渠道市場(chǎng)在DDR5資源供應(yīng)趨緊且價(jià)格居高不下等因素影響下，本周DDR5內(nèi)存條繼續(xù)小幅上調(diào)報(bào)價(jià)；而渠道DDR4則處于高位橫盤(pán)。值得注意的是，經(jīng)歷超過(guò)一季度的漲價(jià)行情，渠道DDR4和DDR5之間的價(jià)差迅速縮小，部分同容量DDR4、DDR5 UDIMM價(jià)差已縮小至20%以內(nèi)，不過(guò)，目前渠道內(nèi)存條仍以DDR4為基本盤(pán)，DDR5應(yīng)用比重有待提升。

上游資源端方面，伴隨著DDR4資源供應(yīng)緊繃并高位盤(pán)旋，部分存儲(chǔ)廠商仍將精力集中于尋找貨源。不過(guò)，近日市場(chǎng)傳出由于DDR4價(jià)格高昂，部分下游應(yīng)用市場(chǎng)難扛成本壓力而回退至DDR3，漲價(jià)傳導(dǎo)效應(yīng)下推動(dòng)DDR3價(jià)格上漲。而NAND方面，NAND Flash價(jià)格分化明顯，原廠NAND產(chǎn)能不斷向新制程遷移，低容量NAND供應(yīng)持續(xù)吃緊，推升256Gb及以下容量Flash Wafer價(jià)格滾動(dòng)上揚(yáng)，256Gb與512Gb NAND價(jià)格幾乎持平，相對(duì)應(yīng)的，單die 1Tb NAND則供應(yīng)較為充足，進(jìn)而令其價(jià)格向下調(diào)整。

具體來(lái)看，近日256Gb TLC Flash Wafer價(jià)格小幅上漲至3.00美元，而1Tb QLC Flash Wafer、1Tb TLC Flash Wafer分別向下調(diào)整至5.40/4.80美元。512Gb TLC Flash Wafer價(jià)格保持穩(wěn)定。DDR4、DDR5顆粒價(jià)格維持不變。

Flash Wafer最新報(bào)價(jià)

DDR最新報(bào)價(jià)

因渠道上游DDR5資源供應(yīng)非常有限且價(jià)格居高不下，DDR5內(nèi)存條價(jià)格繼續(xù)上調(diào)報(bào)價(jià)；渠道DDR4和SSD價(jià)格則維持穩(wěn)定。

渠道市場(chǎng)SSD最新報(bào)價(jià)

渠道市場(chǎng)內(nèi)存條最新報(bào)價(jià)

二季度以來(lái)，DDR4供應(yīng)基本處于停滯狀態(tài)，雖現(xiàn)貨市場(chǎng)時(shí)有零星資源釋出，但報(bào)價(jià)過(guò)高超出大多存儲(chǔ)廠商承受范圍。目前來(lái)看，存儲(chǔ)廠商因資源供應(yīng)受限，產(chǎn)品生產(chǎn)和交付壓力日益增加，尤其是4/8GB DDR4 SODIMM。不過(guò)，行業(yè)內(nèi)存條整體價(jià)格保持穩(wěn)定。行業(yè)SSD價(jià)格也基本不變。

行業(yè)市場(chǎng)SSD最新報(bào)價(jià)

行業(yè)市場(chǎng)內(nèi)存條最新報(bào)價(jià)

本周LPDDR4X和嵌入式eMMC、UFS等產(chǎn)品價(jià)格持平。不過(guò)，近期供應(yīng)端LPDDR4X資源仍在漲價(jià)，下游存儲(chǔ)廠商LPDDR4X成品生產(chǎn)成本壓力進(jìn)一步加大。另外，步入9月，華為、蘋(píng)果等頭部手機(jī)品牌將陸續(xù)發(fā)布新品，屆時(shí)能否帶動(dòng)消費(fèi)者購(gòu)買(mǎi)熱情仍有待觀察。

eMMC最新報(bào)價(jià)

eMCP最新報(bào)價(jià)

LPDDR最新報(bào)價(jià)

UFS最新報(bào)價(jià)

uMCP最新報(bào)價(jià)