST)和高壓直流轉(zhuǎn)換器等關(guān)鍵組件。在這些需要高頻、高壓開關(guān)的場景下,傳統(tǒng)硅基器件(如IGBT)的開關(guān)損耗巨大。而碳化硅MOSFET的開關(guān)能耗比前者低20倍以上,這意味著在每次電力轉(zhuǎn)換時,更少的能量以熱量的形式被浪費掉。這種特性可以將數(shù)據(jù)中心從機柜到服務(wù)器的整體系統(tǒng)能效提升數(shù)個百分點,有效節(jié)約了龐大的運營電力成本。
同時,碳化硅的效率優(yōu)勢可以催生出更大的功率密度。由于自身損耗極低,碳化硅器件產(chǎn)生的廢熱大幅減少,從而極大地縮小了對其散熱系統(tǒng)的要求。這使得電源供應(yīng)器(PSU)等電力模塊的體積和重量得以顯著縮減,功率密度實現(xiàn)翻倍增長。在寸土寸金的數(shù)據(jù)中心機柜中,更高的功率密度意味著可以在相同空間內(nèi)為更多的AI加速器提供動力,直接提升了整體算力部署的效益。同時,碳化硅耐高壓、耐高溫的材料本性,也確保了整個800V電力系統(tǒng)在高負荷下的長期運行穩(wěn)定與可靠。
為此,不少碳化硅企業(yè)預(yù)計到2030年,800V數(shù)據(jù)中心的固態(tài)變壓器環(huán)節(jié)將為碳化硅器件創(chuàng)造約5億美元/年的市場機會。與此同時,基于碳化硅的固態(tài)變壓器還將在充電站、微電網(wǎng)等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用,據(jù)英國CSA Catapult推測,預(yù)計到2030年,固態(tài)變壓器市場將以兩位數(shù)的復(fù)合年增長率(CAGR)增長,僅英國就有超過50萬座變電站有望采用碳化硅固態(tài)變壓器進行升級。
此外,AR眼鏡也是一個適合碳化硅“大展拳腳”的領(lǐng)域。
當前,AR(增強現(xiàn)實)智能眼鏡產(chǎn)業(yè)正邁向消費級普及的關(guān)鍵階段,但其發(fā)展長期受限于幾大核心技術(shù)瓶頸:視場角(FOV)狹窄、圖像易產(chǎn)生彩虹偽影、以及因高功耗導致的發(fā)熱和續(xù)航短等問題。這些挑戰(zhàn)的根源,很大程度上在于其核心光學元件——波導透鏡的材料限制。為此,業(yè)界正轉(zhuǎn)向碳化硅。碳化硅具有卓越的光學特性與結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。AR眼鏡的沉浸感體驗直接取決于視場角大小,而傳統(tǒng)玻璃或樹脂材料因折射率較低(約1.8-2.0),若要實現(xiàn)大視場角則鏡片必須做得又厚又重。碳化硅的折射率高達2.6-2.7,能在單層、超薄的鏡片上實現(xiàn)70度以上的寬廣視場角,從物理層面解決了設(shè)備的笨重問題。同時,碳化硅擁有僅次于鉆石的超高硬度,這使其在納米級光柵刻蝕過程中能保持極高的結(jié)構(gòu)精度,有效抑制了因材料形變或加工誤差導致的彩虹偽影,顯著提升了成像質(zhì)量。
其次,還是憑借優(yōu)異的熱管理與電氣效率,碳化硅有望解決AR眼鏡的功能性難題。AR設(shè)備中的MicroLED等微顯示器為保證戶外可見性,需要維持高亮度輸出,但這會產(chǎn)生大量熱量,影響元器件壽命和穩(wěn)定性。碳化硅的導熱率遠超傳統(tǒng)玻璃上百倍,可作為高效的散熱基板,快速將顯示核心產(chǎn)生的熱量傳導出去。此外,碳化硅在電源管理單元中更高的轉(zhuǎn)換效率,有助于延長設(shè)備續(xù)航,為實現(xiàn)“全天候佩戴”的終極目標提供支持。
03
國內(nèi)廠商紛紛發(fā)力
而面對這些“未來可期”的市場,國內(nèi)的碳化硅廠商自然也有所動作。
9月17日,三安光電董事長林志強在公司線上業(yè)績說明會上透露,在AI/AR眼鏡領(lǐng)域,三安光電的Micro LED產(chǎn)品正與國內(nèi)外終端廠商配合做方案優(yōu)化,已從技術(shù)驗證邁向小批量驗證階段。
據(jù)介紹,三安光電旗下湖南三安是國內(nèi)為數(shù)不多的碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合制造平臺,產(chǎn)業(yè)鏈包括晶體生長—襯底制備—外延生長—芯片制程—封裝測試,產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏儲能、充電樁、AI及數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等領(lǐng)域。目前,湖南三安已擁有6英寸碳化硅配套產(chǎn)能16,000片/月,8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能1,000片/月、外延產(chǎn)能2,000片/月,其8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線已于2025年Q2實現(xiàn)通線
9月11日,天岳先進在互動平臺表示,公司的碳化硅襯底可被廣泛應(yīng)用于功率半導體器件、射頻半導體器件以及光波導、TF-SAW濾波器、散熱部件等下游產(chǎn)品中,主要應(yīng)用行業(yè)包括電動汽車、光伏及儲能系統(tǒng)、電力電網(wǎng)、軌道交通、通信、AI眼鏡、智能手機、半導體激光等。公司的碳化硅襯底經(jīng)客戶制成電力電子器件,該等器件最終應(yīng)用于諸如電動汽車、AI數(shù)據(jù)中心及光伏系統(tǒng)等多領(lǐng)域的終端產(chǎn)品中。
天岳先進成立于2010年,專注于碳化硅半導體材料研發(fā)與生產(chǎn)。目前,天岳先進是全球少數(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)、率先實現(xiàn)2英寸到8英寸碳化硅襯底的商業(yè)化的公司之一,并于2024年11月全球首發(fā)12英寸碳化硅襯底。根據(jù)資料,按2024年碳化硅襯底的銷售收入計,天岳先進是全球排名前三的碳化硅襯底制造商,市場份額為16.7%。
9月9日,晶盛機電發(fā)布投資者關(guān)系活動記錄表公告稱,公司碳化硅襯底材料業(yè)務(wù)已實現(xiàn)6-8英寸碳化硅襯底規(guī)?;慨a(chǎn)與銷售,量產(chǎn)的碳化硅襯底核心參數(shù)指標達到行業(yè)一流水平,并實現(xiàn)12英寸導電型碳化硅單晶生長技術(shù)突破,成功長出12英寸碳化硅晶體。同時,公司積極推進碳化硅襯底在全球的客戶驗證,送樣客戶范圍大幅提升,產(chǎn)品驗證進展順利,并成功獲取部分國際客戶批量訂單。
晶盛機電成立于2006年12月,公司圍繞硅、藍寶石、碳化硅三大半導體材料提供光伏和半導體產(chǎn)業(yè)鏈裝備,并延伸至化合物襯底材料領(lǐng)域。其主要產(chǎn)品包括各類晶體生長爐和硅片加工設(shè)備。除此之外,晶盛機電還有半導體硅片材料的相關(guān)業(yè)務(wù)。
04
結(jié)語
據(jù)Yole預(yù)測,2027年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模將達到62.97億美元;TrendForce數(shù)據(jù)顯示,其2023—2028年復(fù)合年增長率(CAGR)高達25%;沙利文則進一步預(yù)測,2030年全球碳化硅襯底端市場規(guī)模將增長至人民幣664億元。
碳化硅的“轉(zhuǎn)型”成功,無疑源于其材料特性對AI、新能源等領(lǐng)域的適配。而新市場帶來的需求,無疑也會引發(fā)國內(nèi)外廠商的劇烈爭奪。
這場預(yù)告了未來的好戲,才剛剛開始。
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